一种晶圆针压测试方法及系统技术方案

本申请公开了一种晶圆针压测试方法及系统，该晶圆针压测试方法包括：获取晶圆的整体翘曲度以及晶圆的针压数据，晶圆的整体翘曲度表征晶圆与探针接触的表面的高度；基于整体翘曲度以及晶圆的针压数据控制晶圆向探针移动的移动距离，以对晶圆进行针压测试。本申请通过获取晶圆的整体翘曲度以及晶圆的针压数据，并基于整体翘曲度以及晶圆的针压数据控制晶圆向探针移动的移动距离，以对晶圆进行针压测试，使得晶圆的每个测试点在进行针压测试时的移动距离不同，避免使用同一针压值测试三维集成晶圆导致出现接触不良或扎穿芯片金属引脚的问题。的问题。的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆针压测试方法及系统


[0001]本申请涉及晶圆针压测试
，特别是涉及一种晶圆针压测试方法及系统。

技术介绍

[0002]3DIC DRAM是逻辑晶圆和存储晶圆通过键合工艺实现的工艺制程，为了达到最佳键合效果，逻辑晶圆和存储晶圆都对晶圆的翘曲度有要求，因此3DIC键合制造的DRAM晶圆平整度较差。同时由于两张晶圆的键合，最终晶圆需要减薄操作，减薄操作得到的晶圆的厚度一致性偏差较大。而在传统DRAM晶圆测试针压确定流程中，仅使用一个针压值即可实现对整张晶圆的针压测试，若使用传统DRAM晶圆测试针压方法对3DIC DRAM进行测试，则经常会出现接触测试问题，例如探针与晶圆接触不良，或者探针扎穿芯片金属引脚的问题。

