存储器控制逻辑及存储器地址重新导向方法技术

一种存储器控制逻辑及存储器地址重新导向方法，该存储器控制逻辑包括：一一次性可编程存储器阵列；一阵列控制电路，用以将存储器单元阵列的存储器容量类型、在存储器单元阵列中的各区域相应的区域失效旗标及各区域相应的重新导向映射表分别编程至该一次性可编程存储器阵列中的第一阵列、第二阵列及第三阵列；以及一地址重新导向电路，用以依据该一次性可编程存储器阵列中的各区域相应的重新导向映射表以将地址信号转换为第一重新导向地址信号以输入至存储器单元阵列。址信号以输入至存储器单元阵列。址信号以输入至存储器单元阵列。

【技术实现步骤摘要】
存储器控制逻辑及存储器地址重新导向方法


[0001]本专利技术有关于存储器电路，特别是有关于一种存储器控制逻辑及存储器地址重新导向方法。

技术介绍

[0002]随着电子产品及相关应用不断的开发，存储器与系统芯片的整合再加上2D/2.5D/3D封装技术的突破，存储器产业在存储器设计与组合上能够更加的灵活与保有弹性。此外，因为存储器的容量不断的扩展再加上半导体工艺不断的微缩，若无相关技术(备份器件、错误校正码等等)的搭配，实难让芯片的成品率有更大的突破。若只因为些微的缺陷就让整颗存储器芯片必须报废无法使用，造成直接的成本浪费与间接的环保伤害，亦非产业所乐见。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供一种存储器控制逻辑及存储器地址重新导向方法以解决上述问题。
[0004]本专利技术提供一种存储器控制逻辑，设置于一存储器电路。该存储器电路包括一存储器单元阵列，且该存储器单元阵列分割为多个区域，且所述多个区域中包含至少一损坏区域，该存储器电路接收一地址信号。该存储器控制逻辑包括：一一次性可编程存储器阵列；一阵列控制电路，用以将该存储器单元阵列的存储器容量类型、在该存储器单元阵列中的各区域相应的区域失效旗标及各区域相应的重新导向映射表编程至该一次性可编程存储器阵列中的第一阵列、第二阵列及第三阵列；其中该阵列控制电路更依据该存储器容量类型以对该一次性可编程存储器阵列中的各区域相应的该重新导向映射表执行一编程操作以将各损坏区域相应的该重新导向映射表导向至所述多个区域中的不重复的良好区域；以及一地址重新导向电路，用以依据该一次性可编程存储器阵列中的各区域相应的重新导向映射表以将该地址信号转换为第一重新导向地址信号以输入至该存储器单元阵列。
[0005]在一些实施例中，该第一阵列为二位阵列[S1,S0]，且当该二位阵列[S1,S0]为0b00、0b01、0b10及0b11时，该二位阵列[S1,S0]分别对应于100％、50％、25％及12.5％的该存储器容量类型。
[0006]在一些实施例中，所述多个区域中的一或多个良好区域具有第一数量，且当该一或多个良好区域的数量占该第一数量的比例R介于75％至100％、50％至75％、25％至50％、及12.5％至25％时，该阵列控制电路将该第一阵列的该二位阵列[S1,S0]分别编程为0b00、0b01、0b10及0b11。
[0007]在一些实施例中，该存储器电路更包括一行解码器以对该地址信号解码以得到一行地址信号，且该地址重新导向电路依据该一次性可编程存储器阵列中的各区域相应的重新导向映射表以将该行地址信号转换为该重新导向地址信号以输入至该存储器单元阵列。
[0008]在一些实施例中，当该存储器容量类型为50％时，该阵列控制电路依序搜寻在该存储器单元阵列的第一半区域中的该损坏区域。当该阵列控制电路已搜寻到该第一半区域
中的该损坏区域，该阵列控制电路依序搜寻在该存储器单元阵列的第二半区域中的良好区域。当该阵列控制电路已搜寻到在该第二半区域中的该良好区域且尚未找到最近良好区域，该阵列控制电路将该损坏区域相应的该重新导向映射表编程为该良好区域对应的区域索引，并将该良好区域对应的该区域失效旗标设定为1。该阵列控制电路更将该第二半区域中的各区域相应的该重新导向映射表编程为在该第一半区域中的对应位置的该区域索引。
[0009]在一些实施例中，当该存储器容量类型为25％时，该阵列控制电路依序搜寻在该存储器单元阵列的第一四分区域中的该损坏区域。当该阵列控制电路已搜寻到该第一四分区域中的该损坏区域，该阵列控制电路依序搜寻在该存储器单元阵列的剩余区域中的良好区域。当该阵列控制电路已搜寻到在该剩余区域中的该良好区域且尚未找到最近良好区域，该阵列控制电路将该损坏区域相应的该重新导向映射表编程为该良好区域对应的区域索引，并将该良好区域对应的该区域失效旗标设定为1。该阵列控制电路更将该在该存储器单元阵列的第二四分区域、第三四分区域及第四四分区域的各区域相应的该重新导向映射表编程为在该第一四分区域中的对应位置的该区域索引。
[0010]在一些实施例中，当该存储器电路在使用期间中有一良好区域变成新损坏区域，该阵列控制电路在该存储器单元阵列的第二半区域搜寻出另一良好区域，并将该新损坏区域对应的该重新导向映射表进行编程以导向至该另一良好区域相应的区域索引。
[0011]在一些实施例中，该地址重新导向电路包括一逻辑电路，用以依据该存储器容量类型将该第一重新导向地址信号转换为一第二重新导向地址信号以输入至该存储器单元阵列。
