与对存储器单元执行编程操作有关的存储器设备制造技术

本公开涉及与对存储器单元执行编程操作有关的存储器设备。本文提供了用于对存储器单元执行编程操作的存储器设备。该存储器设备包括：多个存储器单元，被配置为存储数据；电压生成器，被配置为在编程操作期间将编程电压施加到与多个存储器单元耦合的字线，在该编程操作中，多个存储器单元被编程到多个编程状态；单元速度确定器，被配置为依赖于在编程操作正被执行的同时施加到字线的编程电压的脉冲数量，来确定多个存储器单元的编程速度；以及编程管理器，被配置为依赖于由单元速度确定器确定的编程速度，改变针对剩余编程操作的条件。改变针对剩余编程操作的条件。改变针对剩余编程操作的条件。

【技术实现步骤摘要】
与对存储器单元执行编程操作有关的存储器设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年6月1日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10
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2021
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0070785以及于2021年11月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10
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2021
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0169310的优先权，这些申请的整体公开内容通过引用并入本文。


[0003]本公开的各种实施例总体上涉及用于对存储器单元执行编程操作的存储器设备，并且更具体地，涉及被配置为依赖于存储器单元的编程速度来控制编程条件的存储器设备。

技术介绍

[0004]存储器系统可以包括存储数据的存储器设备和控制存储器设备的控制器。
[0005]存储器设备可以包括在其中存储数据的存储器块，以及执行编程操作、读取操作或擦除操作的外围电路。每个存储器块可以包括耦合在位线与源极线之间的多个串，并且该多个串中的每个串可以包括存储器单元，存储器单元可以存储数据。依赖于施加到字线和位线的电压，多个存储器单元可以被编程、读取或擦除。
[0006]存储器设备可以包括存储数据的存储器单元阵列，并且存储器单元阵列可以包括多个存储器块。存储器块中的每个存储器块可以包括多个存储器单元。理想情况下，该多个存储器单元的电特性应当彼此相同，但是实际上，由于制造过程的特性，该多个存储器单元的电特性之间可能出现差异。
[0007]因此，在编程操作期间，对多个存储器单元执行的编程操作的速度可能彼此不同，从而使存储器设备的编程操作的可靠性劣化。

