设置有马赫-曾德尔调制器的光子芯片制造技术

本发明专利技术涉及一种光子系统，该光子系统设置有由硅技术制成的光子芯片，所述光子芯片(10)包括：‑马赫‑曾德尔调制器(100)，该马赫‑曾德尔调制器的调制部(105,106)在小于3mm的长度L上延伸；‑用于调节操作点的第一装置(107)；‑半导体光放大器(SOA)，该半导体光放大器被配置成放大由马赫‑曾德尔调制器调制的信号，该半导体光放大器(SOA)使得当设定相移F被调节到范围0.6*pi至0.9*pi时，在放置在半导体光放大器(SOA)的下游的输出端口S处，与光子芯片相关联的光调制幅度在‑2dBm和6dBm之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及光子学领域，并且更具体地涉及集成光子芯片。特别地，本专利技术涉及一种光子芯片，该光子芯片设置有马赫-曾德尔调制器，该调制器被配置成限制光损耗，并且其带宽(3db)优于现有技术已知的马赫-曾德尔调制器的带宽。光子芯片有利地包括光发射器。

技术介绍

1、光调制器广泛用于光发射器中，以操纵光信号。在已知的光调制器中，当需要高光调制速度时，马赫-曾德尔调制器特别令人感兴趣。

2、因此，[图1]示出了现有技术的马赫-曾德尔调制器1。马赫-曾德尔调制器1特别地包括两个调制分支，称为第一分支2和第二分支3，这两个分支的一端通过至少一个光输入端4连接并且另一端通过至少一个光输出端5连接。

3、特别地，这两个调制分支2和3被布置成使得在光输入端4处注入的光束分别被第一分支2和第二分支3分成第一射束和导向的第二射束，并且使得所述第一射束和所述第二射束在光输出端处重新组合。

4、该器件还设置有两个相位调制器，称为第一调制器6和第二调制器7，这两个相位调制器用于在第一射束和第二射束在光输出端5处重新组合之前分别对第一射束和第二射束本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光子系统，所述光子系统设置有由硅技术制成的光子芯片，所述光子芯片(10)包括：

2.根据权利要求1所述的光子系统，其中第一调节装置包括第一加热元件，所述第一加热元件被配置成通过加热来局部修改所述第一分支或所述第二分支的折射率，以便施加所述设定相移F。

3.根据权利要求1或2所述的光子系统，其中所述光子系统包括第一控制装置，所述第一控制装置被配置成控制所述第一调节装置。

4.根据权利要求3所述的光子系统，其中所述第一控制装置包括第一光电探测器(PD1)和第一光谱分析仪(SA1)。

5.根据权利要求4所述的光子系统，其中所述马赫-曾德尔...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种光子系统，所述光子系统设置有由硅技术制成的光子芯片，所述光子芯片(10)包括：

2.根据权利要求1所述的光子系统，其中第一调节装置包括第一加热元件，所述第一加热元件被配置成通过加热来局部修改所述第一分支或所述第二分支的折射率，以便施加所述设定相移f。

3.根据权利要求1或2所述的光子系统，其中所述光子系统包括第一控制装置，所述第一控制装置被配置成控制所述第一调节装置。

4.根据权利要求3所述的光子系统，其中所述第一控制装置包括第一光电探测器(pd1)和第一光谱分析仪(sa1)。

5.根据权利要求4所述的光子系统，其中所述马赫-曾德尔调制器(100)包括辐射组合器(104)，所述辐射组合器被配置成组合分别由所述第一分支(101)和所述第二分支(102)进行相位调制的第一辐射和第二辐射，所述第一辐射和所述第二辐射在被所述调制分支中的一个调制分支调制之前源自光辐射的分割。

6.根据权利要求5所述的光子系统，其中所述光子芯片(10)还包括用于调节所述半导体光放大器(soa)的光增益的第二装置，有利地，所述第二调节装置包括第二加热元件(hsoa)。

7.根据权利要求6所述的光子系统，其中所述光子系统包括第二控制装置，所述第二控制装置被配置成控制所述第二调节装置，所述第二控制装置包括第二光电探测器(pd2)...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·梅内佐，雍政，
申请(专利权)人：闪烁光子学公司，
类型：发明
国别省市：