【技术实现步骤摘要】
曲面薄膜沉积方法及其装置
[0001]本专利技术涉及薄膜沉积
,特别涉及一种曲面薄膜沉积方法及其装置。
技术介绍
[0002]超导薄膜制成的天线、谐振器、滤波器、延迟线等微波通讯器件具有常规材料(如金、银等)无法比拟的高灵敏度,从而受到各国军方的重视,成为未来电子对抗战中的关键技术,也是新一代通信技术的“未来”。在大型粒子加速器中,超导薄膜也表现出了巨大的市场前景。
[0003]过去的五十多年,射频超导技术取得了巨大的成功,以高纯度铌材制作的射频超导腔在国际上新兴的已建成或在建中的加速器装置(如LHC,E
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XFEL,LCLS
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II,FRIB等)上已有了广泛的应用。然而进入21世纪以后,受材料本征性能的限制,铌腔发展速度变缓慢,难以满足未来的大型超导加速器对其性能提出的更高要求(更高品质因数和更高加速梯度)。相比于铌,Nb3Sn具有更高的超导转变温度、过热磁场和同温度下更低的表面电阻。因此,Nb3Sn镀膜腔不仅拥有更高的性能,还可以把工作温度从2K提升到4.2K,降低系统的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种曲面薄膜沉积装置,其特征在于,包括:反应腔,具有第一窗口,用于激光束的入射;靶台,位于所述反应腔的内部,用于支撑靶材;固定台,位于所述反应腔的内部,用于支撑镀膜基体;加热器,位于所述反应腔的内部,用于对镀膜基体进行加热,其中,所述镀膜基体为曲面,所述靶材为圆锥形或其它包括一部分圆锥形侧面的形状,所述圆锥形的侧面为所述激光束的入射表面,所述加热器和所述靶台分别位于所述镀膜基体的内部和外部。2.根据权利要求1所述的曲面薄膜沉积装置,其特征在于,所述靶材位于所述镀膜基体内部,以在所述镀膜基体的内表面沉积薄膜。3.根据权利要求1所述的曲面薄膜沉积装置,其特征在于,所述靶材位于所述镀膜基体外部,以在所述镀膜基体的外表面沉积薄膜。4.根据权利要求2或3所述的曲面薄膜沉积装置,其特征在于,所述激光束在第一平面内进行移动扫描,所述第一平面平行于所述靶材的底面。5.根据权利要求4所述的曲面薄膜沉积装置,其特征在于,所述激光束在所述第一平面内沿靶材底面的圆区域内螺旋往复移动,以使所述镀膜基体位于同一平面的不同位置进行薄膜沉积。6.根据权利要求4所述的曲面薄膜沉积装置,其特征在于,所述激光束在所述第一平面内沿靶材的底面半径或直径做往复运动。7.根据权利要求6所述的曲面薄膜沉积装置,其特征在于,所述镀膜基体沿所述镀膜基体的中心线旋转,所述镀膜基体的中心线垂直于所述第一平面。8.根据权利要求4所述的曲面薄膜沉积装置,其特征在于,所述激光束在所述靶材表面的入射点随位置的不同其停留时间不同。9.根据权利要求8所述的曲面薄膜沉积装置,其特征在于,所述靶材的侧面与底面之间的夹角可以改变。10.根据权利要求9所述的曲面薄膜沉积装置,其特征在于,所述靶台沿第二方向做往复运动,所述第二方向垂直于所述第一平面。11.根据权利要求10所述的曲面薄膜沉积装置,其特征在于,所述靶台和所述靶材沿靶材的中心旋转,所述靶材的中心垂直于所述第一平面。12.根据权利要求1所述的曲面薄膜沉积装置,其特征在于,所述加热器为曲面加热器,与所述镀膜基体的形状相匹配。13.根据权利要求12所述的曲面薄膜沉积装置,其特征在于,所述加热器对所述镀膜基体接触式加热或无接触式加热。14.根据权利要求3所述的曲面薄膜沉积装置,其特征在于,所述靶材沿第一方向作往复运动,所述第一方向平行于所述第一表面。15.根据权利要求14所述的曲面薄膜沉积装置,其特征在于,所述镀膜基体沿所述镀膜基体的中心线旋转,所述镀膜基体的中心线平行于所述第一方向。16.根据权利要求14所述的曲面薄膜沉积装置,其特征在于,所述激光束沿第三方向在所述靶材侧表面的底端和顶端之间做往复运动。
17.根据权利要求14所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯中沛,杨景婷,金魁,袁洁,许波,赵忠贤,
申请(专利权)人:松山湖材料实验室,
类型:发明
国别省市:
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