技术实现思路

[0008]本公开的一个实施例可以提供存储器设备。该存储器设备可以包括：多个存储器单元，被配置为存储数据；电压生成器，被配置为在编程操作期间将编程电压施加到与多个存储器单元耦合的字线，在该编程操作中，多个存储器单元被编程到多个编程状态；单元速度确定器，被配置为依赖于在编程操作正被执行的同时施加到字线的编程电压的脉冲数量，来确定多个存储器单元的编程速度；以及编程管理器，被配置为依赖于由单元速度确定器确定的编程速度，改变针对剩余编程操作的条件。
[0009]本公开的一个实施例可以提供存储器设备。该存储器设备可以包括：多个存储器单元，被包括在被选择的页中；控制逻辑电路，被配置为在多个存储器单元正被编程到不同目标编程状态的同时，在从多个存储器单元之中选择的存储器单元被编程到不同目标编程状态之中的参考状态时的时间处，确定编程速度，并且控制逻辑电路被配置为基于确定的编程速度，改变针对编程操作的条件；以及电压生成器，被配置为输出编程电压，使得剩余编程操作在控制逻辑电路的控制下被执行。
附图说明
[0010]图1是图示了根据本公开的一个实施例的存储器系统的图。
[0011]图2是图示了根据本公开的一个实施例的存储器设备的图。
[0012]图3是图示了存储器单元阵列的图。
[0013]图4是图示了存储器块的图。
[0014]图5是图示了存储器单元的阈值电压分布的图。
[0015]图6是图示了依赖于编程速度的存储器单元的阈值电压的图。
[0016]图7是图示了依赖于存储器单元的编程速度的编程循环的图。
[0017]图8是图示了根据本公开的一个实施例的编程方法的流程图。
[0018]图9A和图9B是图示了各种编程操作的图。
[0019]图10是图示了根据本公开的一个实施例的控制逻辑电路的图。
[0020]图11A、图11B和图11C是图示了根据本公开的第一实施例的编程方法的图。
[0021]图12A、图12B和图12C是图示了根据本公开的第二实施例的编程方法的图。
[0022]图13A、图13B和图13C是图示了根据本公开的第三实施例的编程方法的图。
[0023]图14A、图14B和图14C是图示了根据本公开的第四实施例的编程方法的图。
[0024]图15A、图15B和图15C是图示了根据本公开的第五实施例的编程方法的图。
[0025]图16A、图16B和图16C是图示了根据本公开的第六实施例的编程方法的图。
[0026]图17和图18是图示了根据本公开的第七实施例的编程方法的图。
[0027]图19是图示了固态驱动器(SSD)系统的图，根据本公开的存储器设备被应用于该SSD系统。
[0028]图20是图示了存储器卡系统的图，根据本公开的存储器设备被应用于该存储器卡系统。
具体实施方式
[0029]本说明书或申请中介绍的本公开的实施例中的具体结构或功能描述被提供作为示例，以描述根据本公开的概念的实施例。根据本公开的概念的实施例可以以各种形式被实践，并且不应当被解释为限于说明书或申请中描述的实施例。
[0030]本公开的各种实施例涉及存储器设备，该存储器设备能够在存储器设备的编程操作期间，改进存储器单元的阈值电压分布或操作时间。
[0031]图1是图示了根据本公开的一个实施例的存储器系统的图。
[0032]参考图1，存储器系统1000可以响应于来自主机2000的请求来存储、擦除或输出数据。例如，存储器系统1000可以包括存储器设备1100和控制器1200，存储器设备1100可以存储数据，控制器1200可以在主机2000与存储器设备1100之间执行通信。虽然在图1中图示了包括一个存储器设备1100的存储器系统1000，但是存储器系统1000可以包括两个或更多个存储器设备。在本实施例中，存储器设备1100可以被实现为非易失性存储器设备。
[0033]控制器1200可以响应于从主机2000接收的请求而生成用于控制存储器设备1100的命令，并且可以映射地址。控制器1200可以管理由主机2000使用的逻辑地址和由存储器设备1100使用的物理地址。例如，在编程操作期间，控制器1200可以将由主机2000使用的逻辑地址和由存储器设备1100使用的物理地址彼此映射，并且可以将命令、所映射的物理地
址和数据输出到存储器设备1100。
[0034]存储器设备1100可以响应于从控制器1200输出的命令和物理地址来执行存储数据的编程操作。当用于编程的命令从控制器1200被接收时，根据本实施例的存储器设备1100可以通过依赖于存储器单元的速度独立地改变编程条件来执行编程操作。例如，存储器设备1100可以改变编程条件，使得当存储器单元的编程速度被确定为高于参考速度时，编程条件被控制为减小编程速度，并且使得当存储器单元的编程速度被确定为低于参考速度时，编程条件被控制为增加编程速度。当存储器单元的编程速度被确定为参考速度时，存储器设备1100可以保持编程条件，使得编程速度被维持。
[0035]图2是图示了根据本公开的一个实施例的存储器设备的图。
[0036]参考图2，存储器设备1100可以包括在其中存储数据的存储器单元阵列110，以及可以执行编程操作、读取操作或擦除本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括：多个存储器单元，被配置为存储数据；电压生成器，被配置为在编程操作期间将编程电压施加到与所述多个存储器单元耦合的字线，在所述编程操作中，所述多个存储器单元被编程到多个编程状态；单元速度确定器，被配置为依赖于在所述编程操作正被执行的同时施加到所述字线的所述编程电压的脉冲数量，来确定所述多个存储器单元的编程速度；以及编程管理器，被配置为依赖于由所述单元速度确定器确定的所述编程速度，改变针对剩余编程操作的条件。2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述电压生成器被配置为响应于从所述编程管理器输出的操作码而生成以下项中的至少一者：每个编程电压的电平、所述编程电压的有效时间、针对所述编程电压的阶跃电压的电平、针对所述编程电压的偏移以及验证电压。3.根据权利要求1所述的存储器设备，还包括：页缓冲器，被配置为在所述编程操作中执行的验证操作期间，依赖于与所述多个存储器单元耦合的多个位线的电压和电流之一来存储验证数据。4.根据权利要求3所述的存储器设备，还包括：感测电路，被配置为：当所述验证数据中包括的失败位数量大于可允许失败位数量时，输出失败信号；并且当所述失败位数量小于或等于所述可允许失败位数量时，输出通过信号。5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述单元速度确定器被配置为：将用于执行编程到从所述多个存储器单元的目标编程状态之中选择的参考状态的编程电压的脉冲计数与参考脉冲计数进行比较，以及作为所述比较的结果，输出确定结果。6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述单元速度确定器被配置为当所述脉冲计数等于所述参考脉冲计数时：将所述多个存储器单元的所述编程速度确定为正常，以及输出包括关于正常编程速度的信息的所述确定结果。7.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述单元速度确定器被配置为当所述脉冲计数小于所述参考脉冲计数时：将所述多个存储器单元的所述编程速度确定为快速，以及输出包括关于快速编程速度的信息的所述确定结果。8.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述单元速度确定器被配置为当所述脉冲计数大于所述参考脉冲计数时：将所述多个存储器单元的所述编程速度确定为慢速，以及输出包括关于慢速编程速度的信息的所述确定结果。9.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述编程管理器被配置为：生成操作码，使得依赖于由所述单元速度确定器确定的所述编程速度，来控制针对所述编程操作的所述条件中包括的以下项中的至少一者：每个编程电压的电平、所述编程电压的有效时间、针对所述编程电压的阶跃电压的电平以及针对所述编程电压的偏移中的至
少一个偏移，并且将所述操作码传输到所述电压生成器。10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中：每个编程电压被设置为用于增加从所述多个存储器单元之中选择的存储器单元的阈值电压的电压，所述编程电压的所述有效时间被设置为在其期间所述编程电压被施加到所述字线以增加被选择的所述存储器单元的所述阈值电压的时间，所述阶跃电压被设置为当所述编程电压增加时前一编程电压与下一编程电压之间的电压差，并且所述偏移被用于在所述剩余编程操作期间，减小或增加部分编程电压或所有编程电压的电平。11.根据权利要求9所述的存储器设备，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔赫峻，朴熙植，郑胜根，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：