【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本申请以日本专利申请2021
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092088(申请日2021年6月1日)为基础，享受该申请的优先权。本申请通过参照该申请，而包括该申请的全部内容。
[0002]本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置。
技术介绍
[0003]例如，就晶体管等半导体装置而言，期望稳定的特性。
技术实现思路
[0004]本专利技术的实施方式提供一种能够使特性稳定化的半导体装置。
[0005]用于解决问题的方案
[0006]根据本专利技术的实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第4电极、第5电极、半导体构件、第1绝缘构件、第1连接构件以及第2连接构件。从所述第1电极朝向所述第2电极的方向沿着第1方向。所述第3电极包括第1电极部分。所述第1电极部分的所述第1方向上的位置处于所述第1电极的所述第1方向上的位置与所述第2电极的所述第1方向上的位置之间。所述第5电极包括第1电极区域。所述半导体构件包括第1半导体区域和第2半导体区域。所述第1半导体区域含有Al
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N(0≤x1<1)。所述第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域、第3部分区域、第4部分区域、第5部分区域、第6部分区域以及第7部分区域。从所述第1部分区域朝向所述第1电极的方向、从所述第2部分区域朝向所述第2电极的方向以及从所述第3部分区域朝向所述第1电极部分的方向沿着与所述第1方向交叉的第2方向。所述第4部分区域的所述第1...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极，从所述第1电极朝向所述第2电极的方向沿着第1方向；第3电极，包括第1电极部分，所述第1电极部分的所述第1方向上的位置处于所述第1电极的所述第1方向上的位置与所述第2电极的所述第1方向上的位置之间；第4电极；第5电极，包括第1电极区域；半导体构件，包括第1半导体区域和第2半导体区域，所述第1半导体区域含有Al
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N，所述第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域、第3部分区域、第4部分区域、第5部分区域、第6部分区域以及第7部分区域，从所述第1部分区域朝向所述第1电极的方向、从所述第2部分区域朝向所述第2电极的方向以及从所述第3部分区域朝向所述第1电极部分的方向沿着与所述第1方向交叉的第2方向，所述第4部分区域的所述第1方向上的位置处于所述第1部分区域的所述第1方向上的位置与所述第3部分区域的所述第1方向上的位置之间，所述第5部分区域的所述第1方向上的位置处于所述第3部分区域的所述第1方向上的所述位置与所述第2部分区域的所述第1方向上的位置之间，从所述第2部分区域朝向所述第6部分区域的方向与所述第2方向交叉，从所述第6部分区域朝向所述第4电极的方向沿着所述第2方向，从所述第6部分区域朝向所述第7部分区域的方向沿着与所述第2方向交叉的第1交叉方向，其中0≤x1<1，所述第2半导体区域含有Al
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N，所述第2半导体区域包括第1半导体部分、第2半导体部分以及第3半导体部分，从所述第4部分区域朝向所述第1半导体部分的方向沿着所述第2方向，从所述第5部分区域朝向所述第2半导体部分的方向沿着所述第2方向，从所述第7部分区域朝向所述第3半导体部分的方向沿着所述第2方向，所述第3半导体部分与所述第1电极区域的至少一部分相接，其中0<x2<1，x1<x2；第1绝缘构件，包括第1绝缘区域，所述第1绝缘区域在所述第2方向上处于所述第3部分区域与所述第1电极部分之间，所述第1绝缘区域的至少一部分在所述第1方向上处于所述第4部分区域与所述第5部分区域之间；第1连接构件，将所述第5电极与所述第1电极电连接；以及第2连接构件，将所述第4电极与所述第3电极电连接。2.一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极，从所述第1电极朝向所述第2电极的方向沿着第1方向；第3电极，包括第1电极部分，所述第1电极部分的所述第1方向上的位置处于所述第1电极的所述第1方向上的位置与所述第2电极的所述第1方向上的位置之间；第4电极；第5电极，包括第1电极区域；半导体构件，包括第1半导体区域和第2半导体区域，所述第1半导体区域含有Al
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N，所述第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域、第3部分区域、第4部分区域、第5部分区域、第6部分区域以及第7部分区域，从所述第1部分区域朝向所述第1电极的方向、从所述第2部分区域朝向所述第2电极的方向以及从所述
第3部分区域朝向所述第1电极部分的方向沿着与所述第1方向交叉的第2方向，所述第4部分区域的所述第1方向上的位置处于所述第1部分区域的所述第1方向上的位置与所述第3部分区域的所述第1方...
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