一种可用于低温固态互连技术的表面态纳米氧化银的制备方法技术

本发明专利技术涉及全金属固态互连领域，具体涉及一种可用于低温固态互连技术的表面态纳米氧化银的制备方法。表面态纳米氧化银的制备方法包括：采用微波富氧等离子体处理银表面，制得表面态纳米氧化银；所述微波富氧等离子体由氧气与惰性气体通过辉光放电形成。银

【技术实现步骤摘要】
一种可用于低温固态互连技术的表面态纳米氧化银的制备方法


[0001]本专利技术涉及全金属固态互连领域，具体涉及一种可用于低温固态互连技术的表面态纳米氧化银的制备方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路技术的飞速发展，已经提出了2.5D/3D封装、倒装焊、晶圆级封装等先进的封装技术，在众多封装技术中，最为关键的一环便是晶圆与晶圆、芯片与芯片、芯片与基板等之间的互连。封装行业大部分互连环节均是用无铅焊料进行连接。然而在先进封装工艺使用微凸点进行互连时，由于微凸点体积微小，此时尺寸效应显著增强，这使得无铅焊料本身存在可靠性问题，如脆性金属间化合物、电迁移、热迁移等。为了消除焊料存在的问题，以及避免可能出现的可靠性问题，在先进封装中实现全金属固态互连是替代当前微凸点互连的理想方案之一。
[0003]采用表面活化键合(SAB)能够实现在室温和低压条件下晶圆级固态互连。通过等离子体对Cu
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Cu待键合表面进行轰击活化处理，使互连表面非晶区原子接触后，在范德华力产生界面间相互吸引并重排，其键合强度能达到20MPa左右。但SAB工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种表面态纳米氧化银的制备方法，其特征在于，包括：采用微波富氧等离子体处理银表面，制得表面态纳米氧化银；所述微波富氧等离子体由氧气与惰性气体通过辉光放电形成。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述微波富氧等离子体由氧气与氩气通过辉光放电形成。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述辉光放电的起辉功率为25W～200W。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述辉光放电的起辉功率为40～60W。5.根据权利要求1～4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述表面态纳米氧化银的颗粒尺寸为20～60nm。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述表面态纳米氧化银的颗粒尺寸为25～30nm。7.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍永隽，谷松昭，王泰宇，方叶星，赵修臣，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：