一种电子雷管延时控制电路制造技术

本发明专利技术公开了一种电子雷管延时控制电路，包括电子雷管芯片、第一输入线路、第二输入线路、第一二极管、第一电阻、工作电容、第二二极管、起爆电容和MOS管；第一输入线路和第二输入线路与电子雷管芯片的输入引脚相连；电子雷管芯片的第一输出引脚与第一二极管的阳极相连，第一二极管的阴极与第一电阻和工作电容相连；第一电阻还与电子雷管芯片的CAP引脚相连；工作电容还接地；电子雷管芯片的第二输出引脚与第二二极管的阳极相连，第二二极管的阴极与起爆电容和电子雷管芯片的第一检测引脚相连；MOS管的栅极与电子雷管芯片的火线引脚相连，漏极与电子雷管芯片的第二检测引脚相连，源极接地。本发明专利技术能够提高电子雷管的延时控制精度，避免误起爆现象发生。避免误起爆现象发生。避免误起爆现象发生。

【技术实现步骤摘要】
一种电子雷管延时控制电路


[0001]本专利技术属于电子雷管的
，具体涉及一种电子雷管延时控制电路。

技术介绍

[0002]现代爆破技术正在向着精细化、科学化和数字化的方向发展，高精度电子雷管作为新一代爆破器材的开发应用，既是爆破技术进步的需要，又能促进爆破理论的发展。电子雷管，又称数码电子雷管、数码雷管或工业数码电子雷管，即采用电子控制模块对起爆过程进行控制的电雷管。电子雷管上通常会连接有延时模块，用于对电子雷管的引爆时间进行控制，如何合理地确定延时间隔是取得良好爆破效果的核心问题。

