探测基板及其制造方法、平板探测器及其制造方法技术

本公开涉及光电探测技术领域，具体而言，涉及一种探测基板、探测基板的制造方法、平板探测器及平板探测器的制造方法。探测基板包括：基板(10)，包括探测区(D)、绑定区(C)、可控通断区(B)和切割区(A)；多个探测单元，设于所述基板(10)上，所述探测单元包括位于所述探测区(D)上的晶体管和光敏器件，所述晶体管包括栅极(21)、第一极(24)和第二极(25)；所述光敏器件与所述晶体管的第一极(24)或第二极(25)连接；多个导线(212)，设于所述基板(10)上，一端与多个所述探测单元中所述晶体管的栅极(21)一一对应连接，另一端延伸至所述绑定区(C)；导电环(210)，设于所述基板(10)的切割区(A)上；多个检测线(211)，设于所述基板(10)上，一端与所述导电环(210)连接，另一端与所述多个导线(212)一一对应连接，且穿过所述可控通断区(B)；其中，位于所述可控通断区(B)上的所述检测线(211)能够具有断开状态。本方案的探测基板能够降低静电由边缘引入的风险性，实现静电及时疏导以避免损伤器件。静电及时疏导以避免损伤器件。静电及时疏导以避免损伤器件。静电及时疏导以避免损伤器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵斌，徐帅，许彬彬，侯学成，李金钰，张晔，车春城，
申请(专利权)人：北京京东方传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：