应用于射频功率放大器的偏置电路制造技术

本发明专利技术公开了一种应用于射频功率放大器的偏置电路，其包括线性补偿模块与稳压及温度补偿模块，稳压及温度补偿模块包括第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第三电阻、第四电阻及第五电阻，第二晶体管的集电极与第三电阻的一端连接并与线性补偿模块连接，第三电阻的另一端与参考电压连接，第二晶体管的发射极与第三晶体管的基极、集电极共同连接，第三晶体管的发射极接地，第二晶体管的基极与第四电阻的一端、第四晶体管的集电极、第四晶体管的基极共同连接，第四电阻的另一端与参考电压连接，第四晶体管的发射极与第五电阻的一端连接，第五电阻的另一端接地。本发明专利技术的偏置电路可为射频功率放大器提供电压补偿和温度补偿，使射频功率放大器在复杂的应用环境中能稳定、线性的工作。线性的工作。线性的工作。

【技术实现步骤摘要】
应用于射频功率放大器的偏置电路


[0001]本专利技术涉及射频微波领域，更具体地涉及一种应用于射频功率放大器的偏置电路。

技术介绍

[0002]决定功率放大器工作状态的是功率管的偏置状态，因此对于任何射频功率放大器来说，合适的直流偏置网络能够抑制外部电压变化和温度变化的影响，提供适当的静态工作点以保证功率放大器工作特性的稳定；因此，为射频放大器设置偏置电路是一种常用方式。
[0003]现有技术的用于射频功率放大器的偏置电路如图1所示，偏置电路主要是由晶体管Q1、Q2、Q3，电阻R1、R2及电容C1组成。晶体管Q0为射频功率管，电容Cblock为输入隔直电容，电感Lchock为扼流电感。晶体管Q0的偏置电流由晶体管Q1和Q2组成的电流镜提供，其中晶体管Q1和电容C1组成线性化电路，电容C1的存在减小了偏置电路的阻抗，相当于引入一条射频通路，同时将泄漏的射频信号短路到地，从而使晶体管Q1的基极电压保持恒定。随着输入功率的增加，泄漏到偏置电路中的射频信号使得Q1的基射结电压Vbe1降低，因而补偿了功率管Q0基
‑<br/>射结电压Vb本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于射频功率放大器的偏置电路，所述偏置电路与射频功率放大器连接，其特征在于，包括线性补偿模块与稳压及温度补偿模块，所述线性补偿模块与射频功率放大器的功率管连接，用以调节功率管的线性度，所述稳压及温度补偿模块与所述线性补偿模块连接，用以抑制参考电压波动和温度变化对射频功率放大器的功率管电流的影响；所述稳压及温度补偿模块包括第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第三电阻、第四电阻及第五电阻，所述第二晶体管的集电极与所述第三电阻的一端连接并与所述线性补偿模块连接，所述第三电阻的另一端与参考电压连接，所述第二晶体管的发射极与第三晶体管的基极、集电极共同连接，所述第三晶体管的发射极接地，所述第二晶体管的基极与第四电阻的一端、第四晶体管的集电极、第四晶体管的基极共同连接，所述第四电阻的另一端与参考电压连接，所述第四晶体管的发射极与第五电阻的一端连...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊龙，张宗楠，李一虎，
申请(专利权)人：四川和芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：