[0012]在一些实施例中，当该二位阵列[S1,S0]为0b00，该逻辑电路将该第二重新导向地址信号的最高位设定为该第一重新导向地址信号的最高位。当该二位阵列[S1,S0]不为0b00，该逻辑电路将该第二重新导向地址信号的该最高位设定为0。当位S1＝1，该逻辑电路将该第二重新导向地址信号的第二最高位设定为0。当位S1＝0，该逻辑电路将该第二重新导向地址信号的该第二最高位设定为该第一重新导向地址信号的第二最高位。当该二位阵列[S1,S0]为0b11，该逻辑电路将该第二重新导向地址信号的第三最高位设定为0。当该二位阵列[S1,S0]不为0b11，该逻辑电路将该第二重新导向地址信号的第三最高位设定为该第一重新导向地址信号的第三最高位。
[0013]在一些实施例中，该存储器单元阵列更包括一或多个备用区域，且该存储器控制逻辑更利用该一或多个备用区域以替代该至少一损坏区域。
[0014]本专利技术更提供一种存储器地址重新导向方法，用于一存储器电路，该存储器电路包括一存储器控制逻辑及一存储器单元阵列，且该存储器单元阵列分割为多个区域，且所述多个区域中包含至少一损坏区域，其中该存储器控制逻辑包括一一次性可编程存储器阵列，且该存储器电路接收一地址信号。该方法包括：将该存储器单元阵列的存储器容量类型、在该存储器单元阵列中的各区域相应的区域失效旗标及各区域相应的重新导向映射表编程至该一次性可编程存储器阵列中的第一阵列、第二阵列及第三阵列；依据该存储器容量类型以对该一次性可编程存储器阵列中的各区域相应的该重新导向映射表执行一编程操作以将各损坏区域相应的该重新导向映射表导向至所述多个区域中的不重复的良好区域；以及依据该一次性可编程存储器阵列中的各区域相应的重新导向映射表以将该地址信号转换为第一重新导向地址信号以输入至该存储器单元阵列。
[0015]当存储器电路中的存储器单元阵列有损坏时，经由对一次性可编程存储器阵列进行适当的编程可使地址信号被重新导向至良好区域，故本专利技术的存储器控制逻辑及存储器地址重新导向方法可有效利用存储器容量以提高存储器芯片的成品率。
附图说明
[0016]图1为依据本专利技术一实施例中的存储器电路的方块图。
[0017]图2A～图2C为依据本专利技术的三种不同实施例的地址重新映射操作的示意图。
[0018]图3～图4为依据本专利技术的两种不同实施例的存储器电路的方块图。
[0019]图5A～图5B为依据本专利技术另本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器控制逻辑，其特征在于，设置于一存储器电路，该存储器电路包括一存储器单元阵列，且该存储器单元阵列分割为多个区域，且所述多个区域中包含至少一损坏区域，该存储器电路接收一地址信号，该存储器控制逻辑包括：一一次性可编程存储器阵列；一阵列控制电路，用以将该存储器单元阵列的存储器容量类型、在该存储器单元阵列中的各区域相应的区域失效旗标及各区域相应的重新导向映射表编程至该一次性可编程存储器阵列中的第一阵列、第二阵列及第三阵列；其中该阵列控制电路更依据该存储器容量类型以对该一次性可编程存储器阵列中的各区域相应的该重新导向映射表执行一编程操作以将各损坏区域相应的该重新导向映射表导向至所述多个区域中的不重复的良好区域；以及一地址重新导向电路，用以依据该一次性可编程存储器阵列中的各区域相应的该重新导向映射表以将该地址信号转换为第一重新导向地址信号以输入至该存储器单元阵列。2.如权利要求1所述的存储器控制逻辑，其特征在于，该第一阵列为二位阵列[S1,S0]，且当该二位阵列[S1,S0]为0b00、0b01、0b10及0b11时，该二位阵列[S1,S0]分别对应于100％、50％、25％及12.5％的该存储器容量类型，其中所述多个区域中的一或多个良好区域具有第一数量，且当该一或多个良好区域的数量占该第一数量的比例R介于75％至100％、50％至75％、25％至50％、及12.5％至25％时，该阵列控制电路将该第一阵列的该二位阵列[S1,S0]分别编程为0b00、0b01、0b10及0b11。3.如权利要求2所述的存储器控制逻辑，其特征在于，该存储器电路更包括一行解码器以对该地址信号解码以得到一行地址信号，且该地址重新导向电路依据该一次性可编程存储器阵列中的各区域相应的重新导向映射表以将该行地址信号转换为该重新导向地址信号以输入至该存储器单元阵列。4.如权利要求2所述的存储器控制逻辑，其特征在于，当该存储器容量类型为50％时，该阵列控制电路依序搜寻在该存储器单元阵列的第一半区域中的该损坏区域，其中当该阵列控制电路已搜寻到该第一半区域中的该损坏区域，该阵列控制电路依序搜寻在该存储器单元阵列的第二半区域中的良好区域，其中当该阵列控制电路已搜寻到在该第二半区域中的该良好区域且尚未找到最近良好区域，该阵列控制电路将该损坏区域相应的该重新导向映射表编程为该良好区域对应的区域索引，并将该良好区域对应的该区域失效旗标设定为1，其中该阵列控制电路更将该第二半区域中的各区域相应的该重新导向映射表编程为在该第一半区域中的对应位置的该区域索引。5.如权利要求2所述的存储器控制逻辑，其特征在于，当该存储器容量类型为25％时，该阵列控制电路依序搜寻在该存储器单元阵列的第一四分区域中的该损坏区域，其中当该阵列控制电路已搜寻到该第一四分区域中的该损坏区域，该阵列控制电路依序搜寻在该存储器单元阵列的剩余区域中的良好...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖志强，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：