一种电机正反转保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种电机正反转保护电路，包括：第一信号输入单元、H桥、第二信号输入单元、电流保护单元和电压保护单元；通过外部信号源向第一信号输入单元和第二信号输入单元发出正转信号时，通过第一信号输入单元和第二信号输入单元将接收到的正转信号或反转信号发送给H桥，H桥根据正转信号或反转信号进行正转或反转，当电机停止转动时通过电流保护单元防止电流过大，实现对H桥的的过电流保护，当电机产生过电压时，通过电压保护单元防止H桥的电压过高，实现对H桥的过压保护，解决了现有技术中存在的电机出现过电流或过电压时，将会使电机或MOS管损坏的问题。使电机或MOS管损坏的问题。使电机或MOS管损坏的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种电机正反转保护电路


[0001]本技术涉及电机控制
，尤其涉及一种电机正反转保护电路。

技术介绍

[0002]现有技术中，需要控制电机的正反转以驱动相应的负载进行正反转换工作。中国专利文献号为CN205336166U，申请日为2016.06.22，专利名称为：一种能给予MOS管的新型直流电机驱动控制电路，采用的技术方案为“有4个MOSFET组成的两通道推挽式功率放大电路,通过控制4个MOSFET,即MOSFET1、MOSFET2、MOSFET3、MOSFET4的导通与截止，来控制电机的正转、反转和停止：当MOSFET1和MOSFET4导通，MOSFET2和MOSFET3截止时，电机正转；当MOSFET1和MOSFET4截止，MOSFET2和MOSFET3导通时，电机反转；当MOSFET3和MOSFET4都截止时，电机停止；所述MOSFET1和MOSFET2是P沟道；MOSFET3和MOSFET4是N沟道；N型和P型MOS管组成H桥驱动电路。”[0003]上述方案中，电机出现过电流或过电压时，将会使电机或MOS管损坏。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中所存在的不足，本技术提供了一种电机正反转保护电路，其解决了现有技术中存在的电机出现过电流或过电压时，将会使电机或MOS管损坏的问题。
[0005]一种电机正反转保护电路，所述电路包括：第一信号输入单元、H桥、第二信号输入单元、电流保护单元和电压保护单元；所述第一信号输入单元的输入端和所述第二信号输入单元的输入端分别与外部信号源相连，用于接收所述外部信号源发出的正转信号或反转信号；所述H桥的输入端分别与所述第一信号输入单元的输出端和所述第二信号的输出端相连，所述H桥的第一输出端与电机的第一端相连，所述H桥的第二输出端与所述电机的第二端相连，用于根据接收到的正转信号进行正转，还用于根据接收到的反转信号进行反转；所述电流保护单元的第一端与所述H桥的第一输出端相连，所述电流保护单元的第二端与所述H桥的第二输出端相连，用于当所述电机停止转动时防止产生的电流过大；所述电压保护单元的第一端与所述H桥的第一输出端相连，所述电压保护单元的第二端与所述H桥的第二输出端相连，用于防止所述H桥的电压过高。
[0006]可选地，所述第一信号输入单元包括：第一电阻、第一MOS管、第二电阻、第二MOS管；所述第一电阻的第一端分别与所述外部信号源和所述第二信号输入单元相连，所述第一电阻的第二端接地；所述第一MOS管的栅极与所述第二信号输入单元相连，所述第一MOS管的漏极与所述外部信号源相连，所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的栅极相连；所述第二MOS管的漏极与所述H桥的输入端相连，所述第二MOS管的源极接地；所述第二电阻的两端分别与所述第二MOS管的栅极和源极相连。
[0007]可选地，所述第二信号输入单元保护：第三电阻、第三MOS管、第四MOS管和第四电阻；所述第三电阻的第一端分别与所述外部信号源和所述第一信号输入单元相连，所述第三电阻的第二端接地；所述第三MOS管的栅极与所述第一信号输入单元相连，所述第三MOS
管的漏极与所述外部信号源相连，所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的栅极相连；所述第四MOS管的漏极与所述H桥的输入端相连，所述第四MOS管的源极接地；所述第四电阻的两端分别与所述第四MOS管的栅极和源极相连。
[0008]可选地，所述H桥单元包括：第五电阻、第六电阻、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管；所述第五MOS管的栅极与所述第一信号输入单元的输入端相连，所述第五MOS管的漏极与第一电源端相连，所述第五MOS管的源极分别与所述电机的第一端和所述第六MOS管的漏极相连；所述第五电阻的两端分别与所述栅极和漏极相连；所述第六MOS管的栅极与所述第二信号输入单元相连，所述第六MOS管的源极接地；所述第七MOS管的栅极与所述第二信号单元的输入端相连，所述第七MOS管的漏极与第一电源端相连，所述第七MOS管的源极与所述第八MOS管的漏极相连；所述第六电阻的两端分别与所述第七MOS管的栅极与所述源极相连；所述第八MOS管的栅极与所述第一信号输入单元相连，所述第八MOS管的源极接地。
[0009]可选地，所述电流保护单元包括：第七电阻、第一二极管和第二二极管；所述第七电阻的第一端与所述电机的第一端相连，所述第七电阻的第二端分别与所述第一二极管的正极和所述第二二极管的负极相连；所述第一二极管的负极与所述电机的第二端相连，所述第一二极管的正极与所述电机的第二端相连。
[0010]可选地，所述电压保护单元为双向稳压管；所述双向稳压管的两端分别与所述电机的第一端和第二端相连。
