高耐压的铝基覆铜板制造技术

本实用新型专利技术涉及覆铜板技术领域的高耐压的铝基覆铜板，包括基板，基板包括铝板层、绝缘层和铜箔层，铝板层位于基板的中部，绝缘层由半导体薄膜构成，半导体薄膜的内部包括N区和P区，N区与P区之间形成单向导通的PN结，半导体薄膜的N区与铜箔层进行贴合，半导体薄膜的P区与铝板层进行贴合，使铜箔层通电使与半导体薄膜内部形成反向PN结，提高了铝板层与铜箔层之间的绝缘耐压效果，使铝基覆铜板有效的在集成电路板上对电子元器件进行导通与连接，提高集成电路板的控制精度，同时可根据不同的集成电路板的电压要求，改变半导体薄膜的耐压厚度，使铝基覆铜板达到集成电路板所需要求，同时其结构简单，适合大范围推广。适合大范围推广。适合大范围推广。

【技术实现步骤摘要】
高耐压的铝基覆铜板


[0001]本技术涉及覆铜板
，具体为高耐压的铝基覆铜板。

技术介绍

[0002]铝基覆铜板即铝基板，是原材料的一种，它是以电子玻纤布或其它增强材料浸以树脂、单一树脂等为绝缘粘接层，一面或双面覆以铜箔并经热压而制成的一种板状材料，被称为覆铜箔层压铝基板，简称为铝基覆铜板。
[0003]由于现有的电器设备的功率越来越大对对集成电路板的耐压等级也在提高，铝基覆铜板作为集成电路板各个电子元器件的导通体，铝基覆铜板自身的耐压等级也需要提高，而现有的铝基覆铜板的铝板层与铜箔层之间的绝缘一般由高导热胶进行绝缘处理，耐压等级具有一定的极限。因此，针对这些现状，迫切需要开发一种高耐压的铝基覆铜板，以满足实际使用的需要。

技术实现思路

[0004]本技术针对的目的是解决以上缺陷，提供高耐压的铝基覆铜板。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案：
[0006]高耐压的铝基覆铜板，包括基板，基板包括铝板层、绝缘层和铜箔层，铝板层位于基板的中部，绝缘层包括上绝缘层和下绝缘层，上绝缘层和下绝缘层分别对称设于铝板层的顶端面与底端面，铜箔层包括上铜箔层和下铜箔层，上铜箔层和下铜箔层分别位于上绝缘层的表面和下绝缘层的表面，绝缘层由半导体薄膜构成，半导体薄膜的内部包括N区和P区，N区与P区之间形成单向导通的PN结，半导体薄膜的N区与铜箔层进行贴合，半导体薄膜的P区与铝板层进行贴合，使铜箔层通电使与半导体薄膜内部形成反向PN结。
[0007]上述说明中，作为优选的方案，基板为五层结构，基板呈双面覆铜结构。
[0008]上述说明中，作为优选的方案，半导体薄膜的厚度为0.001
‑
0.003mm。
[0009]上述说明中，作为优选的方案，铝板层的厚度为0.2
‑
3.0mm。
[0010]上述说明中，作为优选的方案，铜箔层由电解铜箔构成。
[0011]上述说明中，作为优选的方案，铝板层、绝缘层和铜箔层相互粘胶压合为一整体。
[0012]本技术所产生的有益效果如下：
[0013]本申请的高耐压的铝基覆铜板可通过半导体薄膜的单向导通的特性，提高了铝板层与铜箔层之间的绝缘耐压效果，使铝基覆铜板有效的在集成电路板上对电子元器件进行导通与连接，提高集成电路板的控制精度，同时可根据不同的集成电路板的电压要求，改变半导体薄膜的耐压厚度，使铝基覆铜板达到集成电路板所需要求，同时其结构简单，适合大范围推广。
附图说明
[0014]图1为本实施例立体结构示意图；
[0015]图2为本实施例内部结构示意图；
[0016]图中：1为上绝缘层，2为下绝缘层，3为铝板层，4为上铜箔层，5为下铜箔层，6为基板。
具体实施方式
[0017]为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例与附图对本技术作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本技术的限定。以下结合附图对本技术进行详细的描述。
[0018]请参阅图1
‑
2其具体实施的高耐压的铝基覆铜板，包括基板6，基板6包括铝板层3、绝缘层和铜箔层，铝板层3位于基板6的中部，绝缘层包括上绝缘层1和下绝缘层2，上绝缘层1和下绝缘层2分别对称设于铝板层3的顶端面与底端面，铜箔层包括上铜箔层4和下铜箔层5，上铜箔层4和下铜箔层5分别位于上绝缘层1的表面和下绝缘层2的表面，绝缘层由半导体薄膜构成，半导体薄膜的内部包括N区和P区，N区与P区之间形成单向导通的PN结，半导体薄膜的N区与铜箔层进行贴合，半导体薄膜的P区与铝板层3进行贴合，使铜箔层通电使与半导体薄膜内部形成反向PN结。
[0019]基板6为五层结构，基板6呈双面覆铜结构，半导体薄膜的厚度为0.002mm，铝板层3的厚度为1.5mm。
[0020]铜箔层由电解铜箔构成，铝板层3、绝缘层和铜箔层相互粘胶压合为一整体。
[0021]以上所述，仅是本技术较佳实施例而已，并非对本技术作任何形式上的限制，虽然本技术以较佳实施例公开如上，然而并非用以限定本技术，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本技术技术方案范围内，当利用上述揭示的
技术实现思路
作出些许变更或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本技术技术方案内容，依据本技术技术是指对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均属于本技术技术方案的范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.高耐压的铝基覆铜板，包括基板，基板包括铝板层、绝缘层和铜箔层，其特征在于：所述铝板层位于基板的中部，绝缘层包括上绝缘层和下绝缘层，上绝缘层和下绝缘层分别对称设于铝板层的顶端面与底端面，铜箔层包括上铜箔层和下铜箔层，上铜箔层和下铜箔层分别位于上绝缘层的表面和下绝缘层的表面，绝缘层由半导体薄膜构成，半导体薄膜的内部包括N区和P区，N区与P区之间形成单向导通的PN结，半导体薄膜的N区与铜箔层进行贴合，半导体薄膜的P区与铝板层进行贴合，使铜箔层通电使与半导体薄膜内部形成反向PN结。2.根据权利要求1所述的高耐压的铝...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨坤平，
申请(专利权)人：中山聚美新电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：