用于提供包括位于波导中的光学模式的光辐射的光子器件制造技术

本发明专利技术涉及一种用于提供光辐射的光子器件(DP)，光子器件包括波导(2)、覆盖波导(2)的N型半导体层(1n)和由III

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于提供包括位于波导中的光学模式的光辐射的光子器件


[0001]本专利技术的
是集成光子器件的
，该集成光子器件使用能够发光的半导体材料的特性和在实现逻辑和/或模拟功能的集成电路中常规使用的半导体材料的特性两者。本专利技术具体地涉及用于建立包括位于波导中的光学模式的光辐射的光子器件。其可以具体是硅上的异质激光器。

技术介绍

[0002]光收发器通常由有源光学器件(例如激光器、调制器、光电二极管)和无源光学器件(例如波导、滤光器)构成，可选地补充有电子电路。可以使用通常用于制造集成电子电路的技术和材料将这些块集成到光子器件中。
[0003]在这种光子器件中，并且以本身已知的方式，由III
‑
V材料的叠层形成的有源区域形成激光器的光放大介质。该有源区域可以包括至少一个量子阱、量子点或量子盒，或多个这样的阱、点或盒。其由选自以下非穷举列表的材料制成：InP、AsGa、InGaAlAs、InGaAsP、InAsP、InAs。
[0004]该有源区域被设置成夹在N型半导体层和P型半导体层之间。通常基于InP或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光子器件(DP、DP')，所述光子器件用于提供包括位于波导中的光学模式的光辐射，所述器件包括：
‑
波导(2)，所述波导在沿着所述光学模式的主传播方向的平面中延伸；
‑
N型半导体层(1n)，所述N型半导体层被设置成覆盖所述波导(2)；
‑
有源区域(QW)，所述有源区域由III
‑
V材料制成的叠层形成，所述有源区域(QW)被设置在所述N型层(1n)的与所述波导的部分(2h)对齐的部分上并与该部分接触，所述N型层的称为自由部分的另一部分不与所述有源区域(QW)接触；
‑
多个P型半导体柱(1p、1'p)，所述多个P型半导体柱设置在所述有源区域(QW)上并与所述有源区域接触，所述P型半导体材料具有第一光学指数并且所述P型柱(1p、1'p)由具有比所述第一光学指数低的第二光学指数的封裹材料彼此分开；
‑
与所述N型层(1n)的所述自由部分欧姆接触的至少一个第一金属焊盘(3n、3'n)和与所述P型柱(1p、1'p)欧姆接触的至少一个第二金属焊盘(3p、3'p)。2.根据前一权利要求所述的光子器件(DP、DP')，其中，所述波导(2)被配置成形成光学反馈结构。3.根据前一权利要求所述的光子器件(DP、DP')，其中，所述光学反馈结构是横向波纹或垂直波纹布拉格光栅。4.根据前述权利要求之...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：闪烁光子学公司，
类型：发明
国别省市：