一种用于人工晶体炉的冷却屏升降装置制造方法及图纸

一种用于人工晶体炉的冷却屏升降装置，涉及人工晶体制备技术领域，本实用新型专利技术通过在上炉室（1）和下炉室（12）之间设置阀门，然后将冷却屏（11）连接升降臂（7），将升降臂连接升降器（4），由升降臂带动冷却屏在上炉室和下炉室的腔体内上下移动，实现了在不停炉的情况下对冷却屏上附着的挥发物进行清理，同时还避免了在加热时，冷却屏吸收加热器的热量等，降低了人工的劳动强度，提高了生产效率等，适合大范围的推广和应用。的推广和应用。的推广和应用。

【技术实现步骤摘要】
一种用于人工晶体炉的冷却屏升降装置


[0001]本技术涉及人工晶体制备
，尤其涉及一种冷却屏升降装置，具体涉及一种用于人工晶体炉的冷却屏升降装置。

技术介绍

[0002]以多/单晶硅为例，当采用提拉法生产硅棒或硅芯时（即将硅料放置在坩埚中加热熔化形成熔体，然后将籽晶与熔体表面接触后进行硅棒或硅芯的提拉，并在受控条件下，使籽晶和熔液在交界面上不断进行原子或分子的重新排列，随降温逐渐凝固而生长出新的硅棒或硅芯），在利用提拉法制备硅棒或硅芯的过程中，冷却屏的应用非常广泛，其主要作用是提高长晶速率和长晶质量，降低成本。冷却屏的应用成了该领域技术革新的重点，通过冷却屏的应用，使拉速由2mm/min向3mm/min突进，而在实际应用中，如图1所示，大多数企业使用的冷却屏11都是固定在下炉室12的内壁上，无法实现冷却屏11的升降，也就是说其不能实现升降。
[0003]专利技术人经过检索发现，中国专利技术专利，专利号为202110024156.3，申请日为2021年1月8日，专利名称为一种长晶炉，该专利中给出了可以使冷却屏11在下炉室12内实现小本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于人工晶体炉的冷却屏升降装置，包括上炉室（1）、升降器（4）、升降臂（7）和阀门， 其特征是：所述上炉室（1）设置在下炉室（12）的上方，在上炉室（1）的下端面与下炉室（12）的上端面之间设有阀门，在上炉室（1）内设有至少一根升降臂（7），所述升降臂（7）的下端头连接冷却屏（11）并带动冷却屏（11）在上炉室（1）和下炉室（12）的腔体内上下移动，升降臂（7）的上端头穿过上炉室（1）连接设置在上炉室（1）外部的升降器（4），由所述升降器（4）驱动升降臂（7）做上下运动形成所述的用于人工晶体炉的冷却屏升降装置。2.根据权利要求1所述的用于人工晶体炉的冷却屏升降装置，其特征是：所述升降臂（7）的侧壁上设有冷却介质通道；或升降臂（7）为中空结构，升降臂（7）中部的内孔为冷却介质通道，所述冷却介质通道的下端连接冷却屏（11）上的介质出口或介质入口，冷却介质通道的上端连接介质源。3.根据权利要求1所述的用于人工晶体炉的冷却屏升降装置，其特征是：所述升降臂（7）设置为两个，两个升降臂（7）对称设置在上炉室（1）内。4.根据权利要求1所述的用于人工晶体炉的冷却屏升降装置，其特征是：所述升降臂（7）设置为直线形结构或折线形结构。5.根据权利要求4所述的用于人工晶体炉的冷却屏升降装置，其特征是：所述升降臂（7）设置为折线形结构时，在上炉室（1）的外缘面上设有至少一个贯通至上炉室（1）内壁的线形槽（6），在所述线形槽（6）外围上炉室（1）的外缘面上设有罩体（5），升降臂（7）的折线段在线形槽（6）内上下移动，升降臂（7）的上端头穿过罩体（5）的上面连接设置在罩体（5）外面的升降器（4）。6.根据权利要求5所述的用于人工晶体炉的冷却屏升降装置，其特征是：所述上炉室（1）的替换结构为在上炉室（1）的外缘面上设有至少一个升降臂腔体（29），所述升降臂腔体（29）为环形结构或直线形结构，升降臂腔体（29）的内腔与上炉室（1）的内腔设置为一体形成一个整体的腔体，在升降臂腔体（29）的上面设有升降器（4），所述升降器（4）连接升降臂（7）的上端头。7.根据权利要求4所述的用于人工晶体炉的冷却屏升降装置，其特征是：所述升降臂（7）设置为直线形结构时，升降臂（7）的上端头穿过上炉室（1）的顶部连接设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭李梁，
申请(专利权)人：郭李梁，
类型：新型
国别省市：