切割鳍状结构的方法技术

本发明专利技术公开一种切割鳍状结构的方法，包含有下述步骤。首先，提供一光掩模，其中光掩模包含一蛇形图案。接着，形成一光致抗蚀剂层覆盖鳍状结构，其中鳍状结构位于一基底上。之后，进行曝光显影以于光致抗蚀剂层形成一光致抗蚀剂图案，其中光致抗蚀剂图案对应蛇形图案。而后，转移光致抗蚀剂图案并蚀刻鳍状结构的切割部分，以切割鳍状结构。以切割鳍状结构。以切割鳍状结构。

【技术实现步骤摘要】
切割鳍状结构的方法


[0001]本专利技术涉及一种切割鳍状结构的方法，且特别是涉及一种应用具有蛇形图案的光掩模切割鳍状结构的方法。

技术介绍

[0002]随着半导体元件尺寸的缩小，维持小尺寸半导体元件的效能是目前业界的主要目标。为了提高半导体元件的效能，目前已逐渐发展出各种多栅极场效晶体管元件(multi
‑
gate MOSFET)。多栅极场效晶体管元件包含以下几项优点。首先，多栅极场效晶体管元件的制作工艺能与传统的逻辑元件制作工艺整合，因此具有相当的制作工艺相容性；其次，由于立体结构增加了栅极与基底的接触面积，因此可增加栅极对于通道区域电荷的控制，从而降低小尺寸元件带来的漏极引发的能带降低(Drain Induced Barrier Lowering，DIBL)效应以及短通道效应(short channel effect)；此外，由于同样长度的栅极具有更大的通道宽度，因此也可增加源极与漏极间的电流量。其中，多栅极场效晶体管中的立体结构是在基底中形成鳍状结构并使栅极跨设于鳍状结构的上方，且制作工艺中还包含鳍状结构的切割制作工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种切割鳍状结构的方法，包含有：提供光掩模，其中该光掩模包含蛇形图案；形成光致抗蚀剂层，覆盖鳍状结构，其中该些鳍状结构位于基底上；进行曝光显影以于该光致抗蚀剂层形成光致抗蚀剂图案，其中该光致抗蚀剂图案对应该蛇形图案；以及转移该光致抗蚀剂图案并蚀刻该些鳍状结构的切割部分，以切割该些鳍状结构。2.如权利要求1所述的切割鳍状结构的方法，其中该光致抗蚀剂图案包含以该光掩模的该蛇形图案形成的蛇形凹槽。3.如权利要求2所述的切割鳍状结构的方法，其中该蛇形凹槽重叠邻近的该些鳍状结构的该些切割部分。4.如权利要求3所述的切割鳍状结构的方法，其中该蛇形凹槽重...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄伟豪，陈俊隆，廖琨垣，郭龙恩，许珈玮，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：