一种低擦除损伤的擦除方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

本申请涉及芯片技术领域，具体而言，涉及一种低擦除损伤的擦除方法、装置、电子设备及存储介质，该方法用于FLASH芯片擦除操作，包括:配置并打开擦除使能信号；根据擦除使能信号建立正高压和负高压，正高压和负高压中的至少一个为在擦除使能信号打开后逐步充电建立；利用建立稳定后的正高压和负高压对FLASH芯片上相应的存储单元进行擦除操作；正高压和负高压中的至少一个在擦除结束后逐步进行放电，并在放电结束后关闭擦除使能信号，该方法通过延长正高压和负高压的充电和放电的时间，有效防止正高压和负高压在充电和放电的过程中因耦合作用瞬间产生较大电压差击穿芯片而造成芯片损坏，从而提高了芯片的使用寿命。从而提高了芯片的使用寿命。从而提高了芯片的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种低擦除损伤的擦除方法、装置、电子设备及存储介质


[0001]本申请涉及芯片
，具体而言，涉及一种低擦除损伤的擦除方法、装置、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]在对FLASH芯片的读写擦除操作过程中，因为擦除操作过程中使用到的电压差最高，尤其是擦除操作建立时，芯片内部的正负高压建立的过程，因为一些类似电容耦合的作用，瞬间可能产生较高的电压差，在擦除操作结束时，擦除信号关闭，芯片内部的正负高压快速降低为0，也可能在瞬间产生较高的电压差，可能对芯片内部高压器件造成损伤，会增加芯片的待机功耗，严重时会影响芯片的功能和性能，尤其是在FLASH芯片工艺特征尺寸日益缩小之后，这个问题更加明显。虽然在产品出货前的测试可以通过压力测试对可能出现此问题的芯片进行筛除，但随之而来的是带来测试良率的损失，提高了芯片的成本，所以从源端解决此问题出现的设计方法迫在眉睫。
[0003]针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种低擦除损伤的擦除方法、装置、电子设备及存储介质，旨在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低擦除损伤的擦除方法，用于FLASH芯片擦除操作，其特征在于，所述方法包括以下步骤:配置并打开擦除使能信号；根据所述擦除使能信号建立正高压和负高压，所述正高压和所述负高压中的至少一个为在所述擦除使能信号打开后逐步充电建立；利用建立稳定后的所述正高压和所述负高压对FLASH芯片上相应的存储单元进行擦除操作；控制所述正高压和所述负高压中的至少一个为在擦除结束后逐步进行放电，并在放电结束后关闭所述擦除使能信号。2.根据权利要求1所述的一种低擦除损伤的擦除方法，其特征在于，所述根据所述擦除使能信号建立正高压和负高压的步骤中，所述正高压和/或所述负高压基于多个时钟周期进行逐步充电。3.根据权利要求1所述的一种低擦除损伤的擦除方法，其特征在于，所述负高压基于设置在负高压泵（31）和负高压输出端（32）之间的负高压缓冲放电电路进行逐步放电，所述正高压基于设置在正高压泵（21）和正高压输出端（22）之间的正高压缓冲放电电路进行逐步放电。4.根据权利要求3所述的一种低擦除损伤的擦除方法，其特征在于，所述正高压缓冲放电电路包括第一恒定电流源（23）或具有所述第一恒定电流源（23）的第一电流镜电路（24），所述第一恒定电流源（23）或具有所述第一恒定电流源（23）的第一电流镜电路（24）的一端与所述正高压泵（21）相连，另一端接地。5.根据权利要求3所述的一种低擦除损伤的擦除方法，其特征在于，所述正高压缓冲放电电路包括第一缓冲电阻（25），所述第一缓冲电阻（25）的一端与所述正高压泵（21）相连，另一端接地。6.根据权利要求3所述的一种低擦除损伤的擦除方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：温靖康，鲍奇兵，高益，王振彪，吴彤彤，
申请(专利权)人：芯天下技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：