放大器以及LPDDR3输入缓冲器制造技术

一种放大器，其输入级包含：一第一电流镜；一第一输入差动对，耦接该第一电流镜；一第一电流源；一第二电流源；一第二输入差动对，其中第一输入差动对以及第二输入差动对接收一参考电压；一第二电流镜；以及一压控传输电路。其中当预定电压高于一第一预定值，第一电流镜中形成一额外电流路径且流过第一电流镜中的额外电流路径的电流流经第二电流镜到地电位。当预定电压低于一第二预定值，第二电流镜中形成一额外电流路径且流过第二电流镜中的额外电流路径的电流流经第一电流镜到预定电压源。流路径的电流流经第一电流镜到预定电压源。流路径的电流流经第一电流镜到预定电压源。

【技术实现步骤摘要】
放大器以及LPDDR3输入缓冲器


[0001]本专利技术有关于放大器以及LPDDR3输入缓冲器，特别有关于可降低参考电压的变动所造成影响的放大器以及LPDDR3输入缓冲器。

技术介绍

[0002]低功耗DDR(双倍数据率同步动态随机存取存储器，Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)中的LPDDR3的输入缓冲器会接收一参考电压，而输入缓冲器会根据此参考电压产生输出电压给之后的电路使用。然而，输出电压可能会对应参考电压的变动而漂动。
[0003]因此，需要一种补偿机制来改善这样的问题。

