高压集成电路和接地方法技术

本发明专利技术提供一种高压集成电路和接地方法，所述高压集成电路包括选择信号端、共地端、金属衬底、选择开关和保护电路单元；所述选择信号端用于接收外部的接地选择信号；所述选择开关用于根据所述接地选择信号将所述共地端连接所述金属衬底，或根据所述接地选择信号将所述共地端通过串联所述保护电路单元后连接所述金属衬底，或根据所述接地选择信号将所述共地端与所述金属衬底断开；所述保护电路单元用于抑制高频干扰源和电路之间的动态共模电压，并隔离低频高压和静电以保护所述高压集成电路中的电路板，还用于释放静电生成的电荷以消除静电引起的高压。与相关技术相比，采用本发明专利技术的高压集成电路和接地方法的抗干扰能力强且应用广。且应用广。且应用广。

【技术实现步骤摘要】
高压集成电路和接地方法


[0001]本专利技术涉及电子电路
，尤其涉及一种高压集成电路和接地方法。

技术介绍

[0002]高压集成电路，即HVIC(High Voltage Integrated Circuit)，是一种用于把MCU信号转换成驱动IGBT等开关管的驱动信号的集成电路产品。一般来说，高压集成电路把各类开关管、二极管、稳压管、电阻、电容等基础器件集成在一起，形成驱动电路、脉冲生成电路、延时电路、滤波电路、过流保护电路、过热保护电路、欠压保护电路、自举电路等。高压集成电路的接地功能为抗干扰能力的重要因素。
[0003]相关技术中，高压集成电路包括通过共地端实现接地功能，即通过高压集成电路设置GND管脚与外部的地进行连接。
[0004]然而，高压集成电路的金属衬底是否接地，怎么接地，应用于不同的场合，有着不同的干抗能力。高压集成电路的金属衬底接地方时是固定的，要么是接地，要么是不接地。不能做在不同场合需要时选择接地、不接地或不同方式接地，从而使得高压集成电路无法改变接地方式，不能适应性各种场合抗干扰性能的要求，使得高压集成电路不能适用于各种不同应用场合。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于针对现有技术中的不足之处，提供一种抗干扰能力强且应用广的高压集成电路和接地方法。
[0006]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：第一方面，本专利技术提供一种高压集成电路，所述高压集成电路包括选择信号端、共地端、金属衬底、选择开关和保护电路单元；所述选择信号端用于接收外部的接地选择信号；所述选择开关用于根据所述接地选择信号将所述共地端连接所述金属衬底，或根据所述接地选择信号将所述共地端通过串联所述保护电路单元后连接所述金属衬底，或根据所述接地选择信号将所述共地端与所述金属衬底断开；所述保护电路单元用于抑制高频干扰源和电路之间的动态共模电压，并隔离低频高压和静电以保护所述高压集成电路中的电路板，还用于释放静电生成的电荷以消除静电引起的高压；所述选择信号端连接所述选择开关的控制端；所述选择开关的输入端连接至所述共地端；所述选择开关的第一输出端连接至所述金属衬底；所述选择开关的第二输出端连接至所述保护电路单元的第一端；所述保护电路单元的第二端连接至所述金属衬底。
[0007]更进一步地，所述选择信号端包括所述高压集成电路的EP1管脚端口和所述高压集成电路的EP2管脚端口；所述共地端为所述高压集成电路的GND管脚端口；所述选择开关包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管的漏极分别连接至所述第二晶体管的漏极
和所述高压集成电路的GND管脚端口；所述第一晶体管的栅极连接至所述高压集成电路的EP2管脚端口；所述第一晶体管的源极连接至所述保护电路单元的第一端；所述第二晶体管的栅极连接至所述高压集成电路的EP1管脚端口；所述第二晶体管的源极分别连接至所述保护电路单元的第二端和所述金属衬底。
[0008]更进一步地，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为MOS管。
[0009]更进一步地，当所述EP1管脚端口接收的信号为低电平，且所述EP2管脚端口接收的信号为高电平时，所述共地端直接连接所述金属衬底；当所述EP1管脚端口接收的信号为高电平，且所述EP2管脚端口接收的信号为低电平时，所述接地选择信号将所述共地端通过串联所述保护电路单元后连接所述金属衬底； 当所述EP1管脚端口接收的信号为低电平，且所述EP2管脚端口接收的信号为低电平时，所述共地端与所述金属衬底断开。
[0010]更进一步地，所述保护电路单元包括第一电阻和第一电容；所述第一电阻的第一端作为所述保护电路单元的第一端，且所述第一电阻的第一端连接至所述第一电容的第一端；所述第一电阻的第二端作为所述保护电路单元的第二端，且所述第一电阻的第二端连接至所述第一电容的第二端。
[0011]更进一步地，所述第一电阻的电阻值范围为1M欧姆至2M欧姆。
[0012]更进一步地，所述第一电容为Y电容或高压薄膜电容。
[0013]更进一步地，所述第一电容的电容值范围为1nF至100nF。
[0014]更进一步地，所述高压集成电路还包括第二电容，所述第二电容的第一端连接至所述高压集成电路的GND管脚端口；所述第二电容的第二端连接至所述高压集成电路的ITRIP管脚端口。
