多芯片互连封装结构及其制作方法技术

本申请实施例提供一种多芯片互连封装结构及其制作方法。所述多芯片互连封装结构包括：玻璃框架、分别设置在所述玻璃框架的第一表面和第二表面上的第一线路层和第二线路层、贯穿所述玻璃框架的第一通孔柱、贯穿所述玻璃框架的通槽、嵌埋在所述通槽内的芯片连接器件、填充所述通槽以覆盖所述芯片连接器件的第一绝缘层以及设置在所述第一线路层表面的第一芯片和第二芯片；其中，所述芯片连接器件的端子连接所述第一线路层；所述第一线路层和所述第二线路层通过所述第一通孔柱导电连通；所述第一芯片和所述第二芯片通过所述第一线路层与所述芯片连接器连接，以使所述第一芯片与所述第二芯片互连。所述第二芯片互连。所述第二芯片互连。

【技术实现步骤摘要】
多芯片互连封装结构及其制作方法


[0001]本申请涉及电子器件封装
，尤其涉及一种多芯片互连封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着电子技术的日益发展，电子产品的性能要求越来越高，使得电子器件及线路板基板线路越来越复杂；同时电子产品尺寸要求越来越小，越来越薄，从而使得芯片等电子元件、封装基板、封装结构的高密度集成化、小型化、多功能化成为必然趋势。随着芯片线宽线距越做越小，想要继续将芯片小型化的难度越来越大，为了满足更高的电子产品性能，通常需要将多个芯片集成封装来实现，而为了实现多芯片集成封装小型化，将多个芯片之间实现互连成为趋势。
[0003]现有技术的多芯片互连封装结构通常利用TSV(Through Silicon Via)中介层实现芯片与芯片的互连、芯片与封装载板的互连。然而TSV中介层需要单独制作，成本较高；TSV中介层厚度较厚，增加封装模块的体积，无法真正实现封装模块短小轻薄；TSV中介层实现的多芯片互连，设计自由度较低；2.5D封装结构中芯片贴装在TSV中介层表面，中介层和封装载板焊接实现互连，导致集成度相对较低。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请的目的在于提出一种多芯片互连封装结构及其制作方法，以克服以上现有技术中的缺陷。
[0005]基于上述目的，本申请实施例提供一种多芯片互连封装结构，包括：玻璃框架、分别设置在所述玻璃框架的第一表面和第二表面上的第一线路层和第二线路层、贯穿所述玻璃框架的第一通孔柱、贯穿所述玻璃框架的通槽、嵌埋在所述通槽内的芯片连接器件、填充所述通槽以覆盖所述芯片连接器件的第一绝缘层以及设置在所述第一线路层表面的第一芯片和第二芯片；
[0006]其中，所述芯片连接器件的端子连接所述第一线路层；所述第一线路层和所述第二线路层通过所述第一通孔柱导电连通；所述第一芯片和所述第二芯片通过所述第一线路层与所述芯片连接器连接，以使所述第一芯片与所述第二芯片互连。
[0007]本申请实施例提供的多芯片互连封装结构的制作方法，包括如下步骤：
[0008](a)准备玻璃框架，在所述玻璃框架上形成贯穿所述玻璃框架的第一通孔和贯穿所述玻璃框架的通槽；
[0009](b)在所述玻璃框架的通槽内贴装芯片连接器件；
[0010](c)在所述通槽内形成第一绝缘层，以封装所述芯片连接器件；
[0011](d)在所述玻璃框架的第一表面和第二表面上分别形成第一线路层和第二线路层，在所述第一通孔内形成第一通孔柱，使得所述第一线路层和所述第二线路层通过所述第一通孔柱彼此导电连通；
[0012](e)在所述第一线路层上贴装第一芯片和第二芯片；所述第一芯片和所述第二芯片分别通过所述第一线路层与所述芯片连接器连接，以使所述第一芯片与所述第二芯片互连。
[0013]从上面所述可以看出，本申请提供的多芯片互连封装结构及其制作方法，通过将具有通孔柱的玻璃框架作为嵌埋封装框架，将芯片连接器件嵌埋封装在玻璃框架内部，以在封装载板内部嵌埋封装芯片连接器件，从而形成具有芯片连接器件的封装载板，并将芯片连接器件的端子导出至外层线路焊盘(即第一线路层)。封装在玻璃载板上的多颗芯片(如第一芯片和第二芯片)可实现与芯片连接器件导出的外层线路焊盘进行焊接，实现封装在多芯片互连封装载板上的多颗芯片之间的互连及其与基板的互连，实现封装模块高密度集成。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本申请或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1示出了相关技术中，利用TSV中介层1实现多芯片互连的2.5D封装结构。
[0016]图2示出了本申请实施例提供的多芯片互连封装结构的示意图。
[0017]图3(a)～图3(k)示出了图2的多芯片互连封装结构的制作方法的各个步骤中间结构的截面示意图。
具体实施方式
