【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光子学领域,并且更具体地涉及集成光子芯片。特别地,本专利技术涉及一种设置有马赫-曾德尔调制器的光子芯片,并且对于该光子芯片而言,插入损耗由两个半导体光学放大器补偿。根据本专利技术,半导体光学放大器被布置成限制与强度调制光信号的放大相关的负面影响。
技术介绍
1、图1示出了现有技术的马赫-曾德尔器件1。马赫-曾德尔器件1特别地包括两个调制分支,称为第一分支2和第二分支3,这两个分支的一端通过光输入端4连接并且另一端通过光输出端5连接。
2、特别地,这两个调制分支2和3被布置成使得在光输入端4处注入的光束分别被第一分支2和第二分支3分成第一射束和导向的第二射束,并且使得所述第一射束和所述第二射束在光输出端处重新组合。
3、该器件还设置有两个相位调制器,称为第一调制器6和第二调制器7,这两个相位调制器用于在第一射束和第二射束在光输出端5处重新组合之前分别对第一射束和第二射束施加相移。对第一射束和第二射束中的一者和/或另一者的相位的修改特别地使得可以调制在马赫-曾德尔器件的输出端处的重新组合的射束的强度。<
...【技术保护点】
1.一种光子芯片(10),包括:
2.根据权利要求1所述的光子芯片,其中所述光子芯片进一步包括另一相移模块,所述另一相移模块被配置成将另一固定相移施加到所述输出端Q与所述光输出端(113)之间的光束上。
3.根据权利要求1或2所述的光子芯片,其中所述调制波导包括硅、有利地掺杂硅、甚至更有利地沿着由硅制成的波导的PN结。
4.根据权利要求3所述的光子芯片,其中至少两个半导体光学放大器包括由III-V半导体材料制成的波导。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光子芯片,其中所述光子芯片进一步包括插入在光束的源(400)与所述
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种光子芯片(10),包括:
2.根据权利要求1所述的光子芯片,其中所述光子芯片进一步包括另一相移模块,所述另一相移模块被配置成将另一固定相移施加到所述输出端q与所述光输出端(113)之间的光束上。
3.根据权利要求1或2所述的光子芯片,其中所述调制波导包括硅、有利地掺杂硅、甚至更有利地沿着由硅制成的波导的pn结。
4.根据权利要求3所述的光子芯片,其中至少两个半导体光学放大器包括由iii-v半导体材料制成的波导。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光子芯片,其中所述光子芯片进一步包括插入在光束的源(400)与所述光输入端...
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