一种透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法技术

本发明专利技术公开了一种透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法，该方法包括：在氮化镓HEMT晶圆上淀积不透明欧姆金属；进行退火，所述不透明欧姆金属与氮化镓HEMT晶圆表面的三族氮化物材料反应，三族氮化物材料中的氮缺失，产生大量氮空位，形成N型重掺杂；用酸洗的方法去除退火后的不透明欧姆金属；淀积透明欧姆接触材料，与具有大量氮空位、形成N型重掺杂的三族氮化物形成良好的欧姆接触。常规氮化镓HEMT制备方法中通过高温退火使金属电极与异质结形成欧姆接触，但是金属电极不透明；而采用透明材料作为电极时，通过高温退火无法与氮化镓HEMT结构形成良好的欧姆接触。本发明专利技术可解决该问题，且工艺简单、易于实现，性能良好，效果突出。效果突出。效果突出。

【技术实现步骤摘要】
一种透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法


[0001]本专利技术属于半导体器件
，特别涉及一种透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法。

技术介绍

[0002]透明电子学是一个新兴科技领域，可以应用于多个领域，如各种电子产品、太阳能电池板、功能性透明窗口等，但是目前透明电子器件的研发制备并不成熟，如基于ITO和掺杂氧化锌的器件其迁移率很低，通常不超过10cm2/Vs，严重限制了电子器件的性能。另外，薄层碳基电子材料，如石墨烯，具有很高的电子迁移率，也在文献中报道；但是石墨烯由于其材料特性的限制，电子器件很难关断，另外由于其薄层的限制，电流值也比较小。
[0003]第三代半导体材料——氮化镓及其三族氮化物材料具有宽带隙、高电子饱和速度等优势，进一步地，氮化镓基异质结具有高电子浓度、高迁移率等优点，其被广泛应用于射频器件和电力电子器件领域。特别地，氮化镓是直接带隙半导体，禁带宽度为3.4eV，因此可作为透明半导体材料，结合氮化镓HEMT器件具有高击穿电压、低导通电阻、高开关频率以及体积小的特性，用其制备透明器件。/>[0004]欧姆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：在透明氮化镓HEMT晶圆上淀积不透明欧姆金属；S2：进行退火，所述不透明欧姆金属与氮化镓HEMT晶圆表面的三族氮化物材料反应，三族氮化物材料中的氮缺失，产生氮空位，形成N型重掺杂；S3：用酸洗的方法去除退火后的不透明欧姆金属；S4：淀积透明欧姆接触材料，与具有氮空位、形成N型重掺杂的三族氮化物形成良好的欧姆接触。2.根据权利要求1所述透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法，其特征在于，所述不透明欧姆金属为最下面两层为Ti/Al的金属堆，或者最下面两层为Ta/Al的金属堆，或者最下面两层为Mo/Al的金属堆；所述金属堆的厚度为50nm
‑
1μm。3.根据权利要求1所述透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法，其特征在于，所述退火工艺为快速热退火，或炉管退火，或箱式退火，温度为500
‑
1000℃，保护气体为氮气或者真空。4.根据权利要求1所述透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法，其特征在于，所述透明欧姆接触材料为具有导电性的透明金属氧化物、石墨烯和纳米金属线中的任意一种或任意几种的组合。5.根据权利要求1所述透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法，其特征在于，所述S3中，酸洗的方法如下：S31：利用王水去除最上层的Au、Ni、Al层；S32：用氢氟酸或包含氢氟酸的混合液洗去Ti层。6.根据权利要求1所述透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法，其特征在于，所述透明氮化镓HEMT晶圆包括自下而上依次层叠设置的衬底、复合缓冲层、沟道层和势垒层以及位于势垒层上的源电极、漏电极和栅电极；所述沟道层和势垒层的材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志宏，赵雪利，许淑宁，何佳琦，邢伟川，侯松岩，张苇杭，周瑾，张进成，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：