本发明专利技术提供了一种半导体清洗设备的加液方法及装置，其中，半导体清洗设备的加液方法，包括：S1，检测清洗槽内是否有残存液体，若是，则进行步骤S2;S2，排出残存液体，重复所述步骤S1，若否则进行步骤S3；S3，获取设定的清洗槽需要的药液总量与配比，以及获取设定的所述溶液加入顺序；S4,依据所述药液的配比以及加入顺序，完成自动加液。通过将加液过程自动化，并将加液时各种溶液的加入顺序以及配比进行设定，多种药液按照加入顺序，依次加入到清洗槽中，从而避免药液因为顺序错误而导致的混合不均、不完全混合、产生其他化学反应等，大大提高了清洗的自动化程度以及可操作自由度。清洗的自动化程度以及可操作自由度。清洗的自动化程度以及可操作自由度。
【技术实现步骤摘要】
半导体清洗设备的加液方法及装置
[0001]本专利技术涉及半导体清洗领域，具体涉及一种半导体清洗设备的加液方法及装置。
技术介绍
[0002]在半导体槽式清洗设备中，对于晶圆的清洗，每个药槽的药液配比是很关键的，以及何时换液、补液的操作亦是如此。
[0003]目前，市面上大多槽式清洗设备都是传统的药液配比及补换液，很多情况下，只能达到晶圆的合格清洗度往上一点点。首先是需要人工手动去完成药液的补换液，且补换顺序是没有可设定的，灵活性较弱，配比相关精准设定不够人性化，可拓展选择空间小。
[0004]纵观整个半导体行业内清洗情况，有许许多多问题。比如出现飘片，多种药液未能混合均匀，或者药液反应剧烈，又或者反应不足等等情况，均能导致最后的晶圆清洗合格度不够。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的是提供一种半导体清洗设备的加液方法及装置。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种半导体清洗设备的加液方法，半导体设备包括多个清洗槽，所述加液方法包括以下步骤：S1,检测清洗槽内是否有残存液体，若是，则进行步骤S2;S2,打开电磁阀4排出残存液体，重复所述步骤S1，若否则进行步骤S3S3，获取设定的清洗槽需要的药液总量与配比，以及获取设定的所述溶液加入顺序；S4,依据所述药液的配比以及加入顺序，完成自动加液。
[0007]进一步的，S31,溶液配比为，双氧水：硫酸=9：1；S32,溶液加入顺序为，先加入双氧水，然后加入浓硫酸。
[0008]进一步的，在所述S5步骤之后，所述半导体清洗设备的加液方法还包括：S5,依据所述步骤S3获取的药液的配比以及加入顺序，对清洗槽进行补液。
[0009]进一步的，所述步骤S6包括：S51,判定是否到达补液条件；S52,当满足补液条件时，获取补液总量；S53,依据所述步骤获取的药液的配比以及加入顺序，完成清洗槽的补液。
[0010]进一步的，所述半导体清洗设备的加液方法还包括：S6,监测进入到清洗槽中的溶液量，当停止向清洗槽加入溶液时，将加入清洗槽中的溶液量与设定值进行比对，当两者不一致时，发出报警信号。
[0011]进一步的，所述补液条件为已清洗片数、已清洗批次、已清洗时间中的任意一种达到预设值。
[0012]进一步的，所述步骤S3还包括：
S33,将不同类型的晶圆所需的溶液的配比以及加入顺序进行存储；在对晶圆进行清洗时，直接调取存储的对应药液的配比以及加入顺序。
[0013]进一步的，在所述步骤S4中，设定多种药液的加入顺序时相同溶液只能选择一次进一步的，步骤S3还包括：将混合溶液的配比以及加入顺序进行显示。
[0014]本专利技术还提供了一种半导体清洗设备的加液装置，包括：判断模块，适于检测清洗槽内是否有残存液体，若是，则进行加液；排出模块，适于排出残存液体，直至清洗槽内无液体；设定模块，适于获取设定的清洗槽需要的药液总量与配比，以及获取设定的溶液所述溶液加入顺序；加液模块，适于依据所述溶液的配比以及加入顺序，完成自动加液。
[0015]本专利技术的有益效果是，本专利技术提供了一种半导体清洗设备的加液方法及装置，其中，半导体清洗设备的加液方法，包括：S1，检测清洗槽内是否有残存液体，若是，则进行步骤S2;S2，排出残存液体，重复所述步骤S1，若否则进行步骤S3；S3，获取设定的清洗槽需要的药液总量与配比，以及获取设定的所述溶液加入顺序；S4,依据所述药液的配比以及加入顺序，完成自动加液。通过将加液过程自动化，并将加液时各种溶液的加入顺序以及配比进行设定，多种药液按照加入顺序，依次加入到清洗槽中，从而避免药液因为顺序错误而导致的混合不均、不完全混合、产生其他化学反应等，大大提高了清洗的自动化程度以及可操作自由度。
附图说明
[0016]下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。
