SIP封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种SIP封装结构及其制备方法，所述SIP封装结构包括下载板、与所述下载板间隔设置的上载板、设于所述上载板与所述下载板之间的互连结构件；所述互连结构件至少包括第一组导电柱、与所述第一组导电柱间隔设置的第二组导电柱、连接所述第一组导电柱与所述第二组导电柱的连接块，所述连接块位于所述第一组导电柱与所述第二组导电柱之间；提高各组导电柱的站立能力，从而在回流焊之前各组导电柱能够站立以支撑所述上载板；同时，能够提高各组导电柱的自对位性能，减小在回流焊过程中各组导电柱的位置的偏移，使所述SIP封装结构能够实现工业化生产。够实现工业化生产。够实现工业化生产。

【技术实现步骤摘要】
SIP封装结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装领域，尤其涉及一种SIP封装结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]在半导体行业中，系统级封装(SIP，System In Package)模组主要是将多种功能芯片集成在一个封装内，达到功能整合的目的。
[0003]SIP三维封装结构一般包括第一载板、设于所述第一载板上侧且与所述第一载板间隔设置的第二载板、用以支撑所述第二载板且将所述第一载板与所述第二载板电性连接的导电柱。但是，在第一载板与第二载板之间距离较大，即，需要用超高的导电柱实现第一载板与第二载板之间的导通的SIP三维封装结构实现工业化具有如下几个技术难点：1)在回流焊之前小而高的导电柱无法站立；2)由于导电柱较高，且上下导通的焊盘以及焊盘之间间距较小，在贴装导电柱的过程中锡膏的张力无法支撑导电柱，而被导电柱压塌，即导电柱无法通过锡膏的张力实现自对位，易产生位置偏移；3)因导电柱在制造过程中存在制造公差，在不同批次的导电柱贴装后易导致所述导电柱的上表面高度不一致，而导致部分导电柱与第二载板之间无法实现电性连接。
[0004]有鉴于此，有必要提供一种新的SIP封装结构及其制备方法以解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种SIP封装结构及其制备方法。
[0006]为实现上述专利技术目的，本专利技术采用如下技术方案：一种SIP封装结构，包括下载板、与所述下载板间隔设置的上载板、设于所述上载板与所述下载板之间的互连结构件；所述互连结构件至少包括第一组导电柱、与所述第一组导电柱间隔设置的第二组导电柱、连接所述第一组导电柱与所述第二组导电柱的连接块，所述连接块位于所述第一组导电柱与所述第二组导电柱之间。
[0007]作为本专利技术进一步改进的技术方案，每一组所述导电柱中与所述连接块相连接的部分结构与所述连接块一体设置。
[0008]作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述连接块的下表面具有若干第一焊盘，所述下载板具有与所述若干第一焊盘一一对应的第二焊盘；和/或所述连接块的上表面具有若干第三焊盘，所述上载板具有与所述若干第三焊盘一一对应的第四焊盘。
[0009]作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述第一组导电柱以及第二组导电柱的下表面均与所述连接块的下表面共面。
[0010]作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述第一组导电柱和所述第二组导电柱的高度为H；沿两组导电柱的排列方向，第一组导电柱的宽度为W1，第二组导电柱的宽度为W2，所述连接块位于两组导电柱之间的长度L≥H
‑
W1‑
W2。
[0011]作为本专利技术进一步改进的技术方案，每一组导电柱包括围设形成容置区的多个子导电柱，所述连接块位于两组导电柱中相邻的两个子导电柱之间。
[0012]为实现上述专利技术目的，本专利技术还提供一种SIP封装结构的制备方法，包括如下步骤：
[0013]在下载板上贴装互连结构件，所述互连结构件包括第一组导电柱、与所述第一组导电柱间隔设置的第二组导电柱、连接所述第一组导电柱与所述第二组导电柱的连接块，所述连接块位于所述第一组导电柱与所述第二组导电柱之间；
[0014]在下载板的工作区域内贴装元器件形成下模组，其中元器件位于每一组导电柱围设形成的容置区内；
[0015]将上模组置于下模组上；
[0016]进行回流焊，将两个模组电性导通。
[0017]作为本专利技术进一步改进的技术方案，“在下载板上贴装互连结构件”具体为：在下载板上与每组导电柱相对应的焊盘上涂覆锡膏，并在下载板上与连接块的下表面的第一焊盘对应的第二焊盘上涂覆锡膏，将所述互连结构件贴装至所述下载板上。
