一种应用于储能逆变电源的功率自适应调节电路及储能逆变电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种应用于储能逆变电源的功率自适应调节电路及储能逆变电源，其电路包括功率自适应调节模块，用于输出逆变信号和升降压信号；驱动模块，与功率自适应调节模块连接且用于接收功率自适应调节模块输出的逆变信号和升降压信号并输出逆变驱动信号和升降压驱动信号；逆变电路，与驱动模块连接且接收驱动模块输出的逆变驱动信号并输出电流和电压；升降压电路，与驱动模块连接且接收驱动模块输出的升降压驱动信号且提供升降压后的直流电压给逆变电路；采样模块，与逆变电路、升降压电路连接且用于逆变电路和升降压电路的采样并反馈给功率自适应调节模块。能够使储能逆变电源克服瞬间输出功率过高，提升带载能力。力。力。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于储能逆变电源的功率自适应调节电路及储能逆变电源


[0001]本专利技术涉及电源电路
，尤其涉及一种应用于储能逆变电源的功率自适应调节电路及储能逆变电源。

技术介绍

[0002]现有储能逆变电源通常为恒功率输出，当储能逆变电源为空调、冰箱、制冰机等冲击性负载供电，或者超大功率负载供电时，储能逆变电源逆变输出供电时容易出现输出功率大于额定功率的情况，会使储能逆变电源启动过载保护功能，进而使储能逆变电源无法驱动这些负载，进而使这些负载无法工作，给人们的生活带来不便。因此，需要一种针对储能逆变电源的功率自适应调节的电路方案，能够使储能逆变电源克服瞬间输出功率过高，提升带载能力。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术提供一种应用于储能逆变电源的功率自适应调节电路及储能逆变电源，目的在于解决现有技术中存在的上述问题。
[0004]一种应用于储能逆变电源的功率自适应调节电路，包括：
[0005]功率自适应调节模块，用于输出逆变信号和升降压信号；
[0006]驱动模块，与功率自适应调节模块连接且用于接收功率自适应调节模块输出的逆变信号和升降压信号并输出逆变驱动信号和升降压驱动信号；
[0007]逆变电路，与驱动模块连接且接收驱动模块输出的逆变驱动信号并输出电流和电压；
[0008]升降压电路，与驱动模块连接且接收驱动模块输出的升降压驱动信号且提供升降压后的直流电压给逆变电路；
[0009]采样模块，与逆变电路、升降压电路连接且用于逆变电路和升降压电路的采样并反馈给功率自适应调节模块。
[0010]作为一种可能的实施方式，进一步，本方案所述逆变电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4,电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4，电感L1、电感L2、电感L3，电容C1、电容C2；所述升降压电路包括MOS管Q5、MOS管Q6，电感L4、电感L5、电感L6、电感L7、电感L8，二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4，电容C3；所述驱动模块包括逆变驱动模块1、逆变驱动模块2和升降压驱动模块；所述采样模块包括电流采样模块、电压采样模块和电源采样模块；所述功率自适应调节模块包括芯片IC；
[0011]所述逆变信号包括逆变信号INV_PWM1、逆变信号INV_PWM2、逆变信号INV_PWM3、逆变信号INV_PWM4，所述升降压信号包括升压信号DC_PWM5、降压信号DC_PWM6；所述逆变驱动信号包括逆变驱动信号UP
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L、逆变驱动信号DOWN
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L、逆变驱动信号UP
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R、逆变驱动信号DOWN
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R；所述升降压驱动信号包括升压驱动信号OUTA2和降压驱动信号OUTB1。
[0012]作为一种较优的实施选择，优选的，本方案所述MOS管Q1的引脚1分别接入所述电阻R1一端和所述逆变驱动信号UP
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L，所述MOS管Q1的引脚2分别接入所述MOS管Q2的引脚2和所述直流电压正极，所述MOS管Q1的引脚3分别接入所述MOS管Q3的引脚2、电阻R1的一端和所述电感L1的一端；所述MOS管Q2的引脚1分别接入所述电阻R2一端和所述逆变驱动信号UP
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R，所述MOS管Q2的引脚3分别接入所述MOS管Q4的引脚2、电阻R2一端、电感L3一端、电容C1一端；所述MOS管Q3的引脚1分别接入所述电阻R3一端和所述逆变驱动信号DOWN
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L，所述MOS管Q3的引脚3分别接入所述电阻R3一端、所述直流电压负极、所述MOS管Q4的引脚3和所述电阻R4一端；所述MOS管Q4的引脚1分别接入所述电阻R4一端和逆变驱动信号DOWN
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R；所述电感L1一端连分别连接所述电感L2一端、所述电容C1一端和所述电流采样模块，所述电感L2一端分别连接所述电容C2一端和所述电压采样模块，所述电感L3一端分别连接所述电容C2一端和所述电压采样模块。
[0013]作为一种较优的实施选择，优选的，本方案所述MOS管Q5的引脚1接入所述升压驱动信号OUTA2，所述MOS管Q5的引脚2接入所述电感L4一端，所述MOS管Q5的引脚3连接电池负极；所述MOS管Q6的引脚1接入降压驱动信号OUTB1，所述MOS管Q6的引脚2接入电感L5一端，所述MOS管Q6的引脚3连接电池负极；所述电感L4一端和所述电感L5一端接入电池正极，所述电感L4、L5、L6、L7、L8缠绕连接在铁磁芯上，所述电感L6一端与所述电感L7一端相连，所述电感L6一端分别连接二极管D1正极和二极管D2负极，所述电感L7一端分别连接二极管D3正极和二极管D4负极，所述二极管D1和二极管D3的负极分别连接所述电感C3一端和所述直流电压正极，所述二极管D2和二极管D4的正极分别连接所述电感C4一端和所述直流电压负极。
