快恢复二极管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及一种快恢复二极管，包括阳极金属、P型轻掺杂区、P型重掺杂区、P型掺杂区、沟槽、N型漂移区、N型衬底和阴极金属；P型轻掺杂区的顶部与阳极金属连接，P型重掺杂区的顶部与阳极金属连接；沟槽位于P型轻掺杂区与P型重掺杂区之间，沟槽的深度大于P型轻掺杂区的深度，沟槽的深度大于P型重掺杂区的深度；沟槽内设有介质层；P型掺杂区设置于P型重掺杂区下方，并与沟槽底部连接；沟槽与P型掺杂区配合，形成相对于P型重掺杂区的半包围结构。本发明专利技术提供的快恢复二极管的半包围结构可保护结深较浅的P型重掺杂区，从而快恢复二极管能获得较宽的安全工作区。作区。作区。

【技术实现步骤摘要】
快恢复二极管及其制备方法


[0001]本专利技术属于功率半导体器件
，具体涉及快恢复二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]功率半导体器件广泛应用于电力电子领域，比如工业焊机、变频、光伏等，其中，快恢复二极管发挥着重要的续流作用。一般这种二极管采用传统的平面结构，工艺制造先后形成P型轻掺杂区域和P型重掺杂区域，并结合Pt（铂）掺杂或电子辐照的方式控制少子寿命，从而实现预期的导通压降及反向恢复损耗。
[0003]为进一步提高软度，减小损耗，通过减少P型轻掺杂区域的面积，并在相互分离的P型轻掺杂区域之间形成部分P型重掺杂区域实现动态优化；此类结构虽然损耗得以降低，但该结构会引起RBSOA（reverse biased safe operating area，反向偏置安全工作区）降低的问题，从而导致快恢复二极管器件安全工作区缩小。

技术实现思路

[0004]本专利技术针对现有技术的快恢复二极管安全工作区小的问题，提供一种快恢复二极管及其制备方法。
[0005]本专利技术的第一方面，提供一种快恢复二极管，包括阳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括阳极金属（1）、P型轻掺杂区（2）、P型重掺杂区（3）、P型掺杂区（4）、沟槽（5）、N型漂移区（6）、N型衬底（7）和阴极金属（8）；所述P型轻掺杂区（2）的顶部与阳极金属（1）连接，所述P型重掺杂区（3）的顶部与阳极金属（1）连接；所述N型漂移区（6）位于P型重掺杂区（3）下方；所述N型衬底（7）位于N型漂移区（6）下方；所述阴极金属（8）与N型衬底（7）的底部连接；所述沟槽（5）位于P型轻掺杂区（2）与P型重掺杂区（3）之间，沟槽（5）的深度大于P型轻掺杂区（2）的深度，沟槽（5）的深度大于P型重掺杂区（3）的深度；沟槽（5）内设有介质层（51）；所述P型掺杂区（4）设置于P型重掺杂区（3）下方，并与沟槽（5）底部连接；沟槽（5）与P型掺杂区（4）配合，形成相对于P型重掺杂区（3）的半包围结构。2.根据权利要求1所述一种快恢复二极管，其特征在于，所述沟槽（5）底部朝远离所述P型轻掺杂区（2）的方向延伸，沟槽（5）的截面为“L”型。3.根据权利要求1或2所述一种快恢复二极管，其特征在于，所述P型轻掺杂区（2）为两个，两个所述P型轻掺杂区（2）分别位于P型重掺杂区（3）的两侧；P型重掺杂区（3）两侧分别设有沟槽（5），两个沟槽（5）的底部分别设有P型掺杂区（4...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟聪，伍济，
申请(专利权)人：深圳市威兆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：