固态成像装置及其生产方法以及成像设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种固态成像装置及其生产方法以及成像设备。在该固态成像装置中，形成在半导体基板上的第一表面侧上的像素电路由多个光接收区域共享。半导体基板的第二表面侧作为光接收区域的光入射侧。形成在半导体基板的第二表面侧部分中的光接收区域的第二表面侧区域以近似均匀的间隔布置，而形成在半导体基板的第一表面侧部分中的光接收区域的第一表面侧区域以不均匀的间隔布置，并且在半导体基板中第二表面侧区域与第一表面侧区域相应连接，使得光接收区域从半导体基板的第二表面侧延伸到第一表面侧。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及例如带有CMOS传感器的固态成像装置及其生产方法以及 成像设备。
技术介绍
近来，为了在例如移动电话等的移动设备上安装照相功能的目的，提高 了使固态成像装置紧凑的要求。在固态成像装置例如CMOS成像传感器等中，通常采用这样的结构， 其中光电二极管(PD)以固定的间隔布置，例如，以方格形形式，以采样入 射光。因此，出现了这样的问题，随着如上所述的固态成像装置的体积减小以 及单元像素由于增加像素数量而且小型化，PD的面积减少，且固态成像装 置的特性降低，例如饱和信号量、灵敏度降低。过去，为了防止固态成像装置的这种特性上的降低，采取了这样的方法， 其中通过减小单元像素中的晶体管的面积来抑制PD面积上的减少。然而， 通过减少晶体管的面积保持PD的面积的方法来保持固态成像装置的特性的 做法是有限制的。曰本未审查专利申请公开No. 63-100879和No. 2004-128193描述了 CMOS成像传感器，其中除PD和电荷转移晶体管之外的像素电路由相邻单 元像素共享(例如，见jPNo. 63-100879的第4页、图4和JPNo. 2004-128193 的-段和图2)。在上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固态成像装置，包括：半导体基板，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；多个光接收区域，形成在所述半导体基板上，分别具有形成在所述半导体基板的第一表面侧部分中的第一表面侧区域和形成在所述半导体基板的第二表面侧部分中的第二表面侧区域；以及像素电路，形成在所述半导体基板的所述第一表面侧上，并且由所述多个光接收区域共享，其中所述半导体基板的所述第二表面侧与形成有所述像素电路的所述第一表面侧相对，所述第二表面侧作为所述光接收区域的光入射侧，并且其中形成在所述半导体基板的所述第二表面侧部分中的所述光接收区域的所述第二表面侧区域以近似均匀的间隔布置，而形成在所述半导体基板的所述第一表面侧部分中的所...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：马渕圭司，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]