[0015]第二方面，本专利技术还提供一种接地方法，该方法应用于如本专利技术提供的上述的高压集成电路；所述接地方法包括如下步骤：步骤S1、将所述高压集成电路上电，所述选择信号端接收外部的所述接地选择信号；步骤S2、所述选择开关根据所述接地选择信号进行选择；具体包括如下步骤：步骤S21、所述选择开关根据所述接地选择信号进行判断所述共地端是否连接所述金属衬底：若是，则进入步骤S22；若否，则将所述共地端与所述金属衬底断开；步骤S22、所述选择开关根据所述接地选择信号进行判断所述共地端是否连接所述保护电路单元：若是，则将所述共地端通过串联所述保护电路单元后连接所述金属衬底；若否，则将所述共地端直接连接所述金属衬底。
[0016]本专利技术的有益效果：本专利技术中，高压集成电路和接地方法通过所述高压集成电路内设置选择信号端、共地端、金属衬底、选择开关和保护电路单元，将所述选择开关根据所述选择信号端接收外部的所述接地选择信号将所述共地端连接所述金属衬底，或根据所述接地选择信号将所述共地端通过串联所述保护电路单元后连接所述金属衬底，或根据所述接地选择信号将所述共地端与所述金属衬底断开。所述高压集成电路通过所述选择开关选择所述共地端与所述金属衬底不同的连接方式，实现所述高压集成电路适应性各种场合抗干扰性能的要求，使得所述高压集成电路适用于各种不同应用场合。更优的，所述高压集成
电路通过所述保护电路单元抑制高频干扰源和电路之间的动态共模电压，并隔离低频高压和静电以保护所述高压集成电路中的电路板，还用于释放静电生成的电荷以消除静电引起的高压，从而使得所述高压集成电路的抗干扰性能高。因此，本专利技术的所述高压集成电路和所述接地方法的抗干扰能力强且应用广。
附图说明
[0017]图1是本专利技术实施例提供的高压集成电路的模块结构图；图2是本专利技术实施例提供的高压集成电路的一种具体实施的部分电路原理图；图3是本专利技术实施例提供的高压集成电路的控制芯片的模块结构图；图4为本专利技术实施例提供的接地方法的流程框图。
具体实施方式
[0018]下面将结合具体实施例对本专利技术进行详细说明。
[0019]本专利技术的一种高压集成电路100。请参阅图1，图1是本专利技术实施例提供的高压集成电路100的模块结构图。
[0020]所述高压集成电路100包括选择信号端CH、共地端GNDP、金属衬底EP、选择开关1和保护电路单元2。
[0021]所述高压集成电路100的内部电路连接关系为：所述选择信号端CH连接所述选择开关1的控制端。所述选择开关1的输入端连接至所述共地端GNDP。所述选择开关1的第一输出端连接至所述金属衬底EP。所述选择开关1的第二输出端连接至所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压集成电路，其特征在于，所述高压集成电路包括选择信号端、共地端、金属衬底、选择开关和保护电路单元；所述选择信号端用于接收外部的接地选择信号；所述选择开关用于根据所述接地选择信号将所述共地端连接所述金属衬底，或根据所述接地选择信号将所述共地端通过串联所述保护电路单元后连接所述金属衬底，或根据所述接地选择信号将所述共地端与所述金属衬底断开；所述保护电路单元用于抑制高频干扰源和电路之间的动态共模电压，并隔离低频高压和静电以保护所述高压集成电路中的电路板，还用于释放静电生成的电荷以消除静电引起的高压；所述选择信号端连接所述选择开关的控制端；所述选择开关的输入端连接至所述共地端；所述选择开关的第一输出端连接至所述金属衬底；所述选择开关的第二输出端连接至所述保护电路单元的第一端；所述保护电路单元的第二端连接至所述金属衬底。2.根据权利要求1所述的高压集成电路，其特征在于，所述选择信号端包括所述高压集成电路的EP1管脚端口和所述高压集成电路的EP2管脚端口；所述共地端为所述高压集成电路的GND管脚端口；所述选择开关包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管的漏极分别连接至所述第二晶体管的漏极和所述高压集成电路的GND管脚端口；所述第一晶体管的栅极连接至所述高压集成电路的EP2管脚端口；所述第一晶体管的源极连接至所述保护电路单元的第一端；所述第二晶体管的栅极连接至所述高压集成电路的EP1管脚端口；所述第二晶体管的源极分别连接至所述保护电路单元的第二端和所述金属衬底。3.根据权利要求2所述的高压集成电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为MOS管。4.根据权利要求2所述的高压集成电路，其特征在于，当所述EP1管脚端口接收的信号为低电平，且所述EP2管脚端口接收的信号为高电平时，所述共地端直接连接所述金属衬底；当所述EP1管脚端口接收的信号为高电平，且所述EP2管脚端口接收的信号为低电平时...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，谢荣才，华庆，王文健，蒋华杏，李强，高远航，
申请(专利权)人：广东汇芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：