【技术实现步骤摘要】
一种classAB输出级的偏置电路
[0001]本专利技术属于运算放大器领域,涉及一种为classAB输出级提供偏置的电路,尤其适合将本专利技术结构应用于既需要大输出摆幅又需要稳定输出共模的参考电压buffer应用场景中。
技术介绍
[0002]在大输出摆幅低功耗运算放大器的应用中,优先会考虑会采用classAB作为运放的输出级。而使用浮空电流镜去偏置classAB的静态工作点是一种很常见的方式。传统的浮空电流镜偏置电路工作原理是:如图1所示,通过两个二极管连接构成的电阻串得到浮空电流镜的栅压,产生偏置电流,将classAB输入管的栅极偏置到不同的静态工作点上。
[0003]但问题是,由于是浮空电流镜的栅压是通过二极管连接的MOS管形式得到的,很容易受到电源和pvt变化的干扰而偏离正常的工作点,导致classAB性能下降。
技术实现思路
[0004]针对上述传统浮空电流镜的偏置问题,本专利技术提出一种新的classAB输出级的偏置电路,如图2所示,通过classAB输入管的两个复制网络产生更高精度的浮 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种classAB输出级的偏置电路,其特征在于,包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6、第七晶体管M7、第八晶体管M8、第九晶体管M9、第十晶体管M10、第十一晶体管M11、第十二晶体M12、管十三晶体管M13、第十四晶体管M14、第十五晶体管M15、第十六晶体管M16、第十七晶体管M17、第十八晶体管M18、第十九晶体管M19、第一电流源Ib1、第二电流源Ib2、第三电流源Ib3、第四电流源Ib4、第五电流源Ib5、第六电流源Ib6、第七电流源Ib7、第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2和第一放大器A1;第一晶体管M1的栅极接第四晶体管M4的漏极,第一晶体管M1的源极接地,第一晶体管M1的漏极接第一电流源Ib1的第二连接端;第二晶体管M2的栅极接第五晶体管M5的栅极,第二晶体管M2的漏极接第三晶体管M3的源极,第二晶体管M2的源极接地;第三晶体管M3的栅极接第三晶体管M3的漏极,第三晶体管M3的漏极连接第二电流源Ib2的第二连接端;第四晶体管M4的栅极接第四晶体管M4的漏极,第四晶体管M4的源极接地,第四晶体管M4的漏极接第六晶体管M6的漏极;第五晶体管M5的栅极接第五晶体管M5的漏极,第五晶体管M5的漏极接第七晶体管M7的漏极;第六晶体管M6的栅极接参考电压Vcm,第六晶体管M6的源极接第三电流源Ib3的第二连接端;第七晶体管M7的栅极接第一电流源Ib1的第二连接端,第七晶体管M7的源极接第三电流源Ib3的第二连接端;第八晶体管M8的栅极接第一放大器A1的输出端,第八晶体管M8的漏极接第九晶体管M9的源极,第八晶体管M8的源极接地;第九晶体管M9的栅极接第三晶体管M3的栅极、第九晶体管M9的源极接第十晶体管M10的漏极,第九晶体管M9的漏极接第四电流源Ib4的第二连接端;第十晶体管M10的栅极接第十六晶体管M16的栅极、第十晶体管M10的源极接第四电流源Ib4的第二连接端;第十一晶体管M11的栅极接第十七晶体管M17的漏极,第十一晶体管M11的源极...
【专利技术属性】
技术研发人员:唐鹤,陈海山,卞苓峰,彭析竹,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:
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