放大器偏压补偿电路制造技术

一种偏压补偿电路，包含有一侦测电路，该侦测电路包含有一二极管形式连接的晶体管电路，具有一第一端用来接收一第一电流，及一第二端；以及一第一二极管电路，具有一第一端用来接收一第二电流，及一第二端；其中该侦测电路根据该二极管形式连接的晶体管电路提供一第一电压位准，以及根据该第一二极管电路提供一第二电压位准；一电压

【技术实现步骤摘要】
放大器偏压补偿电路


[0001]本专利技术相关于一种电路，尤指一种用于放大器的偏压补偿电路。

技术介绍

[0002]在现有技术中，功率放大器被广泛实现各种电路，以提升电路的信号质量。在此情形下，偏压电路可被用来增加功率放大器的表现。然而，根据其工艺参数(process corner)的不同，通过功率放大器的电流会产生偏移，使功率放大器具有不同的(不稳定)表现。此外，随着功率放大器的输入功率的不同，功率放大器具有不同的温度，亦会影响通过功率放大器的电流。因此，如何补偿上述因素对电流所造成的影响，以维持通过功率放大器的电流的稳定为一亟需解决的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种偏压补偿电路，以解决上述问题。
[0004]本专利技术揭露一种偏压补偿电路，包含有一侦测电路，包含有一二极管形式连接的晶体管(diode
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connected transistor)电路，具有一第一端用来接收一第一电流，及一第二端耦接于一第一参考电压端；以及一第一二极管电路，具有一第一端用来接收一第二电流，及一第二端耦接于该第一参考电压端；其中该侦测电路根据该二极管形式连接的晶体管电路提供一第一电压位准，以及根据该第一二极管电路提供一第二电压位准；一电压
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电流转换电路，耦接于该侦测电路，用来根据该第一电压位准及该第二电压位准，产生一第一参考电流；以及一偏压电路，耦接于该电压
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电流转换电路，用来接收该第一参考电流，以根据该第一参考电流提供一偏压位准。<br/>[0005]本专利技术另揭露一种偏压补偿电路，用来提供一偏压位准到一第一放大晶体管，包含有一侦测电路，包含有一二极管形式连接的晶体管电路，具有一第一端用来接收一第一电流，及一第二端耦接于一第一参考电压端；其中该侦测电路根据该二极管形式连接的晶体管电路提供一第一电压位准，该二极管形式连接的晶体管电路包含有一二极管形式连接的晶体管，以及该第一放大晶体管与该二极管形式连接的晶体管具有一相同或接近的工艺参数(process corner)；一电压
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电流转换电路，耦接于该二极管形式连接的晶体管电路，用来根据该第一电压位准及一第二电压位准，产生一第一参考电流；以及一偏压电路，耦接于该电压
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电流转换电路，用来接收该第一参考电流，以根据该第一参考电流提供该偏压位准到该第一放大晶体管。
附图说明
[0006]图1为本专利技术实施例一偏压补偿电路的示意图。
[0007]图2为本专利技术实施例一偏压补偿电路的示意图。
[0008]图3为本专利技术实施例一偏压补偿电路的示意图。
[0009]图4为本专利技术实施例一偏压补偿电路的示意图。
[0010]图5为本专利技术实施例一偏压电路的示意图。
[0011]图6A、图6B为本专利技术实施例一偏压电路的示意图。
[0012]图7为本专利技术实施例一偏压补偿电路的示意图。
[0013]符号说明
[0014]10,20,30,40,70:偏压补偿电路
[0015]100,200,300,400,700:侦测电路
[0016]102,202,402,702:二极管形式连接的晶体管电路
[0017]104,204,306:二极管电路
[0018]110,210:电压
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电流转换电路
[0019]120,50,60A,60B:偏压电路
[0020]C1:电容
[0021]CS1,CS2,CS3,CS4:电流源
[0022]D1,D2:二极管
[0023]E_CPA1,E_C53,E_C65:晶体管控制端
[0024]E1～E20,E_P1,E_P2:端点
[0025]FC1,FC2:滤波电路
[0026]I1,I2,I3,Icc:电流
[0027]Iadp:可适性电流
[0028]Ibias:偏压电流
[0029]Iref,Iref1,Iref2:参考电流
[0030]K1,K2,K3:参数
[0031]M_PA1,M_PA2:放大晶体管
[0032]M1,M2,M3,M51,M52,M64:二极管形式连接的晶体管
[0033]M53,M65:晶体管
[0034]R1,R2,R3,R5:电阻
[0035]R4:电阻电路
[0036]RFin:输入信号
[0037]RFout:输出信号
[0038]S_in:信号输入端
[0039]S_out:信号输出端
[0040]V_REF1,V_REF2:参考电压端
[0041]VDD:系统电压端
[0042]VGS,V_D1,V_D2:导通电压
[0043]VBG1,VF,VBE,VBG:电压位准
[0044]VGG:偏压位准
[0045]VOUT:输出电压位准
具体实施方式
[0046]图1为本专利技术实施例一偏压补偿电路10的示意图。偏压补偿电路10可被用于一放
大器(例如，一功率放大器)。偏压补偿电路10包含有侦测电路100、电压
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电流转换电路110及偏压电路120。侦测电路100包含有二极管形式连接的晶体管电路102及二极管电路104。二极管形式连接的晶体管电路102具有第一端E1及第二端E2。二极管形式连接的晶体管电路102的第一端E1可用来接收电流I1，以及二极管形式连接的晶体管电路102的第二端E2可耦接于参考电压端V_REF1。二极管电路104具有第一端E3及第二端E4。二极管电路104的第一端E3可用来接收电流I2，以及二极管电路104的第二端E4可耦接于参考电压端V_REF1。电压
