半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物技术

一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂且不含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L)所表示的有机溶剂。(式中，L1和L2分别独立地表示碳原子数2～4的烷基，L3表示O或S。)L1‑

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物


[0001]本专利技术涉及半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物。

技术介绍

[0002]就以往在二维平面方向上集成的半导体晶圆而言，以更进一步的集成化为目的，追求将平面进一步在三维方向集成(层叠)的半导体集成技术。该三维层叠是通过硅贯通电极(TSV：through silicon via)一边接线一边集成为多层的技术。在集成为多层时，利用研磨使所集成的各个晶圆的与所形成的电路面相反一侧(即背面)薄化，层叠经薄化的半导体晶圆。
[0003]薄化前的半导体晶圆(在此也简称为晶圆)为了利用研磨装置进行研磨而粘接于支承体。此时的粘接必须在研磨后容易剥离，因此称为临时粘接。该临时粘接必须从支承体容易地拆卸，当拆卸施加大的力时，有时经薄化的半导体晶圆被切断或变形，为了避免这样的情况发生，该临时粘接容易地拆卸。但是，在半导体晶圆的背面研磨时，因研磨应力而脱离或偏移是不优选的。因此，对于临时粘接所追求的性能在于，耐受研磨时的应力，在研磨后容易拆卸。例如，追本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，包括使用剥离用组合物剥离半导体基板上的粘接层的工序，所述剥离用组合物包含溶剂且不含盐，所述溶剂包含80质量％以上的式(L)所表示的有机溶剂，L1‑
L3‑
L2ꢀꢀꢀ
(L)式中，L1和L2分别独立地表示碳原子数2～5的烷基，L3表示O或S。2.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述溶剂包含85质量％以上的所述式(L)所表示的有机溶剂。3.根据权利要求2所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述溶剂由所述式(L)所表示的有机溶剂组成。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述L1和L2为相同的基团。5.根据权利要求4所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述碳原子数2～5的烷基为乙基、正丙基或正丁基。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于，所述粘接层为使用包含粘接剂成分(S)的粘接剂组合物而得到的膜，所述粘接剂成分(S)包含选自硅氧烷系粘接剂、丙烯酸树脂系粘接剂、环氧树脂系粘接剂、聚酰胺系粘接剂、聚苯乙烯系粘接剂、聚酰亚胺粘接剂以及酚醛树脂系粘接剂中的至少一种。7.根据权利要求6所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述粘接剂成分(S)包含硅氧烷系粘接剂。8.根据权利要求7所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述硅氧烷系粘接剂包含通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分(A)。9.一种经加工的半导体基板的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，制造具备半导体基板、支承基板以及由粘接剂组合物得到的粘接层的层叠体；第二工序，对所得到的层叠体的半导体基板进行加工；第三工序，将半导体基板和粘接层从支承基板分离；以及第四工序，使用剥离用组合物剥离半导体基板上的粘接层，其中，所述剥离用组合物包含溶剂且不含盐，所述溶剂包含80质量％以上的式(L)所表示的有机溶剂，L1‑
L3‑
L2ꢀꢀ
(L)式中，L1和L2分别独立地表示碳原子数2～5的烷基，L3表示O或S。10.根据权利要求9所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，所述溶剂包含85质量％以上的所述式(L)所表示的有机溶剂。11.根据权利要求10所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，所述溶剂由所述式(L)所表示的有机溶剂组成。12.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥野贵久，柳井昌树，福田拓也，绪方裕斗，森谷俊介，荻野浩司，新城彻也，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：