内存单元及其制造方法技术

技术编号：34165655 阅读：12 留言：0更新日期：2022-07-17 09:30

一种内存单元，包含主动组件(10)、电极(20a，20b)、加热单元(30)以及相变化单元(40)。电极(20a，20b)耦接于主动组件(10)，且电极(20a，20b)与该主动组件(10)位于同一层。加热单元(30)形成于电极(20a，20b)上方，且加热单元(30)耦接于电极(20a，20b)。相变化单元(40)耦接于加热单元(30)，其中相变化单元(40)形成于主动组件(10)上方，且相变化单元(40)与主动组件(10)并联。(图2)。组件(10)并联。(图2)。组件(10)并联。(图2)。组件(10)并联。(图2)。