技术实现思路

[0003]针对上述问题，本专利技术提出一种电子雷管延时控制电路，能够提高电子雷管的延时控制精度，避免误起爆现象的发生。
[0004]为了实现上述技术目的，达到上述技术效果，本专利技术通过以下技术方案实现：一种电子雷管延时控制电路，包括电子雷管芯片、第一输入线路、第二输入线路、第一二极管、第一电阻、工作电容、第二二极管、起爆电容和MOS管；所述第一输入线路和第二输入线路分别与所述电子雷管芯片上对应的输入引脚相连；所述电子雷管芯片的第一输出引脚与所述第一二极管的阳极相连，所述第一二极管的阴极分别与所述第一电阻和工作电容的一端相连；所述第一电阻的另一端与所述电子雷管芯片的CAP引脚相连；所述工作电容的另一端接地；所述电子雷管芯片的第二输出引脚与第二二极管的阳极相连，所述第二二极管的阴极分别与所述起爆电容和电子雷管芯片的第一检测引脚相连；所述MOS管的栅极与电子雷管芯片的火线引脚相连，漏极与电子雷管芯片的第二检测引脚相连，源极接地。
[0005]可选地，所述电子雷管延时控制电路还包括双向稳压管，所述双向稳压管连接在所述第一输入线路和第二输入线路之间。
[0006]可选地，所述电子雷管延时控制电路还包括桥丝，所述桥丝的两端分别与电子雷管芯片的第一检测引脚和第二检测引脚相连。
[0007]可选地，所述电子雷管延时控制电路还包括第二电阻和第三电阻；所述第二电阻和第三电阻分别与所述电子雷管芯片上对应的输入引脚相连。
[0008]可选地，所述电子雷管延时控制电路还包括第四电阻，所述第四电阻分别与所述电子雷管芯片的第二输出引脚和第二二极管的阳极相连。
[0009]可选地，所述电子雷管延时控制电路还包括第五电阻和第六电阻；所述第五电阻与电子雷管芯片的第一检测引脚相连；所述第六电阻与电子雷管芯片的第二检测引脚相连。
[0010]可选地，所述工作电容的容值为22uf。
[0011]可选地，所述起爆电容的容值为33uf。
[0012]与现有技术相比，本专利技术的有益效果：本专利技术的电子雷管延时控制电路通过LINEA和LINEB输入电源。电路上电后，输入在LINEA和LINEB上的电压不分极性，在进入电子雷管芯片U1内通过内部桥式整理电路后从芯片第一输出引脚输出单极性的电压，再通过第一二极管D1和第一电阻R1对工作电容C1充电，实现电路本地稳定的供给电源；提供给芯片内部控制逻辑电源模块的稳定输入，同时也是为芯片第二输出引脚输出的电压提供来源。
[0013]在LINEA和LINEB输入的电源电压上，通过特定方式的斩波，可实现数据的串行通讯，电子雷管的上位控制器通过LINEA和LINEB的连接对电子雷管延时控制电路进行供电及实现交互通讯；通过特定的数据指令的交互，完成对电子雷管的管理及检测后，最终可通过通讯指令开启芯片第二输出引脚的电压输出，经过第二二极管D2对起爆电容C2进行充电，建立雷管起爆用触发电源；芯片U1的第一检测引脚和第二检测引脚监控起爆电容的充电过程及桥丝状态，待其均合理正确后，上位控制器可通过指令启动电子雷管延时控制电路按设定的延时时间计时，计时时间到达时芯片U1的火线引脚（FIRE引脚）马上输出有效电平至MOS管栅极，MOS管导通，起爆电容C2通过MOS管给桥丝R7放电做功，起爆雷管，完成电子雷管延时起爆功能。
附图说明
[0014]为了使本专利技术的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本专利技术作进一步详细的说明，其中：图1为本专利技术一种实施例的电子雷管延时控制电路的电路图。
具体实施方式
[0015]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术的保护范围。
[0016]下面结合附图对本专利技术的应用原理作详细的描述。
[0017]如图1所示，本专利技术中提供了一种电子雷管延时控制电路，包括电子雷管芯片U1、第一输入线路LINEA、第二输入线路LINEB、第一二极管D1、第一电阻R1、工作电容C1、第二二极管D2、起爆电容C2、MOS管和桥丝；所述第一输入线路LINEA和第二输入线路LINEB分别与所述电子雷管芯片U1上对应的输入引脚（见U1的4脚和5脚）相连；所述电子雷管芯片U1的第一输出引脚（见U1的引脚2）与所述第一二极管D1的阳极相连，所述第一二极管D1的阴极分别与所述第一电阻R1和工作电容C1的一端相连，实现给工作电容C1充电，再由工作电容C1通过所述第一电阻R1给电子雷管芯片U1供电；所述第一电阻R1的另一端与所述电子雷管芯片U1的CAP引脚（见U1的引脚3）相连；所述工作电容C1的另一端接地；在实际应用过程中，所述工作电容C1的容值可以设置为22uf；所述电子雷管芯片U1的引脚8接地；
所述电子雷管芯片U1的第二输出引脚（见U1的引脚6）与第二二极管D2的阳极相连，所述第二二极管D2的阴极分别与所述起爆电容C2和电子雷管芯片U1的第一检测引脚（见U1的引脚7）相连，实现给起爆电容C2充电，起爆电容C2由MOS管控制给桥丝R7放电；在实际应用过程中，所述起爆电容C2的容值可以设置为33uf。
[0018]所述MOS管的栅极（见U3器件的5管脚）与电子雷管芯片U1的火线引脚（FIRE引脚）相连，漏极（见U3器件的3管脚）与电子雷管芯片U1的第二检测引脚（见U1的引脚10）相连，源极（见U3器件的4管脚）接地；在实际应用过程中，所述MOS管为NMOS管。在实际应用过程中，所述MOS管与第二二极管被封装成芯片U3。
[0019]所述桥丝R7的两端分别与电子雷管芯片U1的第一检测引脚（见U1器件的7管脚）和第二检测引脚（见U1器件的10管脚）相连，检测桥丝通断。
[0020]在本专利技术实施例的一种具体实施方式中，为了提高电子雷管延时控制电路的稳定性能，所述电子雷管延时控制电路还包括双向稳压管，所述双向稳压管连接在所述第一输入线路LINEA和第二输入线路LINEB之间。所述双向稳压管包括相连的第三二极管D3和第四二极管D4。在实际应用过程中，所述双向稳压管与第一二极管被封装成芯片U2。
[0021]在本专利技术实施例的一种具体实施方式中，为了实现限流功能，所述电子雷管延时控制电路还包括第二电阻R2和第三电阻R3；所述第二电阻R2和第三电阻R3分别与所述电子雷管芯片U1上对应的输入引本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子雷管延时控制电路，其特征在于：包括电子雷管芯片、第一输入线路、第二输入线路、第一二极管、第一电阻、工作电容、第二二极管、起爆电容和MOS管；所述第一输入线路和第二输入线路分别与所述电子雷管芯片上对应的输入引脚相连；所述电子雷管芯片的第一输出引脚与所述第一二极管的阳极相连，所述第一二极管的阴极分别与所述第一电阻和工作电容的一端相连；所述第一电阻的另一端与所述电子雷管芯片的CAP引脚相连；所述工作电容的另一端接地；所述电子雷管芯片的第二输出引脚与第二二极管的阳极相连，所述第二二极管的阴极分别与所述起爆电容和电子雷管芯片的第一检测引脚相连；所述MOS管的栅极与电子雷管芯片的火线引脚相连，漏极与电子雷管芯片的第二检测引脚相连，源极接地。2.根据权利要求1所述的一种电子雷管延时控制电路，其特征在于：所述电子雷管延时控制电路还包括双向稳压管，所述双向稳压管连接在所述第一输入线路和第二输入线路之间。3.根据权利要求1所述的一种电子雷管延时控制电路，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：王超，石宇轩，罗继峰，金仲文，雷晶龙，魏铭，
申请(专利权)人：上海鲲程电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：