一种构造存储芯片封装结构的方法及封装结构技术

本发明专利技术涉及半导体封装技术领域，提出一种构造存储芯片封装结构的方法及封装结构。该方法包括下列步骤：提供第一芯片；在所述第一芯片的第一面上构造凹槽；在所述凹槽处布置控制芯片；提供第二芯片，其中所述第二芯片上设置有存储区域；以及将所述第二芯片的第一面堆叠在所述第一芯片的第二面上。本发明专利技术通过在芯片本体上构造TSV结构，将传统封装结构中的功能芯片与转接板合二为一，提高芯片性能的同时减小了封装体积，并且本发明专利技术利用功能芯片的背面空间挖腔并埋入控制芯片，可以有效提高三维方向封装的集成度。向封装的集成度。向封装的集成度。

【技术实现步骤摘要】
一种构造存储芯片封装结构的方法及封装结构


[0001]本专利技术总的来说涉及半导体封装
具体而言，本专利技术涉及一种构造存储芯片封装结构的方法及封装结构。

技术介绍

[0002]传统上在对存储芯片以及控制芯片进行封装时通常在封装载体的同一侧或者不同侧布置存储芯片以及控制芯片，并且使用塑封材料将存储芯片以及控制芯片塑封。
[0003]然而在传统的封装结构中，由于存储芯片以及控制芯片均布置在封装载体表面，使得封装结构的体积过大；并且由于使用大量的塑封材料，对封装载体的散热造成了影响，也容易造成封装载体的翘曲，对后续封装的可靠性造成影响；另外传统的封装结构通常使用印制电路板(PCB，Printed Circuit Board)作为封装载体，然而由于印制电路板的工艺节点和尺寸均较大，因此难以满足目前更高集成密度的封装要求。

技术实现思路

[0004]为至少部分解决现有技术中的上述问题，本专利技术提出一种构造存储芯片封装结构的方法，包括下列步骤：
[0005]提供第一芯片；
[0006]在所述第一芯片的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种构造存储芯片封装结构的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供第一芯片；在所述第一芯片的第一面上构造凹槽；在所述凹槽处布置控制芯片；提供第二芯片，其中所述第二芯片上设置有存储区域；以及将所述第二芯片的第一面堆叠在所述第一芯片的第二面上。2.根据权利要求1所述的构造存储芯片封装结构的方法，其特征在于，还包括：在所述第一芯片上构造第一硅通孔；在所述第二芯片上构造第二硅通孔；以及在将所述第二芯片堆叠在所述第一芯片的上时将所述第二硅通孔与所述第一硅通孔连接。3.根据权利要求1所述的构造存储芯片封装结构的方法，其特征在于，所述第二芯片包括一个或者多个存储区域。4.根据权利要求3所述的构造存储芯片封装结构的方法，其特征在于，所述存储区域的数量大于等于4。5.根据权利要求1所述的构造存储芯片封装结构的方法，其特征在于，提供多个所述第二芯片，其中将多...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘欢，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：