半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物技术

本发明专利技术提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，所述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，所述溶剂包含80质量％以上的式(L)所示的有机溶剂。(式中，L表示取代至苯环上的取代基，分别独立地表示碳原子数1～4的烷基，k表示L的数量，为0～5的整数。)))

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物


[0001]本专利技术涉及一种半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物。

技术介绍

[0002]就以往在二维的平面方向上集成的半导体晶片而言，以更进一步的集成化为目的，追求将平面进一步向三维方向集成(层叠)的半导体集成技术。该三维层叠是通过硅贯通电极(TSV：through silicon via)一边接线一边集成为多层的技术。在集成为多层时，利用研磨使所集成的各个晶片的与所形成的电路面相反一侧(即背面)薄化，层叠经薄化的半导体晶片。
[0003]薄化前的半导体晶片(在此也简称为晶片)为了利用研磨装置进行研磨而粘接于支承体。此时的粘接必须在研磨后容易剥离，因此称为临时粘接。该临时粘接必须容易从支承体上拆卸，当对拆卸施加较大的力时，有时经薄化的半导体晶片被切断或变形，以防止这样的情况发生的方式容易拆卸。但是，在半导体晶片的背面研磨时，支承体因研磨应力而脱离或偏移，这是不优选的。因此，对于临时粘接所追求的性能是：耐受研磨时的应力，在研磨后容易拆卸。例如，追求下述性能：相对于研磨时的平面方向具有高应力(强粘接力)，相对于拆卸时的与平面方向交叉的方向、即纵向具有低应力(弱粘接力)。此外，在加工工序中有时成为150℃以上的高温，进而，也要求耐热性。
[0004]在这样的状况下，在半导体领域中，主要使用能具备这些性能的聚硅氧烷系粘接剂来作为临时粘接剂。并且，在使用了聚硅氧烷系粘接剂的聚硅氧烷系粘接中，将经薄化的基板剥离后，经常发生粘接剂残留物残存于基板表面，但为了避免之后的工序中的不良情况，开发了去除该残留物，用于进行半导体基板表面的清洗的清洗剂组合物(例如专利文献1、2)。在专利文献1中，公开了包含极性非质子性溶剂和季铵氢氧化物的硅氧烷树脂的去除剂，在专利文献2中，公开了包含氟化烷基/铵的固化树脂去除剂。然而，在最近的半导体领域中，对新的清洗剂组合物的需求始终存在，对有效的清洗剂组合物、清洗方法的需求始终存在。
[0005]另一方面，半导体晶片例如通过由金属的导电性材料构成的凸块球(bump ball)与半导体芯片电连接，使用具备这样的凸块球的芯片，从而谋求半导体封装的小型化。
[0006]在这一点上，由铜、锡这类金属制成的凸块球缺乏耐腐蚀性，因此存在被用于去除支承体、晶片的粘接剂残留物的清洗剂组合物损伤的问题(专利文献3)，作为清洗剂组合物、清洗方法所追求的事项之一，可以列举出在清洗基板时不腐蚀凸块球。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：国际公开第2014/092022号
[0010]专利文献2：美国专利第6818608号
[0011]专利文献3：韩国专利公开2018－0066550号