[0011]可选地，所述电路还包括：电机转速控制单元，所述电机转速控制单元与所述电机相连，用于控制电机的转速；所述电机转速控制单元包括：第八电阻、可变电阻、第十电阻、第九MOS管、第十一电阻和第三二极管；所述第八电阻的第一端与第一电源端相连，所述第八电阻的第二端与可变电阻的第一端相连；所述可变电阻的第二端接地，所述可变电阻的控制端与所述可变电阻的第一端相连，所述可变电阻的控制端还与所述第八MOS管的栅极相连；所述第九MOS管的漏极与所述第一二极管的正极相连，所述第九MOS管的源极通过第十一电阻接地；所述第十电阻的两端分别与所述第九MOS管的栅极和源极相连；所述第三二极管的负极与所述第一电源端相连；所述电机的第一端与所述第一电源端相连，所述电机的第二端与所述第九MOS管的漏极相连。
[0012]可选地，所述电路还包括：供电单元，所述供电单元与所述H桥相连，用于对所述H桥提供工作电能；所述供电单元包括：保险丝、第十二电阻、稳压源、第一电容、第十三电阻、第十四电阻、运算放大器、第十五电阻、第十六电阻、第十MOS管和第十一MOS管；所述保险丝的第一端与外部电源的正极相连，所述保险丝的第二端与所述第十MOS管的漏极相连；所述第十二电阻的第一端与所述保险丝的第二端相连，所述第十二电阻的第二端与所述稳压源的第一端相连；所述稳压源的第二端与外部电源的负极相连，所述稳压源的第三端与所述稳压源的第一端相连；所述第一电容的两端与所述稳压源的第一端和第二端相连；所述第十三电阻的第一端与所述保险丝的第二端相连，所述第十三电阻的第二端与所述第十四电阻的第一端相连；所述第十四电阻的第二端接地；所述运算放大器的同相输入端与所述稳压源的第一端相连，所述运算放大器的反相输入端与所述稳压源的反相输入端相连，所述运算放大器的电源端分别与所述外部电源的正极和负极相连；所述第十MOS管的栅极与所述第十一MOS管的漏极相连，所述第十MOS管的源极与所述H桥相连；所述第十五电阻的两端
分别与所述第十MOS管的漏极和栅极相连；所述第十一MOS管的栅极通过所述十六电阻与所述运算放大器的输出端相连，所述第十一MOS管的源极接地。
[0013]可选地，所述供电单元还包括：第十七电阻和发光二极管；所述第十七电阻的第一端与所述第十MOS管的源极相连，所述第十七电阻的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电机正反转保护电路，其特征在于，所述电路包括：第一信号输入单元、H桥、第二信号输入单元、电流保护单元和电压保护单元；所述第一信号输入单元的输入端和所述第二信号输入单元的输入端分别与外部信号源相连，用于接收所述外部信号源发出的正转信号或反转信号；所述H桥的输入端分别与所述第一信号输入单元的输出端和所述第二信号的输出端相连，所述H桥的第一输出端与电机的第一端相连，所述H桥的第二输出端与所述电机的第二端相连，用于根据接收到的正转信号进行正转，还用于根据接收到的反转信号进行反转；所述电流保护单元的第一端与所述H桥的第一输出端相连，所述电流保护单元的第二端与所述H桥的第二输出端相连，用于当所述电机停止转动时防止产生的电流过大；所述电压保护单元的第一端与所述H桥的第一输出端相连，所述电压保护单元的第二端与所述H桥的第二输出端相连，用于防止所述H桥的电压过高。2.如权利要求1所述的一种电机正反转保护电路，其特征在于，所述第一信号输入单元包括：第一电阻、第一MOS管、第二电阻、第二MOS管；所述第一电阻的第一端分别与所述外部信号源和所述第二信号输入单元相连，所述第一电阻的第二端接地；所述第一MOS管的栅极与所述第二信号输入单元相连，所述第一MOS管的漏极与所述外部信号源相连，所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的栅极相连；所述第二MOS管的漏极与所述H桥的输入端相连，所述第二MOS管的源极接地；所述第二电阻的两端分别与所述第二MOS管的栅极和源极相连。3.如权利要求1所述的一种电机正反转保护电路，其特征在于，所述第二信号输入单元保护：第三电阻、第三MOS管、第四MOS管和第四电阻；所述第三电阻的第一端分别与所述外部信号源和所述第一信号输入单元相连，所述第三电阻的第二端接地；所述第三MOS管的栅极与所述第一信号输入单元相连，所述第三MOS管的漏极与所述外部信号源相连，所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的栅极相连；所述第四MOS管的漏极与所述H桥的输入端相连，所述第四MOS管的源极接地；所述第四电阻的两端分别与所述第四MOS管的栅极和源极相连。4.如权利要求1所述的一种电机正反转保护电路，其特征在于，所述H桥单元包括：第五电阻、第六电阻、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管；所述第五MOS管的栅极与所述第一信号输入单元的输入端相连，所述第五MOS管的漏极与第一电源端相连，所述第五MOS管的源极分别与所述电机的第一端和所述第六MOS管的漏极相连；所述第五电阻的两端分别与所述栅极和漏极相连；所述第六MOS管的栅极与所述第二信号输入单元相连，所述第六MOS管的源极接地；所述第七MOS管的栅极与所述第二信号单元的输入端相连，所述第七MOS管的漏极与第一电源端相连，所述第七MOS管的源极与所述第八MOS管的漏极相连；所述第六电阻的两端分别与所述第七MOS管的栅极与所述源极相连；所述第八MOS管的栅极与所述第一信号输入单元相连，所述第八MOS管的源极接地。5.如权利要求4所述的一种电机正反转保护电路，其特征在于，所述电流保护单元包
括：第七电阻、第一二极管和第二二极管；所述第七电阻的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：段继幼，孙强，李明科，冯浩，
申请(专利权)人：重庆航天职业技术学院，
类型：新型
国别省市：