[0018]作为本专利技术进一步改进的技术方案，“将上模组置于下模组上”具体为：在互连结构件以及需要与所述上模组电性连接的元器件的上表面涂覆锡膏，然后将所述上模组置于下模组上。
[0019]作为本专利技术进一步改进的技术方案，“进行回流焊，将两个模组电性导通”后，所述SIP封装结构的制备方法还包括如下步骤：
[0020]填充塑封料，包覆需要被塑封的元器件；
[0021]将连接块及与其对应的上载板、下载板切除。
[0022]本专利技术的有益效果是：本专利技术中的SIP封装结构中通过设置连接块将第一组导电柱与第二组导电柱连接为一整体，提高各组导电柱的站立能力，从而在回流焊之前各组导电柱能够站立以支撑所述上载板；同时，能够提高各组导电柱的自对位性能，减小在回流焊过程中各组导电柱的位置的偏移，使所述SIP封装结构能够实现工业化生产。
附图说明
[0023]图1是本专利技术中的SIP封装结构的截面图。
[0024]图2是图1中A处的放大图。
[0025]图3是图1中的SIP封装结构切割后成型的单颗产品的截面图。
具体实施方式
[0026]以下将结合附图所示的各实施方式对本专利技术进行详细描述，请参照图1至图3所示，为本专利技术的较佳实施方式。但应当说明的是，这些实施方式并非对本专利技术的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本专利技术的保护范围之内。
[0027]请参图1
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图2所示，本专利技术提供一种SIP封装结构100，所述SIP封装结构100具有至少两个产品单元，即所述SIP封装结构100为未切割为单颗产品之前的半成品，通过切割所述SIP封装结构100可形成获得单颗产品。
[0028]所述SIP封装结构100包括下载板1、与所述下载板1间隔设置的上载板2、设于所述上载板2与所述下载板1之间的互连结构件3，所述互连结构件3能够电性导通所述上载板2
以及所述下载板1，同时，所述互连结构件3能够支撑所述上载板2，使所述上载板2与所述下载板1之间具有设置元器件4的间隙。
[0029]具体地，所述上载板2以及所述下载板1可采用现有的基板、或引线框架、或层叠基板、或MIS(Molded Interconnect System)塑封互联基板、或重布线堆叠层等，其具有相对平整的上表面和下表面，所述上表面以及下表面之间具有电性导通的线路层。
[0030]所述互连结构件3至少包括第一组导电柱31、与所述第一组导电柱31间隔设置的第二组导电柱32、连接所述第一组导电柱31与所述第二组导电柱32的连接块33，所述连接块33位于所述第一组导电柱31与所述第二组导电柱32之间，即，所述连接块33将所述第一组导电柱31与所述第二组导电柱32连接为一整体，能够提高各组导电柱的站立能力，从而在回流焊之前所述各组导电柱能够站立以支撑所述上载板2；同时，能够提高各组导电柱的自对位性能，减小在回流焊过程中各组导电柱的位置的偏移，使所述SIP封装结构100能够实现工业化生产。
[0031]可以理解的是，所述连接块33不具备电路功能，仅用于将所述第一组导电柱31以及第二组导电柱32连接为一整体，提高所述第一组导电柱31与所述第二组导电柱32的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SIP封装结构，包括下载板、与所述下载板间隔设置的上载板、设于所述上载板与所述下载板之间的互连结构件；其特征在于：所述互连结构件至少包括第一组导电柱、与所述第一组导电柱间隔设置的第二组导电柱、连接所述第一组导电柱与所述第二组导电柱的连接块，所述连接块位于所述第一组导电柱与所述第二组导电柱之间。2.如权利要求1所述的SIP封装结构，其特征在于：每一组所述导电柱中与所述连接块相连接的部分结构与所述连接块一体设置。3.如权利要求1所述的SIP封装结构，其特征在于：所述连接块的下表面具有若干第一焊盘，所述下载板具有与所述若干第一焊盘一一对应的第二焊盘；和/或所述连接块的上表面具有若干第三焊盘，所述上载板具有与所述若干第三焊盘一一对应的第四焊盘。4.如权利要求1所述的SIP封装结构，其特征在于：所述第一组导电柱以及第二组导电柱的下表面均与所述连接块的下表面共面。5.如权利要求1所述的SIP封装结构，其特征在于：所述第一组导电柱和所述第二组导电柱的高度为H；沿两组导电柱的排列方向，第一组导电柱的宽度为W1，第二组导电柱的宽度为W2，所述连接块位于两组导电柱之间的长度L≥H
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W1‑
W2。6.如权利要求1所述的SIP封装结构，其特征在于：每一组导电柱包括围设形成容置区的多个子...

【专利技术属性】
技术研发人员：史海涛，林耀剑，周青云，刘硕，徐晨，何晨烨，
申请(专利权)人：长电科技管理有限公司，
类型：发明
国别省市：