【技术实现步骤摘要】
一种4H
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SiC基超结功率MOSFET结构
[0001]本技术涉及到半导体功率器件
，具体涉及一种4H
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SiC基超结功率MOSFET结构。
技术介绍
[0002]超结功率MOSFET(即金属
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氧化物
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半导体场效应晶体管)是为改善传统功率MOSFET中击穿电压(BV)与比导通电阻(R
ON,SP
)之间的矛盾而提出的结构，它将击穿电压与比导通电阻之间的关系由传统功率MOSFET的2.5次方改写为1.3次方，极大地降低了功率MOSFET的导通电阻，减小了芯片的面积，因此被广泛地应用于中低功率电源设备中。
[0003]4H
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SiC基超结功率MOSFET是一个少子导电器件，导通时只有一种载流子参与导电，比如在n型沟道器件中，只有电子参与导电，电子在超结结构的n柱中流动；与此同时超结结构中的p柱则对器件导通电流的能力没有贡献，它的作用在于正向阻断时提供电离受主杂质，以便吸收n柱中的电离施主杂质发出的电力线，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种4H
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SiC基超结功率MOSFET结构，其元细胞结构包括漏极、源极与栅极，其特征在于：还包括耐压层、缓冲阻挡层、半导体体区、半导体源区以及半导体衬底层，所述耐压层设于所述缓冲阻挡层的上方，在所述耐压层的上侧设置所述半导体体区，所述半导体源区位于所述半导体体区内，所述栅极覆盖在部分所述耐压层、部分所述半导体体区以及部分半导体源区的表面，在所述半导体体区还形成有沉降槽，在所述沉降槽内设置所述源极，且该源极还与所述半导体源区通过导体相连，所述半导体衬底层覆盖在所述缓冲阻挡层的下表面，在所述半导体衬底层的下表面覆盖导体形成所述漏极。2.根据权利要求1所述的4H
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SiC基超结功率MOSFET结构，其特征在于：所述耐压层由相互接触的具有某一种导电类型的第一半导体漂移区以及具有与所述第一半导体漂移区的导电类型相反的导电类型的第二半导体漂移区构成，所述第一半导体漂移区的上表面与所述栅极、部分所述半导体体区的下表面相接触，所述第二半导体漂移区的上表面与所述半导体体区相接触。3.根据权利要求2所述的4H
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SiC基超结功率MOSFET结构，其特征在于：所述第一半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢速，
申请(专利权)人：杰平方半导体上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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