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电流转换电路110耦接于二极管形式连接的晶体管电路102及二极管电路104。偏压电路120耦接于电压
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电流转换电路110。详细来说，根据二极管形式连接的晶体管电路102，侦测电路100可提供电压位准VBG1，以及根据二极管电路104，侦测电路100可提供电压位准VF。根据电压位准VBG1及电压位准VF，电压
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电流转换电路110可产生参考电流Iref。偏压电路120接收参考电流Iref，以根据参考电流Iref提供偏压位准VGG。
[0047]需注意的是，根据电压或温度等因素的影响，晶体管会具有不同的表现。因此，晶体管会因为不同的工艺参数而具有不同的特性。晶体管的工艺参数(process corner)的类别可分为TT、FF及SS。当两个晶体管分别具有相同或接近的工艺参数时，两个晶体管之间的工艺变异不大。反之，当两个晶体管具有差异较大的工艺参数时，两个晶体管之间的工艺变异较大。
[0048]在一实施例中，电流源CS1可耦接于二极管形式连接的晶体管电路102的第一端E1，以及电流源CS1可被用来提供电流I1。在一实施例中，电流源CS2可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种偏压补偿电路，其特征在于，包含有：一侦测电路，该侦测电路包含有：一二极管形式连接的晶体管电路，具有一第一端用来接收一第一电流，及一第二端耦接于一第一参考电压端；以及一第一二极管电路，具有一第一端用来接收一第二电流，及一第二端耦接于该第一参考电压端；其中该侦测电路根据该二极管形式连接的晶体管电路提供一第一电压位准，以及根据该第一二极管电路提供一第二电压位准；一电压
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电流转换电路，耦接于该侦测电路，用来根据该第一电压位准及该第二电压位准，产生一第一参考电流；以及一偏压电路，耦接于该电压
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电流转换电路，用来接收该第一参考电流，以根据该第一参考电流提供一偏压位准。2.如权利要求1所述的偏压补偿电路，其特征在于，其中该二极管形式连接的晶体管电路包含有：一第一二极管形式连接的晶体管，耦接于该二极管形式连接的晶体管电路的该第一端；以及一第二二极管形式连接的晶体管，耦接于该第一接成二极管形式连接的晶体管及该二极管形式连接的晶体管电路的该第二端之间。3.如权利要求1所述的偏压补偿电路，其特征在于，其中该电压
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电流转换电路包含有：一加法器，耦接于该侦测电路，用来根据该第一电压位准及该第二电压位准，产生一输出电压位准；以及一电压
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电流转换器，耦接于该加法器，用来根据该输出电压位准，产生该第一参考电流。4.如权利要求1所述的偏压补偿电路，其特征在于，其中该侦测电路另包含有：一第一电阻，耦接于该二极管形式连接的晶体管电路的该第一端；以及一第二电阻，耦接于该第一二极管电路的该第一端；其中根据该二极管形式连接的晶体管电路及该第一电阻，该侦测电路提供该第一电压位准，以及根据该第一二极管电路及该第二电阻，提供该第二电压位准。5.如权利要求1所述的偏压补偿电路，其特征在于，其中该侦测电路另包含有：一第二二极管电路，具有一第一端用来接收一第三电流，及一第二端耦接于该第一参考电压端；其中该侦测电路根据该第二二极管电路提供一第三电压位准，以及根据该第一电压位准、该第二电压位准及该第三电压位准，该电压
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电流转换电路产生该第一参考电流。6.如权利要求5所述的偏压补偿电路，其特征在于，其中该偏压电路提供该偏压位准到一第一放大晶体管，该二极管形式连接的晶体管电路包含有至少一二极管形式连接的晶体管，以及该第一放大晶体管及该至少一二极管形式连接的晶体管具有一相同或接近的工艺参数。7.如权利要求6所述的偏压补偿电路，其特征在于，其中该第一二极管电路及该第一放大晶体管之间的一距离大于该第二二极管电路及该第一放大晶体管之间的一距离。
8.如权利要求1所述的偏压补偿电路，其特征在于，其中该偏压电路包含有：一第三二极管形式连接的晶体管，具有一第一端用来接收该第一参考电流，及一第二端；一第四二极管形式连接的晶体管，具有一第一端耦接于该第三二极管形式连接的晶体管的该第二端，及一第二端耦接于该第一参考电压端；一第一晶体管，具有一第一端耦接于一系统电压端，一第二端，以及一控制端耦接于该第三二极管形式连接的晶体管的该第一端；以及一电容，具有一第一端耦接于该第三二极管形式连接的晶体管的该第一端及该第一晶体管的该控制端，及一第二端耦接于该第一参考电压端。9.如权利要求8所述的偏压补偿电路，其特征在于，其中该偏压电路在该第一晶体管的该第二端提供该偏压位准。10.如权利要求8所述的偏压补偿电路，其特征在于，其中该偏压电路另包含有：一第一滤波电路，耦接于该系统电压端及该第一晶体管之间。11.如权利要求8所述的偏压补偿电路，其特征在于，其中该偏压电路另包含有：一第五二极管形式连接的晶体管，具有一第一端用来接收一偏压电流，一第二端耦接于该第一参考电压端，及一控制端耦接...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈智圣，彭天云，
申请(专利权)人：立积电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：