【技术实现步骤摘要】
一种螺纹拼接式保温桶
[0001]本专利技术涉及半导体立式炉的保温装置,尤其涉及一种螺纹拼接式保温桶。
技术介绍
[0002]立式炉是用于半导体硅片加工的一种工艺设备。硅片加工是一种非常精密的工艺,温度是硅片加工工艺中非常重要的指标,直接影响硅片膜厚的厚度和均匀性。
[0003]为保证立式炉热反应管内温度的稳定,并提高保温效果,在立式炉内设置了保温桶。在工艺中,保温桶位于炉体热反应管的下部,用于支撑硅片载体,并且提供保温的功效。而在工艺结束后,保温桶随硅片载体下降到环境温度。
[0004]硅片在氧化炉内进行湿氧工艺时,主要的反应过程包括H2+O2→
H2O和Si+H2O
→
SiO2+H2。反应过程中多余的或未参与反应的水蒸汽会随气流从排气管路排出,如果工艺温度较低,产生水珠过多,工艺结束后降舟过程中水珠就会从工艺门流下,给工艺门下部电缆以及各元器件造成损坏;另一方面,如果工艺温度较高,保温桶热容较小,工艺门处温度过高,就可能导致工艺门上密封各部件受热辐射而损坏。
[0005] ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种螺纹拼接式保温桶,包括底座,顶板,以及设置于底座与顶板之间用于支撑的若干立柱,其特征在于,所述立柱包括上柱体和下柱体,下柱体与底座经第一螺栓拼接;所述上柱体、顶板围设成镂空的保温区,所述下柱体、底座围设成隔热区;所述隔热区内沿竖直方向间隔设置有若干挡片,相邻两个挡片之间设置有一组或多组垫片以形成所述间隔;每一组垫片包括套设于若干立柱上处于同一水平的多个垫片。2.根据权利要求1所述的一种螺纹拼接式保温桶,其特征在于,所述底座的上端面设置有若干第一支柱,所述第一支柱的顶部开设有用于下柱体穿入的底座槽,所述底座槽的底部开设有第一通孔,所述下柱体的端部设置有第一螺纹孔,所述第一螺栓穿过所述第一通孔并与第一螺纹孔螺纹配合。3.根据权利要求1或2所述的一种螺纹拼接式保温桶,其特征在于,所述上柱体与顶板经第二螺栓拼接;所述顶板的下端面设置有若干第二支柱,所述第二支柱的底部开设有用于上柱体穿入的顶板槽,所述顶板槽的底部开设有第二通孔,所述上柱体的端部设置有第二螺纹孔,所述第二螺栓穿过所述第二通孔并与第二螺纹孔螺纹配合。4.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:范明明,李长苏,祝建敏,郭立华,
申请(专利权)人:杭州盾源聚芯半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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