一种半导体静电吸盘制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体技术领域，具体公开了一种半导体静电吸盘，包括一种半导体静电吸盘及制备方法，包括底座，底座顶部表面开设有安装孔，底座顶部表面固定安装有吸附层，吸附层表面开设有外环冷却气槽、外环冷却气道、内环冷却气槽和内环冷却气道。本实用新型专利技术技术方案通过在电极组A接点和电极组B接点与设备进行通电，随后电极组A和电极组B均为带电状态，电极组A和电极组B均距离吸附层表面具备一点的距离，可在吸附层表面形成静电场，从而达到吸附晶片的效果，可直接通过拆卸吸附层整体进行更换，更换过程中电极组A接点和电极组B接点不会发生损伤，降低静电吸盘的应用成本。降低静电吸盘的应用成本。降低静电吸盘的应用成本。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体静电吸盘


[0001]本技术涉及半导体
，具体为一种半导体静电吸盘。

技术介绍

[0002]目前在国产的半导体制造制工艺，尤其是晶片在进行离子、蚀刻、薄膜等过程中，为避免晶片在工艺过程中出现偏移的情况以及晶片在工艺过程中因温度上升而翘起掉片的情况，需要晶片在工艺过程中进行温度控制，提供散热功能，在这些高真空、等离子、卤素环境下，往往需要使用静电吸盘对待晶片进行有效夹持，目前的静电吸盘在实际应用过程中往往会出现吸附力较低、且吸附力不均匀现象，并且更换吸盘头时，一些电路控制部分需要整体更换，维护周期较长，更换效率较慢。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种半导体静电吸盘，解决了
技术介绍
中所提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种半导体静电吸盘，包括底座，底座顶部表面开设有安装孔，底座顶部表面固定安装有吸附层，吸附层表面开设有外环冷却气槽、外环冷却气道、内环冷却气槽和内环冷却气道，外环冷却气槽与外环冷却气道连通连接，内环冷却气槽与内环冷却气道连通连接，外环冷却气道位于内环冷却气道的外侧，吸附层表面开设有顶升柱孔，吸附层内部固定安装有电极组，电极组内部固定安装有电极组和电极组，吸附层底部表面固定安装有电极组接点和电极组接点，电极组接点与电极组电性接触，电极组接点与电极组电性接触，底座的底部表面开设有定位销孔。
[0005]作为本申请技术方案的一种优选实施方式，电极组和电极组均为环形，电极组位于电极组的内部，并且电极组到电极组的间距为80μm。
[0006]作为本申请技术方案的一种优选实施方式，电极组和电极组之间填充有绝缘粘合剂，绝缘粘合剂的厚度为90μm。
[0007]作为本申请技术方案的一种优选实施方式，内环冷却气槽和外环冷却气槽的顶部表面均开设有凹面，内环冷却气槽和外环冷却气槽的端面均开设有圆角。
[0008]作为本申请技术方案的一种优选实施方式，吸附层中部开设有冷却气体输入口，冷却气体输入口分别与内环冷却气道和外环冷却气道连通连接，冷却气体输入口的输入端位于底座的中部。
[0009]与现有技术相比，本技术的有益效果如下：
[0010]1.本申请技术方案通过在电极组A接点和电极组B接点与设备进行通电，随后电极组A和电极组B均为带电状态，电极组A和电极组B均距离吸附层表面具备一点的距离，可在吸附层表面形成静电场，从而达到吸附晶片的效果，由于电极组A接点和电极组B接点分别与电极组A和电极组B电性接触，可直接通过拆卸吸附层整体进行更换，更换过程中电极组A接点和电极组B接点不会发生损伤，进而减少了检修工期，降低静电吸盘的应用成本。
[0011]2.本申请技术方案通过在冷却气体输入口与外部冷却气管进行连通，冷却气体输入口通入冷却气体后，冷却气体经过内环冷却气道b和外环冷却气道b分别传送至内环冷却气槽a和外环冷却气槽a处，从而对吸附层和晶片进行多单元降温，使吸附层与晶片接触面保持最佳的接触状态，提升装置吸附过程中的稳定性。
附图说明
[0012]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0013]图1为本技术一种半导体静电吸盘的正面平面示意图；
[0014]图2为本技术一种半导体静电吸盘的反面平面示意图；
[0015]图3为本技术一种半导体静电吸盘的剖面示意图；
[0016]图4为本技术一种半导体静电吸盘绝缘粘合剂的位置示意图。
