一种铜片及粘片结构制造技术

本发明专利技术公开一种铜片及粘片结构，该发明专利技术涉及半导体功率器件封装制造领域，铜片包括：散热片，底面上设有S极第一连接部和S极第二连接部，S极拾取部，设于散热片顶部一端，S极拾取部与散热片之间设有一台阶4，G极拾取部，与S极拾取部的一侧通过连接部连接，G极拾取部一端设有G极连接部，G极连接部底面设有凸起的芯片连接面，G极拾取部与G极连接部相对的另一端设有框架G极连接部9，粘片结构包括：铜片与芯片和框架的连接关系。本发明专利技术能够实现对器件底部和顶部双面散热，对器件顶部散热面积进行调整，从而适配满足不同的散热要求，通过器件S极和G极全部使用铜片结构，极大的提高产品生产制造UPH值，节省时间成本。节省时间成本。节省时间成本。

【技术实现步骤摘要】
一种铜片及粘片结构


[0001]本专利技术涉及半导体功率器件封装制造领域，特别涉及一种铜片及粘片结构。

技术介绍

[0002]现有半导体功率器件的键合丝，一般为金线、铜线、铝线，金线传导效率好但成本较高；铜线易氧化，有弹坑和拉力不良风险，线径达到18um会存在较大缺陷；铝线线径较粗，弧高较难控制，导电率和导热率较差。键合丝工艺在大功率的条件下散热较差器件发热严重，极大的影响器件可靠性。使用键合丝工艺生产制造，通常需要键合多根焊线，导致键合丝生产过程中每小时的产出数量（Unit Per Hour，UPH）较低。器件顶部没有散热片，没有散热功能，导致较大功率器件达不到散热要求，器件安装适配场景较少。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种铜片，可以解决现有技术中存在上述问题。
[0004]本专利技术实施例提供一种铜片，包括：散热片，底面上设有S极第一连接部和S极第二连接部；S极拾取部，设于散热片顶部一端，S极拾取部与散热片之间设有一台阶4；G极拾取部，与S极拾取部的一侧通过连接部连接，G极拾取部一端设有G极连接部，G极连接部底面设有凸起的芯片连接面，G极拾取部的与G极连接部相对的另一端设有框架G极连接部9。
[0005]进一步，S极第一连接部和S极第二连接部包括两个高度相同的矩形凸台，两个矩形凸台之间设有一槽，每个矩形凸台底部四周设有倒角。
[0006]进一步，散热片远离S极拾取部的一侧面的两端分别设有第一圆角和第二圆角。
[0007]进一步，S极拾取部远离散热片一侧面设有一半腰形通孔；S极拾取部顶面设置一平面。
[0008]进一步，S极拾取部与连接部相对的一侧通过第一连筋与铜片边框固定连接。
[0009]进一步，G极拾取部与连接部相对的一侧通过第二连筋与铜片边框固定连接；G极拾取部顶面设置一平面。
[0010]进一步，G极连接部底面的凸起的芯片连接面面积根据芯片G极面积大小设置。
[0011]进一步，散热片与S极拾取部之间的台阶的位置根据散热片的面积大小设置。
[0012]进一步，连接部包括一窄连筋，窄连筋与G极拾取部和S极拾取部厚度相同。
[0013]进一步，在S极拾取部的远离台阶的端头设置框架连接部第一圆角和框架连接部第二圆角。
[0014]本专利技术还提供一种粘片结构，粘片结构中包括如前所述的铜片，粘片结构中还包括芯片、框架；芯片S极区域通过锡膏和S极第一连接部、S极第二连接部相连；S极第一连接部、S极第二连接部和散热片底部连接；
散热片和S极拾取部连接；S极拾取部下表面的框架连接面通过锡膏和框架的S极管脚连接；芯片G极区域通过锡膏和芯片连接面连接；芯片连接面与芯片G极连接部连接；G极连接部与G极拾取部连接；G极拾取部与框架G极连接部连接，框架G极连接部下表面通过锡膏和框架的G极连接。
[0015]本专利技术实施例提供一种铜片及粘片结构，与现有技术相比，其有益效果如下：本专利技术通过特有的铜片的S极散热片位置结构，可以实现器件顶部散热，并且可以对器件顶部散热面积进行调整，从而适配满足较高条件的散热和不同的散热要求，增加器件安装适配场景；通过clip铜片键合方式，使器件过流能力提高，内阻降低，提高器件的电性参数和可靠性；通过S极和G极全部使用铜片结构（全clip铜片），极大的提高产品生产制造UPH值，节省时间成本。
附图说明
[0016]图1为本专利技术实施例提供的一种铜片的正面结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种铜片的背面结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种铜片在PDFN5*6封装类型产品中研磨前后内部结构示意图，其中，图3（a）表示产品塑封完成后研磨前的内部结构示意图，图3（b）表示产品塑封完成后研磨后的内部结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种铜片在PDFN5*6封装类型产品中的研磨前后外观示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种铜片的粘片结构的示意图。