[0017]图1是本专利技术所提供的半导体清洗设备的加液方法的流程图。
[0018]图2是本专利技术所提供的向清洗槽中加入双氧水以及硫酸的程序流程图。
[0019]图3是本专利技术所提供的补液时的程序流程图。
[0020]图4是本专利技术所提供的半导体清洗设备的加液装置的原理框图。
[0021]图5是本专利技术所提供的电子设备的原理框图。
[0022]图6是本专利技术所提供的加液以及补液的执行机构的原理框图。
具体实施方式
[0023]现在结合附图对本专利技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本专利技术的基本结构，因此其仅显示与本专利技术有关的构成。
[0024]实施例1如图1所示，本实施例1提供了一种半导体清洗设备的加液方法，通过将加液过程自动化，并将加液时各种溶液的加入顺序以及配比进行设定，多种药液按照加入顺序，依次加入到清洗槽中，从而避免药液因为顺序错误而导致的混合不均、不完全混合、产生其他化学反应等，大大提高了清洗的自动化程度以及可操作自由度。
[0025]具体来说，半导体清洗设备的加液方法包括以下步骤：S1，检测清洗槽内是否有残存液体，若是，则进行步骤S2；S2，排出残存液体，重复所述步骤S1，若否则进行步骤S3；
S3，获取设定的清洗槽需要的药液总量与配比，以及获取设定的所述溶液加入顺序。
[0026]具体来说，药液总量根据清洗槽的容量，以及晶圆清洗时所需的药液总量进行设定。
[0027]S31： 溶液配比为，双氧水：硫酸=9：1。
[0028]S32，溶液加入顺序为，先加入双氧水，然后加入浓硫酸。
[0029]其中，在本实施例中，所述溶液为双氧水与硫酸的混合溶液；溶液配比为，双氧水：硫酸=9：1；溶液加入顺序为，先加入双氧水，然后加入浓硫酸。加液的流程图如图2所示。
[0030]在其他实施例中，所述溶液由多种药液混合制成，溶液配比以及加入顺序根据所选溶液进行设定。
[0031]S33，将不同类型的晶圆所需的溶液的配比以及加入顺序进行存储。
[0032]S34：将混合溶液的配比以及加入顺序进行显示。
[0033]具体来说，在对晶圆进行清洗时，直接调取存储的对应溶液的配比以及加入顺序。
[0034]S4：依据所述溶液的配比以及加入顺序，完成自动加液。
[0035]需要说明的是，在所述步骤S4中，设定多种药液的加入顺序时相同溶液只能选择一次。
[0036]在本实施例中，步骤S4之后，所述半导体清洗设备的加液方法还包括：S5：依据所述步骤S3获取的药液的配比以及加入顺序溶液，对清洗槽进行补液。
[0037]具体来说，步骤S15包括以下步骤：S51：判定是否到达补液条件。
[0038]其中，所述补液条件为已清洗片数、已清洗批次、已清洗时间中的任意一种达到预设值。
[0039]S52：当满足补液条件时，获取补液总量；S53：依据所述步骤获取的药液的配比以及加入顺序，完成清洗槽的补液。
[0040]具体来说，补液时的程序流程图如图本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体清洗设备的加液方法，其特征在于，半导体设备包括多个清洗槽，所述加液方法包括以下步骤：S1，检测清洗槽内是否有残存液体，若是，则进行步骤S2;S2，排出残存液体，重复所述步骤S1，若否则进行步骤S3；S3，获取设定的清洗槽需要的药液总量与配比，以及获取设定的溶液所述溶液加入顺序；S4,依据所述溶液的配比以及加入顺序，完成自动加液。2.如权利要求1所述的半导体清洗设备的加液方法，其特征在于，溶液S31，溶液配比为，双氧水：硫酸=9：1；S32，溶液加入顺序为，先加入双氧水，然后加入浓硫酸。3.如权利要求1所述的半导体清洗设备的加液方法，其特征在于，在所述溶液S5步骤之后，所述半导体清洗设备的加液方法还包括：S5，依据所述步骤S3获取的药液的配比以及加入顺序溶液，对清洗槽进行补液。4.如权利要求3所述的半导体清洗设备的加液方法，其特征在于，所述溶液步骤S6包括：S51，判定是否到达补液条件；S52，当满足补液条件时，获取补液总量；S53，依据所述步骤获取的药液的配比以及加入顺序，完成清洗槽的补液。5.如权利要求4所述的半导体清洗设备的加液方法，其特征在于，所述半导体清洗设备的加液方法还包括：S6，监测...
【专利技术属性】
技术研发人员：左国军，陈佩华，范生刚，左钊，任金枝，
申请(专利权)人：常州捷佳创精密机械有限公司，
类型：发明
国别省市：
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