[0014]作为一种较优的实施选择，优选的，本方案所述逆变驱动模块1分别连接所述芯片IC引脚29获取所述逆变信号INV_PWM1和所述芯片IC引脚17获取所述逆变信号INV_PWM2，所述逆变驱动模块2分别连接所述芯片IC引脚28获取所述逆变信号INV_PWM3和所述芯片IC引脚27获取所述逆变信号INV_PWM4，所述升降压驱动模块分别连接所述芯片IC引脚40获取所述升压信号DC_PWM5和所述芯片IC引脚41获取所述降压信号DC_PWM6；所述电源采样模块分别连接所述直流电压正负极获取电源采样信号VBUS cpu，且连接所述芯片IC引脚12反馈电源采样信号VBUS cpu；所述电压采样模块连接逆变电路获取电压采样信号V
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INV cpu，且连接所述芯片IC引脚15反馈采样信号V
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INV cpu；所述电流采样模块连接逆变电路获取电流采样信号Ioutcpu，且连接所述芯片IC引脚13反馈电流采样信号Ioutcpu。
[0015]作为一种较优的实施选择，优选的，本方案所述MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管Q6均为N型，且所述MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管Q6的引脚1为G级，所述MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管Q6的引脚2为D级，所述逆MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管Q6的引脚3为S级；所述芯片IC型号为STM32F407ZET6。
[0016]基于上述电路方案，本技术还提供一种储能逆变电源，其包括上述所述应用于储能逆变电源的功率自适应调节电路。
[0017]由上述对本技术结构的描述可知，本技术具有如下优点：本方案在保证电路工作稳定性和安全性的前提下，在逆变储能电源领域中，提供了一种既保证电源使用可靠性，又能够进行功率自适应调节的电路方案，能够使储能逆变电源克服瞬间输出功率
过高，提升带载能力。
附图说本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于储能逆变电源的功率自适应调节电路，其特征在于，包括：功率自适应调节模块，用于输出逆变信号和升降压信号；驱动模块，与功率自适应调节模块连接且用于接收功率自适应调节模块输出的逆变信号和升降压信号并输出逆变驱动信号和升降压驱动信号；逆变电路，与驱动模块连接且接收驱动模块输出的逆变驱动信号并输出电流和电压；升降压电路，与驱动模块连接且接收驱动模块输出的升降压驱动信号且提供升降压后的直流电压给逆变电路；采样模块，与逆变电路、升降压电路连接且用于逆变电路和升降压电路的采样并反馈给功率自适应调节模块。2.如权利要求1所述的应用于储能逆变电源的功率自适应调节电路，其特征在于，所述逆变电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4,电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4，电感L1、电感L2、电感L3，电容C1、电容C2；所述升降压电路包括MOS管Q5、MOS管Q6，电感L4、电感L5、电感L6、电感L7、电感L8，二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4，电容C3；所述驱动模块包括逆变驱动模块1、逆变驱动模块2和升降压驱动模块；所述采样模块包括电流采样模块、电压采样模块和电源采样模块；所述功率自适应调节模块包括芯片IC；所述逆变信号包括逆变信号INV_PWM1、逆变信号INV_PWM2、逆变信号INV_PWM3、逆变信号INV_PWM4，所述升降压信号包括升压信号DC_PWM5、降压信号DC_PWM6；所述逆变驱动信号包括逆变驱动信号UP
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L、逆变驱动信号DOWN
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L、逆变驱动信号UP
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R、逆变驱动信号DOWN
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R；所述升降压驱动信号包括升压驱动信号OUTA2和降压驱动信号OUTB1。3.如权利要求2所述的应用于储能逆变电源的功率自适应调节电路，其特征在于，所述MOS管Q1的引脚1分别接入所述电阻R1一端和所述逆变驱动信号UP
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L，所述MOS管Q1的引脚2分别接入所述MOS管Q2的引脚2和所述直流电压正极，所述MOS管Q1的引脚3分别接入所述MOS管Q3的引脚2、电阻R1的一端和所述电感L1的一端；所述MOS管Q2的引脚1分别接入所述电阻R2一端和所述逆变驱动信号UP
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R，所述MOS管Q2的引脚3分别接入所述MOS管Q4的引脚2、电阻R2一端、电感L3一端、电容C1一端；所述MOS管Q3的引脚1分别接入所述电阻R3一端和所述逆变驱动信号DOWN
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L，所述MOS管Q3的引脚3分别接入所述电阻R3一端、所述直流电压负极、所述MOS管Q4的引脚3和所述电阻R4一端；所述MOS管Q4的引脚1分别接入所述电阻R4一端和逆变驱动信号DOWN
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R；所述电感L1一端连分别连接所述电感L2一端、所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈聪鹏，孙志勇，王刚，王志军，
申请(专利权)人：厦门海索科技有限公司，
类型：新型
国别省市：