具体实施方式
[0017]下面结合附图，对本专利技术的具体实施方式进行详细描述，但应当理解为本专利技术的保护范围并不受具体实施方式的限制。
[0018]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0019]本说明书提供了如实施例或流程图所述的方法操作步骤，但基于常规或无创造性的劳动可以包括更多或者更少的操作步骤。在实际中的电路或服务器产品执行时，可以按照实施例或者附图所示的方法顺序执行或者并行执行（例如并行处理器或者多线程处理的环境）。
[0020]图1为本专利技术实施例提供的一种铜片的正面结构示意图。
[0021]如图1所示，一种铜片，包括：散热片1，底面上设有S极第一连接部2
‑
1和S极第二连接部2
‑
2；S极拾取部10，设于散热片1顶部一端，S极拾取部10与散热片1之间设有一台阶4；
G极拾取部16，与S极拾取部10的一侧通过连接部7连接，G极拾取部16一端设有G极连接部6，G极连接部6底面设有凸起的芯片连接面14，G极拾取部16的与G极连接部6相对的另一端设有框架G极连接部9。
[0022]在本专利技术提供的实施例中，铜片外形结构包含S极铜片和G极铜片两部分。S极包括：铜片散热片1，散热片1一端下表面设置两块突起S极第一连接部2
‑
1和S极第二连接部2
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2，作为芯片连接部与芯片S极连接，散热片1另一端设置向下台阶4，台阶4作为S极铜片与框架连接部分，在台台阶4右侧连接G极铜片部分；G极铜片包括：G极连接部6与芯片G极连接，G极拾取部16和框架G极连接部6，G极连接部6底面设有凸起的芯片连接面14，G极拾取部16与G极连接部6相对的另一端设有框架G极连接部9。
[0023]图2为本专利技术实施例提供的一种铜片的背面结构示意图。
[0024]如图2所示，G极连接部6底面设有凸起的芯片连接面14，框架连接面15设置在S极拾取部10背面，S极第一连接部2
‑
1，S极第一连接部2
‑
1设置在顶部散热片的下表面，S极第一连接部2
‑
1一面与散热片连接，另一面通过锡膏和芯片连接；S极第二连接部2
‑
2，S极第二连接部2
‑
2设置在顶部散热片的下表面，S极第二连接部2
‑
2一面与散热片连接，另一面通过锡膏和芯片连接。
[0025]图3为本专利技术实施例提供的一种铜片在PDFN5*6封装类型产品中的研磨前后内部结构示意图。
[0026]图4为本专利技术实施例提供的一种铜片在PDFN5*6封装类型产品中的研磨前后外观示意图。
[0027]如图3和图4所示，产品塑封完成后通过研磨工艺，把产品上表面进行研磨，直本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铜片，其特征在于，包括：散热片（1），底面上设有S极第一连接部（2
‑
1）和S极第二连接部（2
‑
2）；S极拾取部（10），设于所述散热片（1）顶部一端，所述S极拾取部（10）与所述散热片（1）之间设有一台阶（4）；G极拾取部（16），与所述S极拾取部（10）的一侧通过连接部（7）连接，所述G极拾取部（16）一端设有G极连接部（6），所述G极连接部（6）底面设有凸起的芯片连接面（14），所述G极拾取部（16）与G极连接部（6）相对的另一端设有框架G极连接部（9）。2.如权利要求1所述的一种铜片，其特征在于，所述S极第一连接部（2
‑
1）和所述S极第二连接部（2
‑
2）包括两个高度相同的矩形凸台，两个所述矩形凸台之间设有一槽（3），每个所述矩形凸台底部四周设有倒角。3.如权利要求1所述的一种铜片，其特征在于，所述散热片（1）远离所述S极拾取部（10）的一侧面的两端分别设有第一圆角（5
‑
1）和第二圆角（5
‑
2）。4.如权利要求1所述的一种铜片，其特征在于，所述S极拾取部（10）远离所述散热片（1）一侧面设有一半腰形通孔（11）；所述S极拾取部（10）顶面设置一平面。5.如权利要求1所述的一种铜片，其特征在于，所述S极拾取部（10）与所述连接部（7）相对的一侧通过第一连筋（8
‑
2）与铜片所在条带边框固定连接。6.如权利要求1所述的一种铜片，其特征在于，所述G极拾取部（16）与...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵文涛，张涛，韩萌，
申请(专利权)人：华羿微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：