[0017]图中：1、吸附层；2、底座；3a、内环冷却气槽；3b、内环冷却气道；4a、外环冷却气槽；4b、外环冷却气道；5、顶升柱孔；6、安装孔；7、定位销孔；101、电极组A接点；102、电极组B接点；110、冷却气体输入口；300、电极组；301、电极组A；302、电极组B；404、绝缘粘合剂、。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0019]实施例1，如图1
‑
4所示，本技术提供一种技术方案：一种半导体静电吸盘，包括底座2，底座2顶部表面开设有安装孔6，底座2顶部表面固定安装有吸附层1，吸附层1表面开设有外环冷却气槽4a、外环冷却气道4b、内环冷却气槽3a和内环冷却气道3b，外环冷却气槽4a与外环冷却气道4b连通连接，内环冷却气槽3a与内环冷却气道3b连通连接，外环冷却气道4b位于内环冷却气道3b的外侧，吸附层1表面开设有顶升柱孔5，吸附层1内部固定安装有电极组300，电极组300内部固定安装有电极组A301和电极组B302，吸附层1底部表面固定安装有电极组A接点101和电极组B接点102，电极组A接点101与电极组A301电性接触，电极组B接点102与电极组B302电性接触，底座2的底部表面开设有定位销孔7。
[0020]在本技术的一个具体实施例中，底座2采用诸如铝合金材料制作，其表面采用硬质硫酸阳极处理或陶瓷热喷涂处理，避免底座2直接暴露在等离子卤素环境中造成底座2金属被氧化并产生颗粒，底座2进行表面处理后具有优良的耐热性、抗氧化性、耐腐蚀性和耐老化性等；其中吸附层1外部采用诸如聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚氨酯、硅橡胶等或其他绝缘材料制作，电极组A301和电极组B302为直流高压电极组，采用诸如铜箔、银箔、金箔等一种或者多种导体材料制作，电极组A接点101和电极组B接点102通过导线与设备进行通电，电极组A接点101和电极组B接点102外部采用诸如聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚氨酯、硅橡胶等或其他绝缘材料制作，由于电极组A接点101和电极组B接点102分别与电极组A301和电极组B302电性接触，使得电极组A301和电极组B302均处于带电状态，电极组A301和电极组B302与吸附层1上的标注晶片产生极化效应，产生相互静电引力，从而达到吸附晶片的效果，当吸附层1内部的电极组A301和电极组B302发生损坏时，可直接拆卸吸附层1，更换过程中电
极组A接点101和电极组B接点102不会发生损伤，进而减少了检修工期，降低静电吸盘的应用成本，通过冷却气体输入口110与外部冷却气管进行连通，冷却气体输入口110通入冷却气体后，冷却气体经过内环冷却气道3b和外环冷却气道4b分别传送至内环冷却气槽3a和外环冷却气槽4a处，从而对吸附层1和晶片进行多单元降温，使吸附层1与晶片接触面保持最佳的接触状态，提升装置吸附过程中的稳定性，内环冷却气槽3a和外环冷却气槽4a在处于工艺阶段时截面为矩形状态，表面为凹面可以存储一定容量的冷却气体，可以更多为冷却气体提供与晶片的解接触面积，该截面上缘采用圆角过渡，这有利于避免冷却气槽过于尖锐，达到保护接触晶片的效果，电极组B302和电极组A301之间填充有绝缘粘合剂404，可增强电极组A301和电极组B302之间绝缘性能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体静电吸盘，包括底座（2），其特征在于：所述底座（2）顶部表面开设有安装孔（6），所述底座（2）顶部表面固定安装有吸附层（1），所述吸附层（1）表面开设有外环冷却气槽（4a）、外环冷却气道（4b）、内环冷却气槽（3a）和内环冷却气道（3b），所述外环冷却气槽（4a）与外环冷却气道（4b）连通连接，所述内环冷却气槽（3a）与内环冷却气道（3b）连通连接，所述外环冷却气道（4b）位于内环冷却气道（3b）的外侧，所述吸附层（1）表面开设有顶升柱孔（5），所述吸附层（1）内部固定安装有电极组（300），所述电极组（300）内部固定安装有电极组A（301）和电极组B（302），所述吸附层（1）底部表面固定安装有电极组A接点（101）和电极组B接点（102），所述电极组A接点（101）与电极组A（301）电性接触，所述电极组B接点（102）与电极组B（302）电性接触，所述底座（2）的底部表面开设有定位销孔（7）。2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘斌，
申请(专利权)人：广东海拓创新技术有限公司，
类型：新型
国别省市：