技术实现思路

[0003]本申请至少提供一种晶圆针压测试方法及系统，以解决使用传统DRAM晶圆测试针压方法对3DIC DRAM进行测试所带来的接触测试问题。
[0004]本申请第一方面提供了一种晶圆针压测试方法，该晶圆针压测试方法包括：
[0005]获取晶圆的整体翘曲度以及晶圆的针压数据，晶圆的整体翘曲度表征晶圆与探针接触的表面的高度；
[0006]基于整体翘曲度以及晶圆的针压数据控制晶圆向探针移动的移动距离，以对晶圆进行针压测试。
[0007]可选地，该方法还包括：
[0008]控制晶圆向探针移动第一预设距离，以利用探针测试晶圆的参考点的针压数据；晶圆的参考点的针压数据为晶圆的针压数据。
[0009]可选地，基于整体翘曲度以及晶圆的针压数据控制晶圆向探针移动的移动距离，以对晶圆进行针压测试的步骤，包括：
[0010]响应于晶圆与探针接触的表面中探测点的高度大于晶圆的中心点的高度，控制晶圆向探针移动第二预设距离，以对晶圆进行针压测试，得到测试结果；
[0011]响应于晶圆与探针接触的表面中探测点的高度小于中心点的高度，控制晶圆向探针移动第三预设距离，以对晶圆进行针压测试，得到测试结果；
[0012]其中，第二预设距离小于第一预设距离，第三预设距离大于第一预设距离，且移动第二预设距离和/或移动第三预设距离后，探测点的针压数据与晶圆的中心点的针压数据匹配。
[0013]可选地，该方法还包括：
[0014]将测试结果中的电信号与预设电信号进行比较；
[0015]响应于测试结果中的电信号与预设电信号不匹配，基于测试结果中的针压数据和晶圆的参考点的针压数据调整晶圆向探针移动的距离，以重新对晶圆进行测试。
[0016]可选地，基于测试结果中的针压数据和晶圆的参考点的针压数据调整晶圆向探针
移动的距离的步骤，包括：
[0017]获取标准参数表；其中，标准参数表用于标定晶圆产生不同电信号对应的针压数据；
[0018]基于标准参数表获取与测试结果中的电信号对应的第一针压数据；
[0019]基于第一针压数据与晶圆的参考点的针压数据调整晶圆向探针移动的距离。
[0020]可选地，基于第一针压数据与晶圆的参考点的针压数据调整晶圆向探针移动的距离的步骤，包括：
[0021]响应于第一针压数据大于晶圆的参考点的针压数据，计算第一针压数据与晶圆的参考点的针压数据的第一差值；
[0022]基于第一差值减少晶圆向探针移动的移动距离，以使调整后的移动距离与调整前的移动距离的距离差等于第一差值；
[0023]响应于第一针压数据小于晶圆的参考点的针压数据，计算晶圆的参考点的针压数据与第一针压数据的第二差值；
[0024]基于第二差值增加晶圆向探针移动的移动距离，以使调整后的移动距离与调整前的移动距离的距离差等于第二差值。
[0025]可选地，获取晶圆的整体翘曲度的步骤，包括：
[0026]从晶圆的中心点至晶圆的边缘区域进行扫描，以获取从晶圆的中心点直线移动至晶圆的边缘区域扫描的至少一个扫描轨迹；其中，扫描轨迹包括多个探测点，在同一扫描轨迹内的相邻两个探测点之间的距离相等；
[0027]获取至少一个扫描轨迹的每个探测点与晶圆的中心点的高度差；
[0028]拟合所有探测点与晶圆的中心点的高度差，得到晶圆的整体翘曲度。
[0029]本申请第二方面提供了一种晶圆针压测试系统，该晶圆针压测试系统包括：
[0030]承载台，用于承载晶圆；
[0031]探针，设置于晶圆背离承载台的一侧，用于对晶圆进行针压测试；
[0032]记录装置，用于获取晶圆的整体翘曲度，晶圆的整体翘曲度表征晶圆与探针接触的表面的高度；
[0033]控制装置，连接记录装置与承载台，用于获取晶圆的针压数据，并基于整体翘曲度以及晶圆的针压数据控制承载台移动，以控制晶圆向探针移动的移动距离。
[0034]可选地，该晶圆针压测试系统还包括：
[0035]调节托台，设置于承载台上，用于贴合固定晶圆；其中，调节托台的中心与承载台的中心在垂直于承载台的方向上重合；
[0036]扫描装置，扫描装置的一端设置于承载台上，另一端可移动地设置于晶圆背离承载台的一侧，用于对晶圆进行扫描以得到扫描结果；
[0037]记录装置进一步连接扫描装置，基于扫描结果计算得到晶圆的整体翘曲度。
[0038]可选地，该晶圆针压测试系统还包括：
[0039]收集装置，连接探针，用于收集晶圆进行针压测试的测试结果；
[0040]测试装置，连接收集装置与控制装置，用于将测试结果中的电信号与预设电信号进行比较；
[0041]响应于测试结果中的电信号与预设电信号不匹配，控制装置还用于基于测试结果
中的针压数据和晶圆的参考点的针压数据调整晶圆向探针移动的距离，以重新对晶圆进行测试。
[0042]本申请的有益效果是：区别于现有技术，本申请通过获取晶圆的整体翘曲度以及晶圆的针压数据，并基于整体翘曲度以及晶圆的针压数据控制晶圆向探针移动的移动距离，以对晶圆进行针压测试，使得晶圆的每个测试点在进行针压测试时的移动距离不同，避免使用同一针压值测试三维集成晶圆导致出现接触不良或扎穿芯片金属引脚的问题。
[0043]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，而非限制本申请。
附图说明
[0044]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0045]图1是本申请晶圆针压测试系统一实施例的第一结构示意图；
[0046]图2是本申请晶圆针压测试系统一实施例的第二结构示意图；
[0047]图3是本申请晶圆针压测试方法一实施例的流程示意图；
[0048]图4是图3中步骤S11的具体流程示意图；
[0049]图5是图3中步骤S12的具体流程示意图；
[0050]图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆针压测试方法，其特征在于，包括：获取晶圆的整体翘曲度以及所述晶圆的针压数据，所述晶圆的整体翘曲度表征所述晶圆与探针接触的表面的高度；基于所述整体翘曲度以及所述晶圆的针压数据控制所述晶圆向所述探针移动的移动距离，以对所述晶圆进行针压测试。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：控制所述晶圆向所述探针移动第一预设距离，以利用所述探针测试所述晶圆的参考点的针压数据；所述晶圆的参考点的针压数据为所述晶圆的针压数据。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述整体翘曲度以及所述晶圆的针压数据控制所述晶圆向所述探针移动的移动距离，以对所述晶圆进行针压测试的步骤，包括：响应于所述晶圆与探针接触的表面中探测点的高度大于所述晶圆的中心点的高度，控制所述晶圆向所述探针移动第二预设距离，以对所述晶圆进行针压测试，得到测试结果；响应于所述晶圆与探针接触的表面中探测点的高度小于所述中心点的高度，控制所述晶圆向所述探针移动第三预设距离，以对所述晶圆进行针压测试，得到测试结果；其中，所述第二预设距离小于所述第一预设距离，所述第三预设距离大于所述第一预设距离，且移动所述第二预设距离和/或移动所述第三预设距离后，所述探测点的针压数据与所述晶圆的中心点的针压数据匹配。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：将所述测试结果中的电信号与预设电信号进行比较；响应于所述测试结果中的电信号与所述预设电信号不匹配，基于所述测试结果中的针压数据和所述晶圆的参考点的针压数据调整所述晶圆向所述探针移动的距离，以重新对所述晶圆进行测试。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述测试结果中的针压数据和所述晶圆的参考点的针压数据调整所述晶圆向所述探针移动的距离的步骤，包括：获取标准参数表；其中，所述标准参数表用于标定所述晶圆产生不同电信号对应的针压数据；基于所述标准参数表获取与所述测试结果中的电信号对应的第一针压数据；基于所述第一针压数据与所述晶圆的参考点的针压数据调整所述晶圆向所述探针移动的距离。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一针压数据与所述晶圆的参考点的针压数据调整所述晶圆向所述探针移动的距离的步骤，包括：响应于所述第一针压数据大于所述晶圆的参考点的针压数据，计算所述第一针压数据与所述晶圆的参考点的针压数据的第一差值；基于所述第一差值减少所述晶圆向所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王帆，周鑫，黄华，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：