一种单晶硅冷却桶的加工工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种单晶硅冷却桶的加工工艺，属于单晶硅生产技术领域，包括以下步骤:S1、消磁；S2、喷砂；S3、抛光；S4、清洗；S5、装夹；S6、DLC涂层。S1中，使用消磁机，将产品剩余磁性降低到4高斯以下。S2中，产品功能面喷砂雾化处理，400钼白刚玉。S3中，将冷却桶放入抛光车间进行处理，对雾化后的产品表面粗糙度进行抛光，粗糙度Ra0.2um

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅冷却桶的加工工艺


[0001]本专利技术属于单晶硅生产
，尤其涉及一种单晶硅冷却桶的加工工艺。

技术介绍

[0002]单晶硅作为一种比较活泼的非金属元素晶体，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿，单晶硅材料制造要经过如下过程：石英砂
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冶金级硅
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提纯和精炼
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沉积多晶硅锭
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单晶硅
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硅片切割。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。
[0003]在单晶硅的生产过程中，半导体生产的圆柱形单晶硅一般温度较高，需要冷却后才可使用，目前使用较多的为各种冷却装置大结构工艺复杂，制造成本较高，导致单晶硅的冷却成本不够理想。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是为了解决现有技术中，单晶硅一般温度较高，需要冷却后才可使用，目前使用较多的为各种冷却装置大结构工艺复杂，制造成本较高，导致单晶硅的冷却成本不够理想的问题，而提出的一种单晶硅冷却桶的加工工艺。
[0005]为了实现上述目的，本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅冷却桶的加工工艺，其特征在于,包括以下步骤:S1、消磁；S2、喷砂；S3、抛光；S4、清洗；S5、装夹；S6、DLC涂层。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅冷却桶的加工工艺，其特征在于，S1中，使用消磁机，将产品剩余磁性降低到4高斯以下。3.根据权利要求1所述的一种单晶硅冷却桶的加工工艺，其特征在于，S2中，产品功能面喷砂雾化处理，400钼白刚玉。4.根据权利要求1所述的一种单晶硅冷却桶的加工工艺，其特征在于，S3中，将冷却桶放入抛光车间进行处理，对雾化后的产品表面粗糙度进行抛光，粗糙度Ra0.2um
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Ra0.3um。5.根据权利要求1所述的一种单晶硅冷却桶的加工工艺，其特征在于，S4中，将冷却桶吊如清洗车间，采用一体式碳氢清洗设备，清洗产品表面，并且在清洗后对产品表面进行检验，粘附有杂质位置进行针对性清理。6.根据权利要求5所述的一种单晶硅冷却桶的加工工艺，其特征在于，碳氢清洗设备包括使用碳氢清洗剂活性成分进行清洗，碳氢清洗剂活性成分主要是含碳酸碱类物质,洗涤时放出大量气泡是为二氧化碳，碳氢清洗剂活性成分结构式为CnH2n+2的饱和链烃，SP值：δ＝(
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E/V)
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【专利技术属性】
技术研发人员：雷霈，张久爱，俞国军，
申请(专利权)人：科廷表面科技浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：