技术实现思路

[0004]因此，本专利技术一目的为提供一种放大器，其可补偿由参考电压的变动所引起的输出电压漂移。
[0005]本专利技术另一目的为提供一种LPDDR3输入缓冲器，其可补偿由参考电压的变动所引起的输出电压漂移。
[0006]本专利技术一实施例公开了一种放大器，具有一输入级，该输入级包含：一第一电流镜，耦接一预定电压源；一第一输入差动对，耦接该第一电流镜；一第一电流源，耦接该第一输入差动对；一第二电流源；一第二输入差动对，耦接该第二电流镜，其中该第一输入差动对以及该第二输入差动对用于接收一参考电压；一第二电流镜，耦接该第二输入差动对以及一地电位；以及一压控传输电路，被一参考电压控制。其中当预定电压高于一第一预定值，该第一电流镜中形成一额外电流路径且流过该第一电流镜中的该额外电流路径的电流流经该第二电流镜到该地电位。其中当该预定电压低于一第二预定值，该第二电流镜中形成一额外电流路径且流过该第二电流镜中的该额外电流路径的电流流经该第一电流镜到该预定电压源。
[0007]在一实施例中，前述放大器使用在LPDDR3缓冲器且参考电压对应ODT(on die termination，片内终结)电阻而变动。
[0008]根据上述实施例，可以补偿由参考电压的变动所引起的放大器的输出电压的漂移。因此，可以改善现有技术中的问题。
附图说明
[0009]图1为绘示了根据本专利技术一实施例的放大器的方块图。
[0010]图2为绘示了根据本专利技术一实施例的图1中的放大器的电路图。
[0011]图3为绘示了根据本专利技术一实施例的图1中的压控传输电路的电路图。
[0012]图4为绘示了根据本专利技术一实施例的图2中的放大器的动作的波形图。
[0013]图5为绘示了根据本专利技术另一实施例的图1中的压控传输电路的电路图。
具体实施方式
[0014]以下描述中以多个实施例做为示例来说明本专利技术的概念。还请留意，以下描述中的“第一”、“第二”以及类似描述仅用来定义不同的组件、参数、数据、信号或步骤。并非用于限定其次序。举例来说，第一装置以及第二装置仅代表这些装置可具有相同的结构但为不同的装置。
[0015]图1为绘示了根据本专利技术一实施例的放大器的方块图，这放大器包含了具有宽输入范围的输入级。运算放大器通常可以分为输入级100和输出级(未示出)。如图1所示，输入级100包含：耦接到预定电压源VDD的第一电流镜CM1，第一输入差动对DI1，第一电流源CS1，耦接到地电位的第二电流镜CM2，第二输入差动对DI2，第二电流源CS2以及压控传输电路101。第一输入差动对DI1耦接到第一电流镜CM1，且第一电流源CS1耦接到第一输入差动对DI1。第二输入差动对DI2耦接到第二电流镜CM2，且第二电流源CS2耦接到第二输入差动对DI2。第一输入差动对DI1和第二输入差动对DI2用于接收输入信号IN和参考电压REF。压控传输电路101由参考电压REF控制。
[0016]在实际操作中，当参考电压REF高于第一预定值时，在第一电流镜CM1中会形成额外电流路径，且流过此额外电流路径的电流会通过第二电流镜CM2流向地电位。另外，当参考电压REF低于第二预定值时，在第二电流镜CM2中会形成额外的电流路径，且流过第二电流镜CM2中的额外电流路径的电流会通过第一电流镜CM1并流到预定电压源VDD。
[0017]在一实施例中，额外电流路径是指第一电流镜CM1以及第二电流镜CM2原先已具有电流路径。但当参考电压REF高于第一预定值或低于第二预定值时，会在第一电流镜CM1或第二电流镜CM2中再形成电流路径。
[0018]在一实施例中，第一预定值和第二预定值是压控传输电路101中的晶体管的开启/关闭电压。稍后将更详细描述压控传输电路101的细节。
[0019]在一实施例中，输入级100包含在LPDDR3输入缓冲器中。在这种情况下，参考电压REF是DQ，DM输入的参考电压，其电压电平随ODT(on die termination，片内终结)电阻而变化。ODT电阻可以遵循LPDDR3规范并以不同的模式运行，且在不同的模式中具有不同的电阻值。参考电压REF对应于ODT电阻的不同电阻值而变化。如上所述，参考电压REF的变化可能导致输出电压Vo的漂移。在一实施例中，输出电压Vo也被作为反相器(未示出)的输入，因此输出电压Vo的漂移会影响反相器的输出。经由图1所示的输入级100，可以补偿输出电压Vo以改善上述问题。
[0020]图2为绘示了根据本专利技术一实施例的图1中的放大器100的电路图。请注意，图2仅为示例，能够执行相同功能的电路也应落入本专利技术的范围内。如图2所示，第一电流镜CM1包含PMOS MPa、MPb，第二电流镜CM2包含NMOS MNc、MNd。运算放大器包含具有宽输入范围的输入级100，其包含具有NNOS MNa和MNb的差动晶体管对以及包含具有PMOS MPc和MPd形成的差动晶体管对组成。这些差动晶体管对并联连接以接收并联传输的输入信号IN和REF。
[0021]在图2的实施例中，PMOS MPa、MPb的栅极耦接至图1所示的压控传输电路101的端点Tl，且NMOS MNc、MNd的栅极耦接至压控传输电路101的端点T2。PMOS MPa、MPb、NMOS MNc、MNd可以用其他种类的晶体管代替。因此，这样的连接可以描述为：第一电流镜CM1包含多个晶体管，且压控传输电路101耦接到晶体管的控制端(例如，栅极端)。此外，这样的连接可以描述为：第二电流镜CM2包含多个晶体管，并且压控传输电路101耦接到晶体管的控制端点。
[0022]压控传输电路101用于控制端点T1、T2之间的短路程度，且可具有各种不同结构。图3和图5是根据本专利技术不同实施例的图1所示的压控传输电路的电路图。图3是压控传输电路101的电路图，当参考电压REF在VDD/2和VDD之间时，压控传输电路101形成传输路径，此传输路径用作上述的额外电流路径，以降低输出电压Vo。如图3所示，压控传输电路101包含PMOS P1、NMOS N1和NMOS N2。NMOS N1由参考电压REF控制而开启(导通)或关闭(不导通)。具体来说，当参考电压REF高于第一预定值时，NMOS N1开启。
[0023]PMOS P1耦接在第一电流镜CM_1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种放大器，具有一输入级，该输入级包含：一第一电流镜，耦接一预定电压源；一第一输入差动对，耦接该第一电流镜；一第一电流源，耦接该第一输入差动对；一第二电流源；一第二输入差动对，耦接该第二电流镜，其中该第一输入差动对以及该第二输入差动对用于接收一参考电压；一第二电流镜，耦接该第二输入差动对以及一地电位；以及一压控传输电路，被一参考电压控制；其中当该预定电压高于一第一预定值，该第一电流镜中形成一额外电流路径且流过该第一电流镜中的该额外电流路径的电流流经该第二电流镜到该地电位；其中当该预定电压低于一第二预定值，该第二电流镜中形成一额外电流路径且流过该第二电流镜中的该额外电流路径的电流流经该第一电流镜到该预定电压源。2.如权利要求1所述的放大器，其中该压控传输电路包含：一第一类一晶体管，由该参考电压控制而开启或关闭，其中当该预定电压高于该第一预定值，该第一类一晶体管开启。3.如权利要求2所述的放大器，其中该压控传输电路还包含：一第一类二晶体管，耦接于该第一电流镜和该第一类一晶体管之间，并耦接该地电位。4.如权利要求3所述的放大器，其中该第一电流镜包含多个晶体管且该第一类二晶体管耦接该多个晶体管的控制端。5.如权利要求3所述的放大器，还包含：一第二类一晶体管，被一第一偏压电压所偏压，耦接于该第一类一晶体管以及该第二电流镜之间。6.如权利要求1所述的放大器，其中该压控传输电路包含：一第一类二晶体管，由该参考电压控制而开启或关闭，其中当该预定电压低于该第二预定值，该第一类二晶体管开启。7.如权利要求6所述的放大器，其中该压控传输电路还包含：一第一类一晶体管，耦接于该第二电流镜和该第一类二晶体管之间，并耦接该预定电压源。8.如权利要求6所述的放大器，其中该第一电流镜包含多个晶体管且该第一类一晶体管耦接该多个晶体管的控制端。9.如权利要求6所述的放大器，还包含：一第二类二晶体管，被一第二偏压电压所偏压，耦接于该第一类二晶体管以及该第一电流镜之间。10.一种LPDDR3输入缓冲器，包含：一放大器，具有一输入级，该输入级包含：一第一电流镜，耦接一预定电压源；...

【专利技术属性】
技术研发人员：粘书瀚，
申请(专利权)人：晶豪科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：