半导体密封用树脂成形材的制造方法、半导体封装的制造方法及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够进一步减少导电性异物的含量的半导体密封用树脂成形材的制造方法、半导体封装的制造方法及半导体装置的制造方法。半导体密封用树脂成形材的制造方法是喷雾含有热硬化性树脂、填料及溶媒的混合物并进行干燥。行干燥。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体密封用树脂成形材的制造方法、半导体封装的制造方法及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体密封用树脂成形材的制造方法、半导体封装的制造方法及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]半导体封装是半导体元件被热硬化性树脂密封而用以保护半导体元件免受外部冲击等的装置，与电路基板、例如电子设备的主板电性连接而使用。近年来，与电子设备相关的技术开发的趋势是零件尺寸的狭小化。伴随于此，在半导体封装的领域中，小型封装的需求也急剧增加，而要求尺寸虽然小型但可配置多个连接端子的半导体封装。
[0003]如此，小型化及高性能化发展，伴随于此，半导体封装内部的金属线的间距也变窄，最新的情况是，也存在金属线的间距不足100μm的情况。
[0004]包含热硬化性树脂的半导体密封用树脂成形材一般而言经过原料的熔融混炼及粉碎的各工序来制造成粒子状物，因此会从原料及混炼机、粉碎机等制造装置混入导电性异物。所获得的半导体密封用树脂成形材以粒子状直接使用，或者在利用压片机进行片化后，用于半导体元件的密封。
[0005]导电性异物有混入原材料中的金属、自制造设备中产生的金属、原材料中使用的碳的凝聚物、被称为碳格栅的粗大粒子等。在使用混入了导电性异物的半导体密封用树脂成形材来密封半导体元件时，导电性异物会夹在窄间距的金属线之间等，有引起短路之虞。
[0006]针对减少导电性异物的混入的课题，例如提出了一种使用磁选机进行导电性异物的去除而获得片的方法(例如，参照专利文献1)。进而，提出了如下方法：使原料溶解在溶媒中，在粘度低的状态下利用磁选机去除导电性异物，然后制成薄膜状并进行干燥、粉碎，从而获得粒子状物(例如，参照专利文献2)。根据专利文献2的方法，由于在粘度低的状态下进行混炼及磁选，因此可抑制金属的混入。现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本专利特开2006
‑
294677号公报
[0009]专利文献2：日本专利特开2011
‑
252041号公报

