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一种内存单元，包含主动组件(10)、电极(20a，20b)、加热单元(30)以及相变化单元(40)。电极(20a，20b)耦接于主动组件(10)，且电极(20a，20b)与该主动组件(10)位于同一层。加热单元(30)形成于电极(20a，2...该专利属于江苏时代芯存半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏时代芯存半导体有限公司授权不得商用。
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一种内存单元，包含主动组件(10)、电极(20a，20b)、加热单元(30)以及相变化单元(40)。电极(20a，20b)耦接于主动组件(10)，且电极(20a，20b)与该主动组件(10)位于同一层。加热单元(30)形成于电极(20a，2...