相变存储器的制备方法和相变存储器技术

一种相变存储器的制备方法和相变存储器，包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括一衬底(200)，一底部电极(201)，一氮化物层(203)，一加热器(207)，所述加热器(207)位于所述氮化物层(203)内，以及所述加热器(207)两边的鳍状牺牲层(206)，所述鳍状牺牲层(206)可以被选择性腐蚀；选择性腐蚀所述鳍状牺牲层(206)，形成所述加热器(207)两边的鳍状凹槽；在所述鳍状凹槽处沉积氧化物层(208)并形成包围加热器的气隙(208a)；沉积图形化的相变材料层(209)和顶部电极(210)。由于气隙(208a)隔热性能比氮化物层或氧化物层更好，加热器(207)被气隙(208a)包围，横向热能耗散减少，热效率会更高，提升了相变存储器的性能。提升了相变存储器的性能。提升了相变存储器的性能。提升了相变存储器的性能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄仕璋，李宜政，刘育宏，
申请(专利权)人：江苏时代芯存半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：