技术实现思路

[0010]专利技术所要解决的问题
[0011]然而，在使用磁选机的去除方法中，虽然能够去除尺寸大的导电性金属异物及强磁性的导电性金属异物，但无法充分地进行微细的(例如直径约100μm以下)导电性金属异物、弱磁性的导电性金属异物及碳的粗大粒子的去除。
[0012]本专利技术的课题在于提供一种能够进一步减少导电性异物的含量的半导体密封用树脂成形材的制造方法、半导体封装的制造方法及半导体装置的制造方法。
[0013]解决问题的技术手段
[0014]用于解决所述课题的具体手段如以下所述。
[0015]＜1＞一种半导体密封用树脂成形材的制造方法，其中喷雾含有热硬化性树脂、填料及溶媒的混合物并进行干燥。
[0016]＜2＞根据＜1＞所述的半导体密封用树脂成形材的制造方法，其中所述混合物中的溶媒的含有率为10质量％～90质量％。
[0017]＜3＞根据＜1＞或＜2＞所述的半导体密封用树脂成形材的制造方法，其中所述混合物在25℃下的粘度为0.001Pa
·
s～50Pa
·
s。
[0018]＜4＞根据＜1＞～＜3＞中任一项所述的半导体密封用树脂成形材的制造方法，其中对所述混合物进行加温并喷雾。
[0019]＜5＞根据＜1＞～＜4＞中任一项所述的半导体密封用树脂成形材的制造方法，其中所述半导体密封用树脂成形材的体积平均粒子径为100μm～3mm。
[0020]＜6＞根据＜1＞～＜5＞中任一项所述的半导体密封用树脂成形材的制造方法，其中在喷雾所述混合物之前，利用选自由磁选机及过滤器所组成的群组中的至少一种来去除异物。
[0021]＜7＞根据＜1＞～＜6＞中任一项所述的半导体密封用树脂成形材的制造方法，其中所述混合物还包含选自由硬化剂、硬化促进剂、脱模剂及着色剂所组成的群组中的至少一种。
[0022]＜8＞一种半导体封装的制造方法，使用通过根据＜1＞～＜6＞中任一项所述的制造方法而获得的半导体密封用树脂成形材来密封半导体元件。
[0023]＜9＞一种半导体装置的制造方法，使用通过根据＜8＞所述的制造方法而获得的半导体封装。
[0024]专利技术的效果
[0025]根据本专利技术，可提供一种能够进一步减少导电性异物的含量的半导体密封用树脂成形材的制造方法、半导体封装的制造方法及半导体装置的制造方法。
具体实施方式
[0026]在本公开中，“工序”的用语中，除与其他工序独立的工序以外，即便在无法与其他工序明确区别的情况下，只要达成所述工序的目的，则也包含所述工序。
[0027]在本公开中，在使用“～”所表示的数值范围中包含“～”的前后所记载的数值分别作为最小值及最大值。
[0028]在本公开中阶段性记载的数值范围中，一个数值范围中所记载的上限值或下限值也可置换为其他阶段性记载的数值范围的上限值或下限值。另外，在本公开中所记载的数值范围中，所述数值范围的上限值或下限值也可置换为实施例中所示的值。
[0029]在本公开中，各成分可包含多种相符的物质。当在组合物中存在多种相当于各成分的物质的情况下，只要无特别说明，则各成分的含有率或含量是指组合物中所存在的所述多种物质的合计的含有率或含量。
[0030]在本公开中，相当于各成分的粒子可包含多种。当在组合物中存在多种相当于各成分的粒子的情况下，只要无特别说明，则各成分的粒子径是指与组合物中所存在的所述多种粒子的混合物相关的值。
[0031]在本公开中，所谓固体及液状，是指25℃下的性状。
[0032]＜半导体密封用树脂成形材的制造方法＞
[0033]在本公开的半导体密封用树脂成形材的制造方法中，喷雾含有热硬化性树脂、填料及溶媒的混合物(以下也称为“喷雾工序”)并进行干燥(以下也称为“干燥工序”)。本公开的半导体密封用树脂成形材的制造方法也可包括混合物的制备工序等其他工序。
[0034]根据本公开的方法，与现有的方法相比，能够进一步减少导电性异物的含量。特别是，能够有效地去除源自制造半导体密封用树脂成形材时使用的制造装置的45μm以上的导电性异物，能够减少窄间距的半导体装置的短路不良。
[0035]在现有的半导体密封用树脂成形材的制造方法中，有时将原料的混合物利用三辊等熔融混炼，进而使用双轴的加热挤出机，因此混合物以高粘度的状态持续与辊等金属构件接触。因此，混合物中容易从辊等金属构件混入导电性异物。另外，由于混合物为高粘度，因此一旦混入了导电性异物就难以从混合物中脱落。混炼后的混合物在冷却后，利用粉碎机粉碎，制造出粒子状的半导体密封用树脂成形材。冷却后的硬混合物与粉碎机的刀刃摩擦，以磨损纷的形式混入导电性异物。
[0036]进而，在现有的方法中，由于每个制造工序都会混入导电性异物，因此每个工序后都会去除导电性异物。例如，对于制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体密封用树脂成形材的制造方法，其中喷雾含有热硬化性树脂、填料及溶媒的混合物并进行干燥。2.根据权利要求1所述的半导体密封用树脂成形材的制造方法，其中所述混合物中的溶媒的含有率为10质量％～90质量％。3.根据权利要求1或2所述的半导体密封用树脂成形材的制造方法，其中所述混合物在25℃下的粘度为0.001Pa
·
s～50Pa
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s。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体密封用树脂成形材的制造方法，其中对所述混合物进行加温并喷雾。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体密封用树脂成形材的制造方法，其中所述半导体密封...

【专利技术属性】
技术研发人员：浦崎直之，
申请(专利权)人：昭和电工材料株式会社，
类型：发明
国别省市：