【技术实现步骤摘要】
一种划片刀铝飞盘用新型铝合金的制造方法
[0001]本专利技术属于铝合金熔铸领域,尤其涉及一种划片刀铝飞盘用新型铝合金的制造方法。
技术介绍
[0002]晶圆切割使用的划片刀是我国半导体封装产业链上缺失的一环,长期以来一直依赖进口,晶圆划片刀属消耗品,绝大部分硅片基底集成电路和器件产品在封装时,都需要使用划片刀进行切割。
[0003]半导体集成电路和器件市场的年增长率和全球GDP的年增长率同步,所以划片刀的需求量也在逐年增长。
[0004]国内无厂家能生产高端晶圆加工的划片刀,其主要问题是未掌握划片刀生产过程中铝飞盘原材料的特殊要求及精加工和刀片薄膜成型等关键核心技术。晶圆划片刀产品,特别是纳米级晶圆划片刀产品是用来加工超薄(100μm以下)、超小(比如150x150μm以下)、超脆(比如Low
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K晶圆)、超繁(比如近10层的金属层和相对应的介电层结构) 等特点的晶圆,要求该划片刀制作的每一个工序和工艺不仅苛刻,而且需要一系列的相关制作技术。切割质量标准是芯片完整、不能产生微裂纹、界面不能剥离、芯片边缘不能有毛刺、背面边界不能崩裂、边角不能脱落等,所有这些条件都是以微米级来衡量的。
技术实现思路
[0005]为解决上述现有技术中铝合金硬度偏低、析出物尺寸过大不均一、碱浸减薄的铝基体出现凹坑致使刀刃表面形成凸起的问题,本专利技术提供一种划片刀铝飞盘用新型铝合金的制造方法。
[0006]本专利技术的技术方案:一种划片刀铝飞盘用新型铝合金的制造方法,所述制造方法包 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种划片刀铝飞盘用新型铝合金的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括如下步骤:(1)配料,按要求确定配制铝合金的主要元素及含量;(2)准备原材料,准备重熔用铝锭、Mg锭、Al
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Mn中间合金、Al
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Cr中间合金、Al
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Zr中间合金、Al
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V中间合金、Al
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Be中间合金、Al
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Ti中间合金;(3)将上述步骤(2)准备的除Mg锭的原材料装入加热熔化;(4)控制熔化后的原料的温度为740℃
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750℃时,加入Mg锭并充分搅拌,取样化验成分;(5)导炉、精炼、静置;在成分合格后,将上述步骤(4)的熔体导入至保温炉,进行精炼,精炼后静置,控制熔体温度为740℃
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750℃;(6)铸造;将上述步骤(5)的熔体放出,经过除气箱、过滤箱及铸盘,铸造成铸棒;(7)均匀化;将上述步骤(6)铸造的铸棒进行均匀化处理,处理后得到划片刀铝飞盘用新型铝合金。2.根据权利要求1所述的划片刀铝飞盘用新型铝合金的制造方法,其特征在于,所述铝合金的主要元素及含量为Si 0.4%
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0.5%,Fe 0.4%
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0.6%,Cu 0.1%
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0.3%,Mn 0.4%
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1.0%,Mg 4.0%
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4.9%,Cr 0.05%
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0.25%,Zn 0.20%
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0.4%,Ti 0.15%
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0.3%,Zr 0.05%
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0.10%,V 0.02%
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0.05%,余量为Al。3.根据权利要求2所述的划片刀铝飞...
【专利技术属性】
技术研发人员:袁春龙,范长龙,姚佳奇,杨靖,张智,李彦超,
申请(专利权)人:光智科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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