本实用新型专利技术公开了一种延时时间可调的上下电次序控制装置，包括一级或多级串联的延时单元以及与延时单元连接的开关控制单元，通过一级或多级延时单元实现对开关控制单元的延时开启，延时单元包括RC延时电路和放电控制电路。其中放电控制电路包括PNP三极管Q1、可调电阻R1、电阻R2和电阻R3，PNP三极管Q1的发射极与RC延时电路连接，PNP三极管Q1的集电极与可调电阻R1的一端连接，可调电阻R1的另一端接GND，PNP三极管Q1的基极分别与电阻R2和电阻R3的一端连接，电阻R2的另一端接VCC，电阻R3的另一端接GND。本实用新型专利技术具备下电快速复位功能，同时具有可调节下电时延的特性。具有可调节下电时延的特性。具有可调节下电时延的特性。
【技术实现步骤摘要】
一种延时时间可调的上下电次序控制装置
[0001]本技术属于集成电路
，具体涉及一种延时时间可调的上下电次序控制装置。
技术介绍
[0002]如今系统的组成越来越复杂，有时需要将不同学科领域不同特性的部件组合在一起才能实现特定功能，各部件之间协同关系也变的越发严密，时常会出现一些兼容性问题，这就需要采取必要措施弥补兼容性方面的不足，以防止设备出现故障而造成损失。在一些电子系统当中，通过控制不同部件上电先后顺序能够有效防止部件损坏，如在以光纤传感技术为基础的入侵检测设备当中，上电初始因部分控制模块或芯片自身特性使激光通路持续数百毫秒开启，出现连续激光打坏后端光电设备造成损失的情况。
[0003]现有技术中控制上下电先后顺序已有多种不同的技术方案，如采用分立元件利用电容积分与微分特性实现延时开启或关闭，或者使用专用ASIC芯片实现上下电控制，不同的技术方案各有优缺点和局限性。但是目前已有的技术方案在实现上电延时时，随着延时时间加长，电容容值增大，在下电时负载减小，电容储能难以快速泄放导致下电延缓，难以实现快速复位与重启。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种延时时间可调的上下电次序控制装置，具备下电快速复位功能，同时具有可调节下电时延的特性。
[0005]为实现上述目的，本技术所采取的技术方案为：
[0006]一种延时时间可调的上下电次序控制装置，所述延时时间可调的上下电次序控制装置包括一级或多级串联的延时单元以及与所述延时单元连接的开关控制单元，通过一级或多级延时单元实现对开关控制单元的延时开启，所述延时单元包括RC延时电路和放电控制电路，其中：
[0007]所述放电控制电路包括PNP三极管Q1、可调电阻R1、电阻R2和电阻R3，所述PNP三极管Q1的发射极与所述RC延时电路连接，所述PNP三极管Q1的集电极与可调电阻R1的一端连接，可调电阻R1的另一端接GND，所述PNP三极管Q1的基极分别与电阻R2和电阻R3的一端连接，电阻R2的另一端接VCC，电阻R3的另一端接GND。
[0008]以下还提供了若干可选方式，但并不作为对上述总体方案的额外限定，仅仅是进一步的增补或优选，在没有技术或逻辑矛盾的前提下，各可选方式可单独针对上述总体方案进行组合，还可以是多个可选方式之间进行组合。
[0009]作为优选，所述开关控制单元连接在任意一级延时单元后，所述开关控制单元与延时单元采用不同供电。
[0010]作为优选，所述RC延时电路包括可调电阻R4、可调电阻R5、电容C1和逻辑门AND
‑
1；
[0011]所述逻辑门AND
‑
1为与门，所述可调电阻R4的一端接VCC，所述可调电阻R4的另一
端分别与可调电阻R5的一端连接、PNP三极管Q1的发射极、电容C1连接，可调电阻R5的另一端接GND，电容C1与可调电阻R5并联，且电容C1与可调电阻R4连接的一端同时与逻辑门AND
‑
1的输入端连接，所述逻辑门AND
‑
1的输出端作为下一级延时单元的输入或者待控制的开关控制单元的输入。
[0012]作为优选，所述RC延时电路包括可调电阻R4、可调电阻R5、电容C1、电容C2、电阻R6、电阻R7、MOS管MOS1和MOS管MOS2；
[0013]所述可调电阻R4的一端接VCC，所述可调电阻R4的另一端分别与可调电阻R5的一端连接、PNP三极管Q1的发射极、电容C1连接，可调电阻R5的另一端接GND，电容C1与可调电阻R5并联，且电容C1与可调电阻R4连接的一端同时与MOS2的栅极连接，MOS2的源极接GND，MOS2的漏极通过电阻R7连接至MOS1的栅极，电容C2与电阻R6并联且并联后一端接VCC、另一端接MOS1的栅极，MOS1的源极接VCC，MOS1的漏极输出作为下一级延时单元的输入或者待控制的开关控制单元的输入。
[0014]作为优选，所述RC延时电路的延时时间计算如下：
[0015][0016]式中，t为RC延时电路的延时时间，Ω4为可调电阻R4的阻值，F1为电容C1的容值，Ω5为可调电阻R5的阻值。
[0017]作为优选，所述开关控制单元包括继电器Relay1，所述继电器Relay1在RC延时电路输出高电平时触点闭合，施加在继电器Relay1触点上的供电电压输出至受电设备；所述继电器Relay1在RC延时电路输出低电平时触点断开，施加在继电器Relay1触点上的供电电压停止为受电设备供电。