技术实现思路

[0012]专利技术所要解决的问题
[0013]本专利技术为鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供一种半导体基板的清洗方法、包括这样的清洗方法的经加工的半导体基板的制造方法、以及用于这样的清洗方法的剥离用组合物，该清洗方法例如用于从半导体基板的表面具有使用硅氧烷系粘接剂而得到的粘接层的半导体基板上适当且容易地去除该粘接层，并且减少或抑制对半导体基板的凸块的损伤。
[0014]用于解决问题的方案
[0015]本专利技术人等为了解决上述问题而进行了深入研究，结果发现，通过使用包含规定量以上的规定的芳香族烃化合物作为溶剂而不包含盐的剥离用组合物，能高效且容易地剥离半导体基板上的粘接层、特别是由包含通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分(A)的硅氧烷系粘接剂得到的固化膜即粘接层，并且减少或抑制对半导体基板的凸块的损伤，从而完成了本专利技术。
[0016]即，本专利技术提供以下内容。
[0017]1.一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，其特征在于，上述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L)所示的有机溶剂。
[0018][0019](式中，L表示取代至苯环上的取代基，分别独立地表示碳原子数1～4的烷基，k表示L的数量，为0～5的整数。)
[0020]2.根据1的半导体基板的清洗方法，其中，上述溶剂包含85质量％以上的上述式(L)所示的有机溶剂。
[0021]3.根据2的半导体基板的清洗方法，其中，上述溶剂由上述式(L)所示的有机溶剂组成。
[0022]4.根据1～3中任一项的半导体基板的清洗方法，其中，上述L为甲基或异丙基。
[0023]5.根据1的半导体基板的清洗方法，其中，上述式(L)所示的有机溶剂是至少选自甲苯、均三甲苯、对异丙基甲苯以及1，2，4－三甲苯中的一种。
[0024]6.根据1～5中任一项的半导体基板的清洗方法，其特征在于，上述粘接层使用包含粘接剂成分(S)的粘接剂组合物而得到的膜，上述粘接剂成分(S)包含选自硅氧烷系粘接剂、丙烯酸树脂系粘接剂、环氧树脂系粘接剂、聚酰胺系粘接剂、聚苯乙烯系粘接剂、聚酰亚胺粘接剂以及酚醛树脂系粘接剂中的至少一种。
[0025]7.根据6的半导体基板的清洗方法，其中，上述粘接剂成分(S)包含硅氧烷系粘接剂。
[0026]8.根据7的半导体基板的清洗方法，其中，上述硅氧烷系粘接剂包括通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分(A)。
[0027]9.一种经加工的半导体基板的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，制造具备半导体基板、支承基板以及由粘接剂组合物得到的粘接层的层叠体；第二工序，对所得到的层叠体的半导体基板进行加工；第三工序，从支承基板分离半导体基板和粘接层；以及第四工序，使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层，上述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L)所示的有机溶剂。
[0028][0029](式中，L表示取代至苯环上的取代基，分别独立地表示碳原子数1～4的烷基，k表示L的数量，为0～5的整数。)
[0030]10.根据9的经加工的半导体基板的制造方法，其中，上述溶剂包含85质量％以上的上述式(L)所示的有机溶剂。
[0031]11.根据10的经加工的半导体基板的制造方法，其中，上述溶剂由上述式(L)所示的有机溶剂组成。
[0032]12.根据9～11中任一项的经加工的半导体基板的制造方法，其中，上述L为甲基或异丙基。
[0033]13.根据12的经加工的半导体基板的制造方法，其中，上述式(L)所示的有机溶剂是至少选自甲苯、均三甲苯、对异丙基甲苯以及1，2，4－三甲苯中的一种。
[0034]14.根据9～13中任一项的经加工的半导体基板的制造方法，其特征在于，上述粘接层是使用包含粘接剂成分(S)的粘接剂组合物而得到的膜，上述粘接剂成分(S)包含选自硅氧烷系粘接剂、丙烯酸树脂系粘接剂、环氧树脂系粘接剂、聚酰胺系粘接剂、聚苯乙烯系粘接剂、聚酰亚胺粘接剂以及酚醛本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，所述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，所述溶剂包含80质量％以上的式(L)所示的有机溶剂，式中，L表示取代至苯环上的取代基，分别独立地表示碳原子数1～4的烷基，k表示L的数量，为0～5的整数。2.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述溶剂包含85质量％以上的所述式(L)所示的有机溶剂。3.根据权利要求2所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述溶剂由所述式(L)所示的有机溶剂组成。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述L为甲基或异丙基。5.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述式(L)所示的有机溶剂是至少选自甲苯、均三甲苯、对异丙基甲苯以及1，2，4－三甲苯中的一种。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于，所述粘接层是使用包含粘接剂成分S的粘接剂组合物而得到的膜，所述粘接剂成分S包含选自硅氧烷系粘接剂、丙烯酸树脂系粘接剂、环氧树脂系粘接剂、聚酰胺系粘接剂、聚苯乙烯系粘接剂、聚酰亚胺粘接剂以及酚醛树脂系粘接剂中的至少一种。7.根据权利要求6所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述粘接剂成分S包含硅氧烷系粘接剂。8.根据权利要求7所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述硅氧烷系粘接剂包含通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分A。9.一种经加工的半导体基板的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，制造具备半导体基板、支承基板以及由粘接剂组合物得到的粘接层的层叠体；第二工序，对所得到的层叠体的半导体基板进行加工；第三工序，从支承基板分离半导体基板和粘接层；以及第四工序，使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层，所述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，所述溶剂包含80质量％以上的式(L)所示的有机溶剂，式中，L表示取代至苯环上的取代基，分别独立地表示碳原子数1～4的烷基，k表示L的
数量，为0～5的整数。10.根据权利要求9所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，所述溶剂包含85质量％以上的所述式(L)所示的有机溶剂。11.根据权利要求10所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，所述溶剂由所述式(L)所示的有机溶剂组成。12.根据权利要求9～11中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥野贵久，柳井昌树，福田拓也，绪方裕斗，森谷俊介，荻野浩司，新城彻也，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：