一种新型的单晶炉加热装置制造方法及图纸

技术编号:35565655 阅读:66 留言:0更新日期:2022-11-12 15:49
本实用新型专利技术属于单晶硅生产设备技术领域,具体涉及一种新型的单晶炉加热装置。本实用新型专利技术采用的技术方案为包括第一加热部件包括两个相互并联并且互为镜像的加热半环,加热半环端部对接并且可拆卸连接形成圆环状,每个加热半环包括两组上下层叠并且相互镜像的波浪形的第一加热体,两个第一加热体一体成型设置;第二加热部件包括两个相互并联并且互为镜像的加热板,两个加热板两端对接并且可拆卸连接,每个加热板包括两个相互并联的波浪形的第二加热体,两个第二加热体实体区域正对并且一体成型设置。本实用新型专利技术通过通过采用整体大并联结合局部小并联的结构,有效的提高热场的均匀性,缩短化料时间,并且提高了系统的稳定性和安全性。和安全性。和安全性。

【技术实现步骤摘要】
一种新型的单晶炉加热装置


[0001]本技术属于单晶硅生产设备
,具体涉及一种新型的单晶炉加热装置。

技术介绍

[0002]单晶硅片是制造芯片和硅基电池的重要材料,而单晶硅生产主要通过直拉法工艺。其单晶生长设备成本主要由炉体、电器部分、热场系统、水冷系统、真空系统和氩气供给装置六部分构成,其热场系统主要由导流筒、各种石墨件、加热器及保温材料等成套部件构成。而加热器作为单晶炉热场系统的核心部件,对热场温度分布及晶体品质的控制起至关重要的作用,合理的加热器结构,不仅可以提供合适额温度梯度,提高晶体质量,同时也可提高热场使用寿命,降低设备成本及风险。
[0003]目前,对于大尺寸单晶炉多采用双加热结构,即环形加热器+底部加热器的机构,这样可以提高热场的均匀性,缩短化料时间,有效解决热场控制难及熔硅再结晶的问题。
[0004]但是,目前环形加热器和底部加热器环形半圆为串联结构,整体为大并联结构,在使用过程中串联电路中一处断开整个电路没有电流通过,引起发热体局部电流过大导致无法使用,严重影响设备的正常使用。/>
技术实现思路

...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型的单晶炉加热装置,其特征在于,包括:环形的第一加热部件(1)和设置在第一加热部件(1)下方的板状的第二加热部件(2),所述第一加热部件(1)下端设置有至少一组地脚(3),所述地脚(3)上可拆卸连接第二加热部件(2);其中,所述第一加热部件(1)包括两组相互并联并且互为镜像的加热半环(11),加热半环(11)端部对接并可拆卸连接形成圆环状,每个所述加热半环(11)包括两个上下层叠并且互为镜像的波浪形的第一加热体(111),所述两个第一加热体(111)在波谷处一体成型连接;所述第二加热部件(2)包括两个相互并联并且互为镜像的加热板(21),所述两个加热板(21)两端对接并且可拆卸连接,所述每个加热板(21)包括两个相互并联的波浪形的第二加热体(211),所述两个第二加热体(211)实体区域正对并且一体成型连接。2.根据权利要求1所述的一种新型的单晶炉加热装置,其特征在于,所述第一加热体(111)为方波形,所述第二加热体(211)为圆弧波浪形。3.根据权利要求2所述的一种新型的单晶炉加热装置,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:任杰
申请(专利权)人:乌海市京运通新材料科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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