氮化物层叠体及氮化物层叠体的制造方法技术

本申请提供抑制对于氮化物层的污染，改善了结晶性的氮化物层叠体。所述氮化物层叠体具备高分子基材以及形成于上述高分子基材的至少一面的氮化物层，上述氮化物层为具有纤维锌矿型晶体结构的氮化物层，上述氮化物层所包含的氧原子的存在原子量为2.5atm.％以下，氢原子的存在原子量为2.0atm.％以下，X射线摇摆曲线的半值总宽度为8

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮化物层叠体及氮化物层叠体的制造方法


[0001]本专利技术涉及氮化物层叠体以及氮化物层叠体的制造方法。

技术介绍

[0002]氮化铝(AlN)等绝缘性的氮化物被用于高频噪声过滤器、压电器件、超声波器件等。氮化镓(GaN)等半导体氮化物被用于LED、激光器等光半导体器件。
[0003]氮化物的薄膜能够由与化学气相生长相比，材料的利用效率良好，成膜温度也低的反应性溅射法来形成。使非活性气体离子以高速碰撞铝、金属镓等金属靶标，使被敲打出的金属离子与氮气体进行反应，使作为膜材料的溅射分子附着于对置的基板表面。作为金属靶标与基板之间所连接的电源，使用了直流(DC)电源、高频(RF)电源等。在使用任一电源的情况下，都能够通过在靶标电极配置磁控管来加速荷电粒子，从而促进非活性气体的离子化，提高成膜速度。
[0004]已知利用高功率的RF溅射进行在硅(Si)芯片上的AlN层的形成(例如，参照专利文献1)，利用RF磁控溅射在高分子薄膜上的纤维锌矿型的结晶的压电体层的形成(例如，参照专利文献2)等。
[0005]通过DC磁控溅射也在Si基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氮化物层叠体，其为具备高分子基材以及形成于所述高分子基材的至少一面的氮化物层的氮化物层叠体，所述氮化物层为具有纤维锌矿型晶体结构的氮化物层，所述氮化物层所包含的氧原子的存在原子量为2.5atm.％以下，氢原子的存在原子量为2.0atm.％以下，X射线摇摆曲线的半值总宽度为8
°
以下。2.根据权利要求1所述的氮化物层叠体，其特征在于，所述氮化物层选自氮化铝、氮化镓、氮化铟或这些化合物。3.根据权利要求1或2所述的氮化物层叠体，所述氮化物层以氮化铝作为主成分。4.根据权利要求1～3中任一项所述的氮化物层叠体，所述高分子基材由选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、丙烯酸系树脂、环烯烃系聚合物和聚酰亚胺...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边圣彦，中村年孝，待永广宣，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：