一种MXene/NiO异质结的突触器件、制备方法及其应用技术

本发明专利技术提供了一种MXene/NiO异质结的突触器件、制备方法及其应用，该MXene/NiO异质结的突触器件，包括：基片，所述基片中设置有底部电极，其中，所述基片的上顶面暴露有所述底部电极；覆盖所述基片部分区域的MXene/NiO异质结层，所述MXene/NiO异质结层包括MXene层和NiO层，所述部分区域为基片对应的区域中除底部电极的其他区域；位于所述MXene/NiO异质结层顶面的顶部电极。本发明专利技术中的突触器件对电脉冲具有极快且敏感的响应，具有超低能耗，可用于构建人工神经网络系统。建人工神经网络系统。建人工神经网络系统。

【技术实现步骤摘要】
一种MXene/NiO异质结的突触器件、制备方法及其应用


[0001]本专利技术涉及人工突触器件
，尤其涉及一种MXene/NiO异质结的突触器件、制备方法及其应用。

技术介绍

[0002]忆阻器是一种新型信息器件，该理论在1971年由美国华裔教授蔡少棠提出，是在人们熟知的电阻、电容和电感三者以外的新型无源电路元件。忆阻器的阻值会随着通过的总电荷量发生变化，当电荷量不再变化，阻值便会停留在这一时刻之前的状态。
[0003]忆阻器被认为是人工神经突触的理想选择，在人工神经网络系统的领域具有发展前景。然而，现有忆阻器中的阻变材料常用的是单层的无机晶体材料或有机小分子材料，且功耗以及响应速度有待提高。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种MXene/NiO异质结的突触器件，能够解决功耗以及响应速度等问题。
[0005]为实现上述目的，第一方面，本专利技术提供了一种MXene/NiO异质结的突触器件，包括：
[0006]基片，所述基片中设置有底部电极，其中，所述基片的上顶面暴露有所述底部电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MXene/NiO异质结的突触器件，其特征在于，包括：基片，所述基片中设置有底部电极，其中，所述基片的上顶面暴露有所述底部电极；覆盖所述基片部分区域的MXene/NiO异质结层，所述MXene/NiO异质结层包括MXene层和NiO层，所述部分区域为基片对应的区域中除底部电极的其他区域；位于所述MXene/NiO异质结层顶面的顶部电极。2.如权利要求1所述的一种MXene/NiO异质结的突触器件，其特征在于，所述顶部电极的材料为金、银、铜、铝、铟锡氧化物中的一种。3.如权利要求1所述的一种MXene/NiO异质结的突触器件，其特征在于，所述基片为FTO导电玻璃或ITO导电玻璃。4.一种制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1
‑
3任一项所述的MXene/NiO异质结的突触器件，包括：获取基片，所述基片的上顶面暴露有底部电极，所述底部电极设置于所述基片的内部；在所述基片的上顶面旋涂NiO前驱体溶液，处理后生成NiO薄膜；在所述NiO薄膜的上顶面旋涂MXene前驱体溶液，处理后生成MXene薄膜；去除部分区域的MXene薄膜和NiO薄膜，以暴露出所述基片上的底部电极，形成MXene/NiO异质结层；在所述MXene/NiO异质结层上电镀形成顶部电极。5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述处理后生成NiO薄膜，包括：在所述基片的上顶面旋涂NiO前驱体溶液，确定NiO凝胶湿膜，其中，NiO前驱体溶液由乙酸镍四水合物溶于有机溶剂中制备而成，所述有机溶剂为冰乙酸、乙二醇甲醚、乙酰丙酮或乙二醇中的至少一种；对所述NiO凝胶湿膜依次进行预设次数的薄膜处理，得到初始NiO薄膜，所述薄膜处理的处理流程包括烘干...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐振华，方俊霖，张莉，范召缘，梁展恒，刘廷诉，唐新桂，刘秋香，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：