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本发明公开了一种单晶硅冷却桶的加工工艺，属于单晶硅生产技术领域，包括以下步骤:S1、消磁；S2、喷砂；S3、抛光；S4、清洗；S5、装夹；S6、DLC涂层。S1中，使用消磁机，将产品剩余磁性降低到4高斯以下。S2中，产品功能面喷砂雾化处理，...
该专利属于科廷表面科技（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过科廷表面科技（浙江）有限公司授权不得商用。

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