[0018]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本申请进一步详细说明。
[0019]需要说明的是，除非另外定义，本申请实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0020]图1示出了相关技术中，利用TSV中介层1实现多芯片互连的2.5D封装结构。
[0021]一些利用TSV中介层1实现多芯片互连的2.5D封装结构，如图1所示，需要将TSV中介层1设置在封装载板2和芯片3之间，这样才能利用TSV中介层1实现芯片与芯片互连、芯片与封装载板2的互连。然而，该种结构需要单独制作TSV中介层1，从而使得成本较高；且TSV中介层1厚度较厚，导致增加了封装模块的体积，无法真正实现封装模块短小轻薄；TSV中介层1实现多芯片互连会导致设计自由度较低；2.5D封装结构芯片贴装在TSV中介层1表面，通过TSV中介层1和封装载板2的焊接实现互连，导致集成度相对较低。
[0022]基于此，本申请实施例提供了在玻璃载板内部嵌埋封装芯片连接器件的封装载板，将多颗芯片封装在玻璃载板上，能够在一定程度上解决将TSV中介层设置在封装载板和芯片之间的问题。
[0023]图2示出了本申请实施例提供的多芯片互连封装结构的示意图。
[0024]如图2所示，本申请实施例提供的多芯片互连封装结构，可以包括：玻璃框架100、分别设置在所述玻璃框架的第一表面和第二表面上的第一线路层201和第二线路层202、贯穿玻璃框架100的第一通孔柱101、贯穿玻璃框架100的通槽102、嵌埋在通槽102内的芯片连接器件104、填充通槽102的第一绝缘层105以及设置在第一线路层201上的第一芯片502和第二芯片503；
[0025]其中，芯片连接器件104的端子电连接第一线路层201；第一线路层201和第二线路层202通过第一通孔柱101导电连通；第一芯片502和第二芯片503分别通过第一线路层201与芯片连接器件104电连接，使得第一芯片502与第二芯片503彼此互连。
[0026]应当理解的是，第一线路层201可以包括连接芯片连接器件104的端子的焊盘，第一芯片502和第二芯片503可通过该焊盘与芯片连接器件104电连接。
[0027]本申请实施例提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多芯片互连封装结构，其特征在于，包括：玻璃框架，分别设置在所述玻璃框架的第一表面和第二表面上的第一线路层和第二线路层、贯穿所述玻璃框架的第一通孔柱、贯穿所述玻璃框架的通槽、嵌埋在所述通槽内的芯片连接器件、填充所述通槽以覆盖所述芯片连接器件的第一绝缘层以及设置在所述第一线路层表面的第一芯片和第二芯片；其中，所述芯片连接器件的端子连接所述第一线路层；所述第一线路层和所述第二线路层通过所述第一通孔柱导电连通；所述第一芯片和所述第二芯片通过所述第一线路层与所述芯片连接器连接，以使所述第一芯片与所述第二芯片互连。2.根据权利要求1所述的多芯片互连封装结构，其特征在于，所述多芯片互连封装结构通过所述第二线路层电连接至基板。3.根据权利要求2所述的多芯片互连封装结构，其特征在于，所述芯片连接器件的高度小于所述通槽的高度。4.根据权利要求1所述的多芯片互连封装结构，其特征在于，所述第一线路层包括与所述第一通孔柱连接的第一焊盘和与所述芯片连接器件的端子连接的第二焊盘；所述芯片连接器件通过所述第二焊盘分别与所述第一芯片和所述第二芯片电连接。5.根据权利要求1所述的多芯片互连封装结构，其特征在于，还包括设置在所述第二线路层上的第二绝缘层和第三线路层；所述第三线路层和所述第二线路层通过贯穿所述第二绝缘层的第二通孔柱导电连通。6.根据权利要求5所述的多芯片互连封装结构，其特征在于，还包括设置在所述第三线路层上的第三绝缘层和第四线路层；所述第四线路层和所述第三线路层通过贯穿所述第三绝缘层的第三通孔柱导电连通。7.根据权利要求1所述的多芯片互连封装结构，其特征在于，所述芯片连接器件选自薄膜线路层、硅中介层、玻璃中介层或芯片。8.一种多芯片互连封装结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)准备玻璃框架，在所述玻璃框架上形成贯穿所述玻璃框架的第一通孔和贯穿所述玻璃框架的通槽；(b)在所述玻璃框架的通槽内贴装芯片连接器件；(c)在所述通槽内形成第一绝缘层，以封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈先明，洪业杰，黄高，黄本霞，冯进东，朱桂林，宝玥，
申请(专利权)人：南通越亚半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：