【技术实现步骤摘要】
一种用于人工晶体炉的晶体冷却装置
[0001]本技术涉及人工晶体制备
，尤其涉及一种晶体冷却装置，具体涉及一种用于人工晶体炉的晶体冷却装置。
技术介绍
[0002]以多/单晶硅为例，多/单晶硅在整个生产过程中，硅芯的使用量非常大，现有的硅芯大多是通过区熔的方式制备获得的（主要通过高频线圈、籽晶夹头来完成拉制过程），其工作原理如下：工作时通过给高频线圈通入高频电流，高频感应加热，使高频线圈产生电流对原料棒产生磁力线，加热后的原料棒上端头形成融化区，然后将籽晶插入融化区，当籽晶的端头与原料棒的融区融为一体后，慢慢提升籽晶，融化后的原料融液就会跟随籽晶上升，形成一个新的柱形晶体，这个新的柱形晶体便是硅芯的制成品。
[0003]在实际生产过程中，发现硅芯制备过程中出现的余料，不小心折断的硅芯，多/单晶硅生产企业在还原、切割、磨抛等工艺阶段产生的碎料等处理非常繁琐，很多企业为了图省事，直接将上述碎料丢弃或者长期堆放在仓库中，还有一些企业将上述碎料进行回收，通过直拉炉拉制成硅棒，然后使用硅棒再拉制成硅芯，这样不仅增加了硅芯...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于人工晶体炉的晶体冷却装置，包括上法兰（3）、下法兰（5）、晶体冷却管（7）和冷却介质通道，其特征是：在所述上法兰（3）与下法兰（5）之间设有复数个晶体冷却管（7），在晶体冷却管（7）的外围设有冷却介质通道，所述冷却介质通道的进口通过管道连接冷却源，冷却介质通道的出口通过管道连接冷却介质回收机构形成所述的用于人工晶体炉的晶体冷却装置。2.根据权利要求1所述的用于人工晶体炉的晶体冷却装置，其特征是：所述下法兰（5）的下方设有冷却盘（25），所述冷却盘（25）的中部设有空腔（24），在所述空腔（24）内设有复数个固定柱（26），在每个固定柱（26）上分别设有晶体提拉孔（27），空腔（24）分别连通出水管（23）和进水管（28），所述出水管（23）和进水管（28）连通冷却介质通道。3.根据权利要求1所述的用于人工晶体炉的晶体冷却装置，其特征是：所述冷却介质通道设置的第一结构为在上法兰（3）与下法兰（5）之间设置连接筒（4），在所述连接筒（4）内设有复数个晶体冷却管（7），每个晶体冷却管（7）的上端分别连接设置在上法兰（3）上的晶体上穿孔（1），每个晶体冷却管（7）的下端分别连接设置在下法兰（5）上的晶体下穿孔（9），由连接筒（4）的内缘面与上法兰（3）下端面、下法兰（5）上端面之间的空腔形成冷却介质通道，在上法兰（3）上分别设有出水口（2）和进水口（6），所述出水口（2）和进水口（6）分别形成冷却介质通道的进口和出口。4.根据权利要求1所述的用于人工晶体炉的晶体冷却装置，其特征是：所述冷却介质通道设置的第二结构为在每个晶体冷却管（7）的外围分别套接套管（13），每个套管（13）的上端头分别连通设置在上法兰（3）中部的进水腔（11），每个套管（13）的下端头分别连通设置在下法兰（5）中部的集水腔（16），由套管（13）的内缘面与晶体冷却管（7）的外缘面之间的冷却腔（12）、进水腔（11）和集水腔（16）形成冷却介质通道，所述进水腔（11）连通进水口（6），所述集水腔（16）通过回水管（14）连接出水口（2），所述出水口（2）和进水口（6）分别形成冷却介质通道的进口和出口。5.根据权利要求1所述的用于人工晶体炉的晶体冷却装置，其特征是：所述冷却介质通道设置的第三结构为在每个晶体冷却管（7）的外围分别套接套管（13），在每个套管（13）的上端头分别设有向下凹陷的半圆台阶（22），每个套管（13）的上端头分别连通设置在上法兰（3）上部的进水腔（11），每个半圆台阶（22）的上端头分别连通设置在上法兰（3）下部的回水腔（20），每个套管（13）的下端头分别连通设置在下法兰（5）上部的集水腔（16），由套管（13）的内缘面与晶体冷却管（7）的外缘面之间的冷却腔（12）、进水腔（11）、回水腔（20）和集水腔（16）形成冷却介质通道，所述进水腔（11）连通进水口（6），所述回水腔（20）通过连接管（19）连接出水口（2），所述出水口（2）和进水口（6）分别形成冷却介质通道的进口和出口。6.根据权利要求1所述的用于人工晶体炉的晶体冷却装置，其特征是：所述冷却介质通道设置的第四结构为在每个...
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