温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及一种快恢复二极管，包括阳极金属、P型轻掺杂区、P型重掺杂区、P型掺杂区、沟槽、N型漂移区、N型衬底和阴极金属；P型轻掺杂区的顶部与阳极金属连接，P型重掺杂区的顶部与阳极金属连接；沟槽位于P型轻掺杂区...
该专利属于深圳市威兆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市威兆半导体股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。