[0018]作为优选，所述开关控制单元包括继电器Relay1、电容C3、电阻R8、电阻R9、MOS管MOS3、电阻R10和二极管D1；
[0019]电容C3一端接GND、另一端与所述RC延时电路连接，电阻R9一端接GND、另一端与MOS3的栅极连接，电阻R8分别与电容C3连接RC延时电路的一端、电阻R9连接MOS3的栅极的一端连接，MOS3的源极接GND，MOS3的漏极通过电阻R10与继电器Relay1的线圈一端连接，继电器Relay1的线圈的另一端接VCC，二极管D1的负极接VCC，二极管D1的正极与继电器Relay1的线圈连接电阻R10的一端连接，继电器Relay1的两个触点中一者施加供电电压、另一者连接至受电设备。
[0020]作为优选，所述开关控制单元包括MOS管MOS4，所述MOS4在RC延时电路输出高电平时导通，施加在MOS4上的供电电压输出至受电设备；所述MOS4在RC延时电路输出低电平时断开，施加在MOS4上的供电电压停止为受电设备供电。
[0021]作为优选，所述开关控制单元包括MOS管MOS4、电容C3、电阻R8、电阻R9、MOS管MOS3、电阻R10、电容C4和电阻R11；
[0022]电容C3一端接GND、另一端与所述RC延时电路连接，电阻R9一端接GND、另一端与MOS3的栅极连接，电阻R8分别与电容C3连接RC延时电路的一端、电阻R9连接MOS3的栅极的一端连接，MOS3的源极接GND，MOS3的漏极通过电阻R10与MOS4的栅极连接，MOS4的源极上施加供电电压，MOS4的漏极连接至受电设备，电容C4与电阻R11并联且并联后一端连接MOS4的栅极、另一端连接MOS4的源极。
[0023]本技术提供的延时时间可调的上下电次序控制装置，在上电初始，通过对特定部件延缓上电来切断激光通路，使其他相关部件有足够的时间完成初始化达到可控的运行状态，从而实现保护后级部件的目的，并能在设备断电后，自身会快速恢复到初始化状态，使系统再次上电时仍然能都有效保护设备组成部件。本技术具备下电快速复位功能，同时具有可配置下电时延的特性，很好的解决了现有技术方案存在的问题。与专用ASIC芯片相比，本技术具有更宽的工作电压和延时调整范围。
附图说明
[0024]图1为本技术的延时时间可调的上下电次序控制装置的结构示意图；
[0025]图2为本技术的延时时间本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种延时时间可调的上下电次序控制装置，其特征在于，所述延时时间可调的上下电次序控制装置包括一级或多级串联的延时单元以及与所述延时单元连接的开关控制单元，通过一级或多级延时单元实现对开关控制单元的延时开启，所述延时单元包括RC延时电路和放电控制电路，其中：所述放电控制电路包括PNP三极管Q1、可调电阻R1、电阻R2和电阻R3，所述PNP三极管Q1的发射极与所述RC延时电路连接，所述PNP三极管Q1的集电极与可调电阻R1的一端连接，可调电阻R1的另一端接GND，所述PNP三极管Q1的基极分别与电阻R2和电阻R3的一端连接，电阻R2的另一端接VCC，电阻R3的另一端接GND。2.如权利要求1所述的延时时间可调的上下电次序控制装置，其特征在于，所述开关控制单元连接在任意一级延时单元后，所述开关控制单元与延时单元采用不同供电。3.如权利要求1所述的延时时间可调的上下电次序控制装置，其特征在于，所述RC延时电路包括可调电阻R4、可调电阻R5、电容C1和逻辑门AND
‑
1；所述逻辑门AND
‑
1为与门，所述可调电阻R4的一端接VCC，所述可调电阻R4的另一端分别与可调电阻R5的一端连接、PNP三极管Q1的发射极、电容C1连接，可调电阻R5的另一端接GND，电容C1与可调电阻R5并联，且电容C1与可调电阻R4连接的一端同时与逻辑门AND
‑
1的输入端连接，所述逻辑门AND
‑
1的输出端作为下一级延时单元的输入或者待控制的开关控制单元的输入。4.如权利要求1所述的延时时间可调的上下电次序控制装置，其特征在于，所述RC延时电路包括可调电阻R4、可调电阻R5、电容C1、电容C2、电阻R6、电阻R7、MOS管MOS1和MOS管MOS2；所述可调电阻R4的一端接VCC，所述可调电阻R4的另一端分别与可调电阻R5的一端连接、PNP三极管Q1的发射极、电容C1连接，可调电阻R5的另一端接GND，电容C1与可调电阻R5并联，且电容C1与可调电阻R4连接的一端同时与MOS2的栅极连接，MOS2的源极接GND，MOS2的漏极通过电阻R7连接至MOS1的栅极，电容C2与电阻R6并联且并联后一端接VCC、另一端接MOS1的栅极，MOS1的源极接VCC，MOS1的漏极输出作为下一级延时单元的输入或者待控制的开关控制单元的输入。5.如权利要求3或4所述的延时时间可调的上下...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵元国，王方瑞，董帅，潘鸣，文亮，吴春，余旭，
申请(专利权)人：中电海康集团有限公司，
类型：新型
国别省市：
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