一种单晶炉及单晶硅制备方法技术

本申请公开了一种单晶炉及单晶硅制备方法，单晶炉包括：炉盖、炉筒、上保温节、下保温节、水冷热屏以及托举装置；上保温节和保温节设置于炉筒内；水冷热屏包括设置于上保温节内的水冷热屏本体和两个左右对称设置的吊臂，水冷热屏本体设置有与吊臂对应设置的水冷热屏横梁，吊臂的底部与水冷热屏横梁连接，吊臂的顶部穿出炉盖；托举装置包括在吊臂提升作用下托举上保温节使其与下保温节之间产生散热间隙的托举盘以及与托举盘连接的连杆，连杆连接有连杆套环，连杆套环套设在吊臂上。提升上保温节使其与下保温节产生缝隙，炉筒内热量可以加速散失，节省冷却时间30％以上，提高生产效率，拆炉温度控制在200℃以下，减少石墨件氧化，提高热场使用寿命。提高热场使用寿命。提高热场使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉及单晶硅制备方法


[0001]本申请涉及单晶硅生长设备
，特别是涉及一种单晶炉及单晶硅制备方法。

技术介绍

[0002]目前单晶生产流程是，生产完毕后，需要将热场冷却后拆炉，再把热场中每个部件拆出清理，然后重新装炉投料生产。然而，现有的冷却方法，存在着以下问题，有待解决：
[0003]1.现有单晶炉热场中，为了减少热量从炉内散失，节省热场功率，热场外面包裹多层碳基保温材料。拉晶完毕关停加热器后，热场内的余热主要通过氩气气流和单晶炉四周不锈钢炉体，以及不锈钢炉体内的循环水带走。热场外面包裹保温性很强的保温材料，导致热量散失缓慢，冷却时间较长，生产效率低；
[0004]2.停炉达到规定时间后，热场温度依然有300
°
左右，拆炉后，热场部件由于温度高而出现局部氧化，导致热场部件寿命偏低，生产成本较高。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种单晶炉及单晶硅制备方法，能将热场的冷却时间缩短30％以上，并且控制拆炉温度在200
°
以下，有效的减弱了热场部件的氧化，提高了石本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉，其特征在于，包括：炉盖(1)、炉筒(2)、上保温节(3)、下保温节(4)、水冷热屏以及托举装置(6)；其中，所述上保温节(3)和所述下保温节(4)均设置于所述炉筒(2)内，且上下设置；所述水冷热屏包括设置于所述上保温节(3)内的水冷热屏本体(51)和两个左右对称设置的吊臂(52)，所述水冷热屏本体(51)设置有与所述吊臂(52)对应设置的水冷热屏横梁(53)，所述吊臂(52)的底部与所述水冷热屏横梁(53)连接，所述吊臂(52)的顶部穿出所述炉盖(1)；所述托举装置(6)包括在所述吊臂(52)提升作用下托举所述上保温节(3)使其与所述下保温节(4)之间产生散热间隙的托举盘(61)以及与所述托举盘(61)连接并竖向设置的连杆(62)，所述连杆(62)远离所述托举盘(61)的一端连接有连杆套环(63)，所述连杆套环(63)套设在所述吊臂(52)上。2.根据权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述上保温节(3)包括上保温筒(31)和包裹于所述上保温筒(31)外周壁的上保温筒软毡(32)；所述下保温节(4)包括下保温筒(41)和包裹于所述下保温筒(41)外周壁的下保温筒软毡(42)。3.根据权利要求2所述的单晶炉，其特征在于，所述托举盘(61)位于所述上保温筒软毡(32)的底部且与其连接，所述托举盘(61)仅接触支撑所述上保温筒软毡(32)的底部；所述散热间隙为所述上保温筒软毡(32)和所述下保温筒软毡(42)之间的间隙。4.根据权利要求3所述的单晶炉，其特征在于，所述上保温筒软毡(32)的提升高度L2大于或等于200mm。5.根据权利要求2所述的单晶炉，其特征在于，所述托举盘(61)位于所述上保温筒(31)和所述上保温筒软毡(32)的底部且与两者同时连接，所述托举盘(61)同时接触支撑所述上保温筒(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏立宁，刘成杰，王建超，
申请(专利权)人：晶澳太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：