表面处理铜箔及铜箔基板制造技术

一种表面处理铜箔，包括处理面，其中处理面的均方根高度为0.20至1.50μm，处理面的表面性状长宽比为0.65以下。当表面处理铜箔在200℃的环境中加热1小时后，处理面的(111)晶面的绕射峰积分强度和(111)晶面、(200)晶面及(220)晶面三者的绕射峰积分强度的总和的比值至少为60％。至少为60％。至少为60％。

【技术实现步骤摘要】
表面处理铜箔及铜箔基板


[0001]本专利技术是关于一种铜箔的
，特别是关于一种表面处理铜箔及其铜箔基板。

技术介绍

[0002]随着电子产品逐渐朝向轻薄以及传递高频信号的趋势发展，对于铜箔和铜箔基板的需求也日益提升。一般而言，铜箔基板的铜导电线路会被绝缘载板承载，且通过导电线路的布局设计，其可将电信号沿着预定的路径传递至预定区域。此外，对于用于传递高频电信号(例如高于10GHz)的铜箔基板而言，其铜箔基板的导电线路也必须进一步优化，以降低因集肤效应(skin effect)而产生的信号传递损失(signal transmission loss)。所谓的集肤效应，是指随着电信号的频率增加，电流的传递路径会更集中于导线的表面，例如紧邻于载板的导线表面。为了降低集肤效应而产生的信号传递损失，现有作法是尽可能将铜箔基板中紧邻于载板的导线表面予以平坦化。此外，为了同时维持导线表面和载板之间的附着性，也可采用反转处理铜箔(reverse treated foil,RTF)以制作导线。其中，反转处理铜箔是指铜箔的辊筒面(drum side)会被施行粗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种表面处理铜箔，其特征在于，包括一处理面，所述处理面的均方根高度为0.20至1.50μm，所述处理面的表面性状长宽比为0.65以下，其中当所述表面处理铜箔在200℃的环境中加热1小时后，所述处理面的(111)晶面的绕射峰积分强度和(111)晶面、(200)晶面及(220)晶面三者的绕射峰积分强度的总和的比值至少为60％。2.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述处理面的表面性状长宽比为0.10至0.65。3.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述处理面的(111)晶面的绕射峰积分强度和(111)晶面、(200)晶面及(220)晶面三者的绕射峰积分强度的总和的比值为60％至90％。4.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述处理面的(111)晶面、(200)晶面及(220)晶面的绕射峰积分强度均由低掠角X光绕射法而得，且所述低掠角X光绕射法的掠射角为0.5
°
至1.0
°
。5.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，当所述表面处理铜箔在200℃的环境中加热1小时后，所述处理面的(220)晶面的绕射峰积分强度和(111)晶面、(200)晶面及(220)晶面三者的绕射峰积分强度的总和的比值小于16.50％，且所述表面处理铜箔的信号传递损失的绝对值小于或等于0.85d...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖建铭，赖耀生，周瑞昌，
申请(专利权)人：长春石油化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：